通过化学和绿色方法S. N. Begum *,R。Kumuthini物理系,Sadakathullah Appa学院,Tirunelveli-627011,印度,近年来,开发有效的绿色化学方法来合成金属氧化物纳米颗粒的合成,成为研究人员的主要重点。他们已经进行了研究,以找到一种用于生产金属氧化物纳米颗粒的生态友好技术。在这项工作中,我们的目标是通过化学和绿色方法合成氧化锌纳米颗粒。通过混合硫酸锌(ZnSO 4)溶植物提取物和KOH合成氧化锌纳米颗粒。通过XRD,FT-IR和UV-VIS光谱和光致发光研究表征合成的氧化锌纳米颗粒。此外,通过艺术碟片扩散法测试了合成的氧化锌纳米颗粒的抗菌活性。(2023年6月8日收到; 2023年9月5日接受)关键字:绿色合成,Zno Nano粒子,XRD,FTIR,UV,PL
2在能源材料中表征运输现象的方法部,helmholtz-Zentrum柏林材料和Energie GmbH,Hahn-Meitner-Platz 1,14109柏林,德国柏林3席3席部薄膜设备的椅子技术,高效率和半教导机构技术研究所10587柏林,德国4部门能源材料的部门结构和动力学,赫尔姆霍尔茨 - 泽特鲁姆柏林材料和能源GMBH,Hahn-Meitner-Platz 1,14109柏林,德国5号,柏林5柏林5物理与天文学研究所柏林技术大学物理学,Hardenbergstraße,36,10623柏林,德国7 PVCOMB,Helmholtz-Zentrum柏林柏林材料和能量GmbH,Schwarzschildstraße3,12489 Berlin,
随着对环境保护和能源需求不断增长的需求的越来越多,对可持续储能设备的研究变得越来越紧迫。1 - 4个锂离子电池已经迅速发展,但是有毒和易透明电池极为危险,因此近年来,无毒和安全的水性锌电池引起了很多关注。5 - 8个锌金属在水溶液中相对稳定,因此可以直接用作水性电池(AZB)的阳极电极。实际上,Zn金属电极具有许多优势,包括:9 - 11(1)高丰度和低价,(2)化学稳定性,(3)高理论能力(820 mA H G -1,5855 mA H CM -2)和(4)低氧化还原电位(-0.76 Vs vs. vs.sha)。在AZBS中,Zn 2+离子在AZB充电/放电期间在阳极电极处镀金/剥离,而树突和侧反应危害了电池的寿命和库仑的效率。12 - 14因此,Zn阳极的改进对于AZBS至关重要。
1纳米 - 电子中心(NET),电气工程学院,工程学院,Universiti teknologi Mara,40450 Shah Alam,马来西亚2号雪兰莪2号电气工程学院,工程学院,Teknologi teknologi Mara,Terengganu Mara,Terengun Branch,Dungun Campus,23000 Dungun funcation and nenne nanne nanne nensia,纳米技术,科学研究所(IOS),Universiti teknologi Mara,40450 Shah Alam,雪兰莪,马来西亚4电气和电子工程技术学院,马来西亚大学马来西亚大学,Hang tuah jaya,MALASKA,MELARESIA,MARARESIA INDERCENIOL,MALAKE MARANOMIAL INCERATION,MALARESIA INDERCTION,MARASIINOLIOG马来西亚槟城的Atang Pauh 6马来西亚Sabah大学工程学院,88400 Kota Kinabalu,马来西亚Sabah,马来西亚Sabah 7应用科学学院,Universiti Teknologi Mara,40450 Shah Alam,Shah Alam,Selangor,Selangor,Malaysia 8 Physemia and Malaysia school and Malaysia school and Malaysia school and Malaysia cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres cres abdur,印度钦奈 Vandalur 科学技术研究所 600 048 9 马来西亚苏丹依德里斯教育大学科学与数学学院纳米技术研究中心 35900 丹戎马林 10 马来西亚敦胡先翁大学电气与电子工程学院微电子与纳米技术 - Shamsuddin 研究中心
图 2. ZnO-TFTs 阵列的电气、机械和光学特性。 (A) VD = 5V 时具有不同 W/L 比的 TFT 的传输曲线。 (B) W/L = 80/5 的 TFT 的输出特性,显示漏极电流 (ID) 与 VD 的关系,VG 从 -1 V 变化至 5 V(步长 = 1 V)。 (C) 一个阵列的十二个 ZnO-TFTs 电极的传输特性。红线为平均值。 (D) 来自同一阵列的十二个 ZnO-TFTs 电极的跨导。蓝线为平均值。 (E) ZnO-TFTs 电极在弯曲半径为 15 cm 的情况下经过 10 次弯曲循环后仍保持稳定的电气特性。 (F) ZnO-TFTs 阵列的透射光谱。插图是 3 × 4 ZnO-TFTs 阵列的光学图像,显示了其高透明度。白色框架标记电极阵列。比例尺:2 毫米。
摘要:氧化锌(ZnO)是一种众所周知的半导体材料,由于其出色的电气,机械和独特的光学特性。ZnO纳米颗粒被广泛用于微电源和光电设备的工业规模生产,包括金属氧化物半导体(MOS)气体传感器,光发射二极管,晶体管,晶体管,电容器和太阳能电池。这项研究提出了通过静电纺丝技术优化纳米化ZnO的合成参数。盒子 - Behnken设计(BB)已使用响应表面方法(RSM)应用,以优化选定的静电纺丝和烧结条件。成功研究了施加电压,尖端到收集器距离和退火温度对ZnO颗粒尺寸的影响。扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)图像确保了乙酸聚乙烯基吡咯烷酮 - 乙酸锌(PVP-ZNAC)的形成,并在退火后纳米结构的ZnO。X射线衍射(XRD)模式表示具有高结晶度的ZnO的六角形结构的纯相。最小尺寸的ZnO纳米颗粒以16 kV的恒定电位合成,收集器和喷嘴之间的距离为12 cm,流量为1 ml/h,钙化温度为600°C,结果表明,纳米化的ZnO表明ZnO具有尺寸和形式的精确浓度,可以通过vary和Sinoring sinoring sinoring和Sinoring sinering snerurnning andersranting sinering anderstrance andersranting sinering andering sinering andoring sinering andornning。
这是一种很有前途的光吸收材料,具有低成本溶液加工、易于制造和优异的光电性能。[1,2] 自从首次报道采用甲基铵碘化铅 (MAPbI 3 ) 的钙钛矿太阳能电池 (PSC) 以来 [3],它们的小面积电池能量转换效率 (PCE) 现在已超过 25%。[4,5] PSC 的高效率是通过成分工程 [6–8]、表面钝化 [9–13] 和/或使用各种添加剂来调整钙钛矿层来实现的。[14–16] 除了钙钛矿层的组件工程外,人们还致力于开发高效的电荷传输层。[17–21] 特别是,电子传输层 (ETL) 在实现高效稳定的 PSC 中起着重要作用。 [22,23] 到目前为止,二氧化钛 (TiO 2 ) 是 PSC 中广泛应用的电子传输层,但其存在电导率低、表面缺陷密度高的问题。[24] 在替代电子传输层中,氧化锌 (ZnO) 因其高电子迁移率和与钙钛矿材料能级匹配良好而被视为一种方便的候选材料。[25,26] 这
摘要:门控ZnO纳米线场发射阵列在平板X射线源、光电探测器等大面积真空微电子器件中有着重要的应用。由于应用需要高像素密度的场发射阵列,因此需要研究像素密度对门控ZnO纳米线场发射性能的影响。本文模拟了在保持横向几何参数成比例的情况下不同像素尺寸下同轴平面门控ZnO纳米线场发射阵列的性能,获得了发射电流和栅极调制随像素尺寸的变化曲线。利用所获得的器件参数,制备了同轴平面门控ZnO纳米线场发射阵列。场发射测量结果表明,当栅极电压为140 V时,制备的ZnO纳米线场发射阵列的电流密度为3.2 mA/cm 2,跨导为253 nS,表明栅极控制有效。性能的提高归因于优化的栅极调制。
锌金属在电化学领域的应用一直具有特定的兴趣,因为它是高能密度电池和牺牲电极的偏爱材料,可保护其他金属组件免受腐蚀。除了高能量密度以外,其他一些因素(例如其低成本,易于处理,无毒性和锌的丰度)使这种金属受到了研究人员的极大关注。在过去的几十年中,已经致力于发现和新兴的电力可充电基于锌的电池,以回应在电子设备快速增长的电子设备和汽车业务中日益增长的能源消耗要求。然而,无论材料科学和细胞设计中的发展如何,都在开发能够替代其他可行的可充电电池的系统中获得了略有突破。钝化是用于商业化的锌空气电池(ZAB)中最具挑战性的障碍之一。最近,已经执行了一些发展,以减轻Zabs中锌阳极的钝化。本综述对该问题的各个方面进行了仔细的调查,以及缓解锌阳极腐蚀和钝化的最新发展。
我们证明了具有Wurtzite结构的MG取代的ZnO薄膜中的铁电性。Zn 1-x mg x o膜通过(111)-PT //(0001)-AL 2 O 3基板在温度下为26至200°C的组合物上的(111)-PT //(0001)-AL 2 O 3底物生长,用于从x = 0到x = 0.37。X射线衍射表示C -Lattice参数的减少,并且在此组合范围内,A -Lattice参数的增加,MG含量增加,导致C/A轴向比为1.595。透射电子显微镜研究表明Zn 1 -x mg X O膜与PT电极之间的突然接口。在P O 2 = 0.025处制备时,通过原子力显微镜测量的Mg浓度> 29%,膜表面被异常定向的晶粒填充。提高P O 2至0.25消除了不良的晶粒。光学测量结果显示,随着MG含量的增加,带隙值的增加。在200°C的亚晶地上制备时,膜显示出超过100μccm-2的远程极化,当Mg含量约为30%至〜37%时,较不超过100μccm-2且胁迫场。底物温度可以降低到环境条件下,当这样做时,电容器堆栈仅显示出较小的牺牲,而对晶体取向和几乎相同的remanent极化值。但是,强制场降至2 mV/cm以下。使用环境温度沉积,我们证明了直接与聚合物亚电体表面集成的铁电容堆栈。
