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胶体CdS量子点的合成及作为界面修饰的应用
1. 引言 近年来，由于钙钛矿太阳能电池成本低、效率高、制备简单等特点，吸引了众多研究人员的关注。自从 2009 年 Miyasaka 等人首次报道以来，钙钛矿太阳能电池 (PSC) 技术已经从 3.8% 提升至 25% 左右 [1,2]。基本的钙钛矿太阳能电池由透明导电层（例如氟掺杂氧化锡 (FTO) 或铟掺杂氧化锡 (ITO)、电子传输层、光敏钙钛矿层、空穴传输层以及金属电极）组成。由于电子传输层适用于所有层，因此它对于 PSC 的高效率起着重要作用。TiO 2 是最常用的电子传输层之一，因为它具有多种制备方法，例如旋涂、喷涂、溅射等 [3–5]。除了制备技术之外，TiO 2 结构还存在一些问题，例如氧空位和非化学计量缺陷，尤其是位于 TiO 2 表面的缺陷 [6,7]。这些缺陷阻碍电子流动，导致钙钛矿太阳能电池性能不佳。一些研究人员报道了一些不同的材料如 SnO 2 、 ZnO、CdS 和 WOx 代替 TiO 2 作为电子传输层 [8–11]。尽管 CdS 作为电子传输层还远远不能令人满意，但它可能是改性和钝化 TiO 2 表面的优异界面材料。最近，Hwang 等人报道 CdS 作为介孔 TiO 2 层的改性材料，可提高钙钛矿太阳能电池的稳定性 [12]。Zhao 等人使用 CdS 作为前体溶液的添加剂，观察到复合显著减少 [13]。Dong 等人使用 CdS 作为电子传输层，观察到 PSC 的效率为 16.5% [14]。Wessendorf 等人通过使用 CdS 作为电子传输层，观察到磁滞减小 [15]。Cd 扩散到钙钛矿层导致晶粒尺寸增加，从而提高效率 [16]。Mohamadkhania 等人使用 SnO 2 表面上的 CdS 作为界面改性剂，观察到磁滞减小和效率提高 [17]。Ma 等人表明，在 TiO 2 表面化学沉积 CdS 可将效率从 10.31% 提高到 14.26% [18]。
氟掺杂对Sno2薄的特性的影响...
光电学和高级材料杂志。22，编号9-10，9月至2020年10月，第1页。 518-522氟掺杂对使用喷雾热解方法沉积的SNO 2薄膜的特性的影响Youssef larbah A，*，Badis rahal A，Mohamed Adnane B A Speptormity Spectry Secardment，Algiers -CRNA -CRNA -CRNA -CRNA 02 BD。Frantz Fanon BP 399 Algiers，奥兰科学技术大学阿尔及利亚B技术系。 USTO-MB，B.P。 1505，31000 El-Mnaouer Oran，Algeria，在本文中，我们报告了通过在400°C下喷射热解沉积的未源源不断和氟掺杂的氧化锡（SNO 2：F）薄膜的结构和光学特性。 XRD分析表明，所有薄膜呈现具有首选方向从（110）变为（211）的四方金红石结构。 平均晶粒尺寸约为50 nm，随着氟的掺入而减小。 扫描电子显微镜（SEM）分析表明，纳米颗粒的大小为78 nm。 这些电影的传播率高85％。 光学差距从3.97到4EV不等。 电气研究表明，这些薄膜具有最低电阻层值的N型电导率，对9.Wt％F的掺杂膜的13（ω/γ）（2020年1月13日收到； 2020年10月22日接受； 2020年10月22日接受）关键词：SNO 2：SNO 2：F，SNO 2：S SNO 2，SNOO 2，喷雾，微观，选择性和电子属性 div>>Frantz Fanon BP 399 Algiers，奥兰科学技术大学阿尔及利亚B技术系。USTO-MB，B.P。 1505，31000 El-Mnaouer Oran，Algeria，在本文中，我们报告了通过在400°C下喷射热解沉积的未源源不断和氟掺杂的氧化锡（SNO 2：F）薄膜的结构和光学特性。 XRD分析表明，所有薄膜呈现具有首选方向从（110）变为（211）的四方金红石结构。 平均晶粒尺寸约为50 nm，随着氟的掺入而减小。 扫描电子显微镜（SEM）分析表明，纳米颗粒的大小为78 nm。 这些电影的传播率高85％。 光学差距从3.97到4EV不等。 电气研究表明，这些薄膜具有最低电阻层值的N型电导率，对9.Wt％F的掺杂膜的13（ω/γ）（2020年1月13日收到； 2020年10月22日接受； 2020年10月22日接受）关键词：SNO 2：SNO 2：F，SNO 2：S SNO 2，SNOO 2，喷雾，微观，选择性和电子属性 div>>USTO-MB，B.P。1505，31000 El-Mnaouer Oran，Algeria，在本文中，我们报告了通过在400°C下喷射热解沉积的未源源不断和氟掺杂的氧化锡（SNO 2：F）薄膜的结构和光学特性。XRD分析表明，所有薄膜呈现具有首选方向从（110）变为（211）的四方金红石结构。平均晶粒尺寸约为50 nm，随着氟的掺入而减小。扫描电子显微镜（SEM）分析表明，纳米颗粒的大小为78 nm。这些电影的传播率高85％。光学差距从3.97到4EV不等。电气研究表明，这些薄膜具有最低电阻层值的N型电导率，对9.Wt％F的掺杂膜的13（ω/γ）（2020年1月13日收到； 2020年10月22日接受； 2020年10月22日接受）关键词：SNO 2：SNO 2：F，SNO 2：S SNO 2，SNOO 2，喷雾，微观，选择性和电子属性 div>>
通过改变煅烧温度来优化 SnO2 纳米粒子去除亚甲蓝的光催化性能
摘要。近年来，已进行了大量研究，将氧化锡 (SnO 2 ) 与各种半导体材料相结合，以提高其用于废水处理的光催化效率，而对增强纯 SnO 2 的固有能力的关注甚少。本研究的主要目的是通过改变纯 SnO 2 纳米粒子 (NPs) 的形貌、结构和光学特性来提高其光催化效率。使用沉淀法合成 SnO 2 NPs，然后在不同温度下进行煅烧过程（未煅烧、300°C 和 500°C）。利用 X 射线衍射 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)、粒度分析 (PSA)、Brunauer-Emmett-Teller (BET) 和紫外-可见 (UV-Vis) 光谱研究了 SnO 2 NPs 性质的变化。结果表明，将煅烧温度提高到 500 °C 会导致平均晶粒尺寸（高达 10.50 nm）和结晶度（高达 85.28 %）均增加。然而，在 300 °C 下煅烧的 SnO 2 NPs 样品中获得了最高的亚甲蓝降解光催化效率 84.78 %，其最大表面积为 83.97 m 2 g -
通过脉冲激光软沉积 TCO 以获得高质量的超薄多晶硅钝化接触
本文探讨了脉冲激光沉积 (PLD) 透明导电氧化物 (TCO) 在高质量超薄多晶硅基钝化接触上的适用性。通过减小多晶硅层厚度，可以最大限度地减少多晶硅层引起的寄生吸收。然而，多晶硅触点上的 TCO 沉积（通常通过溅射）会导致严重的沉积损伤，并进一步加剧较薄多晶硅层（<20 纳米）的表面钝化。虽然可以使用高温（约 350 摄氏度）热处理来部分修复表面钝化质量，但由于在多晶硅/ITO 界面形成了寄生氧化层，接触电阻率严重增加。或者，我们表明 PLD TCO 可用于减轻超薄（约 10 纳米）多晶硅层的损伤。通过增加沉积压力可以进一步改善多晶硅触点钝化，同时通过在高质量超薄多晶硅（n+）触点上使用 PLD 掺杂铟的氧化锡 (ITO) 层可实现低触点电阻率（约 45 m Ω cm 2）和良好的热稳定性（高达 350 °C）。通过将 PLD ITO 膜的出色光电特性与 10 nm 薄多晶硅触点相结合，可以实现高度透明的正面触点。
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20231269使用MUON自旋松弛Adroja，Devashibhai Rutherford Appleton Lab，对TBTA7O19中量子自旋液体中可能的量子自旋液态基态进行了研究。接受了2天火焰20231330对旋转液态基态的评估＆＃956; SR对高度沮丧的CO2+的SR研究，其有效的Spin-1/2 Zigzag链链抗Fiferromagnet：Zncop2O7 Adroja，Devashibhai Ruthai Ruthai Ruthai Ruthai Rutherford appleton实验室。接受了2天火焰20231277搜索磁性和测量三角晶格化合物NDMGAL11O19 BLUNDELL，Stephen Univ中的旋转动力学。接受了2天火焰20231278三角晶格量子旋转液体候选者Kybse2 Blundell，Stephen Univ。接受2天火焰20231224氢在一氧化锡SnO中的电行为通过µSR Chaplygin，Igor Technische Univ研究。德累斯顿接受了3天LEM 20231344在LEM（延续）Crivelli，Paolo eth Zuerich接受了7天LEM 20231361在2D三角形抗forermagnet devi中寻求量子旋转的液态状态，以寻求量子旋转状态
文章
萨拉哈丁大学理学院物理系，伊拉克Erbil 44001。doi：https：//doi.org/10.47011/17.5.5.9接收到：07/06/2023;接受：20/09/2023摘要：在这项研究中，使用TICL 4作为泰坦尼亚前体的水热技术，在氟掺杂的氧化锡（FTO）底物上生长了良好的金红石TIO TIO 2纳米棒阵列。检查了水热反应（生长）时间对纳米结构制备过程中纳米结构形状和大小变化的影响。研究使用各种分析技术（例如X射线衍射（XRD），田间发射扫描电子显微镜（FESEM），拉曼光谱和UV-Vis-vissible分光光度计）研究了制备的TIO 2纳米棒的特性。通过在优化的生长温度，前体浓度和酸度等优化生长因子（例如生长温度，前体的浓度和酸度）上改变水热反应时间，从而获得了TIO 2纳米棒的不同结构，形态和光条间隙。组成仍然是金红石，尽管纳米棒的粒径和平均直径随生长时间变化。观察到吸收边缘转移到更长的波长（红移），并且随着生长时间的增加，TIO2的预测带隙减小。此外，通过拉曼光谱分析确认金红石相。
五苯甲烷的形态，结构和电性能
研究了五苯薄膜在氧化锡（ITO）涂层玻璃上的物理和结构特性。使用20、30和60分钟的沉积时间的热蒸发方法沉积了五苯薄膜。现场发射扫描电子显微镜（FESEM）图像显示，膜厚度随沉积时间的增加而增加，在60分钟时出现了散装相位层。通过五射线衍射（XRD）模式证明了与15.5Å晶格间距相对应的薄膜相位的存在，其沉积时间为20和30分钟。同时，在沉积时间为60分钟，晶格间距为14.5Å，在五苯甲酸膜中验证了散装相的存在。原子力显微镜（AFM）的五苯甲烷膜结晶度的图像显示，沉积在Ito涂层玻璃上的五苯甲烯膜表现出具有模块化晶粒的相似岛屿的形成，从而产生了细晶体结构。从电流 - 电压（I-V）和电流密度 - 电压（J-V）特性中，五苯甲烯薄膜是欧姆的，并且随着五苯苯乙烯的厚度的降低而增加。五苯甲烯膜在透明底物上的宽带和窄带光电设备的发展中显示出潜力。
利用化学浴沉积法合成 ZnO 薄膜并研究物理化学性质
使用化学浴沉积合成 ZnO 薄膜并研究物理化学性质 Pooja B.更多，1 Sanjay B. Bansode，1 Mariya Aleksandrova，2 Sandesh R. Jadkar 1 和 Habib M. Pathan 1，* 摘要 在目前的研究中，我们在 70°C 温度下通过化学浴沉积法 (CBD) 在 FTO（氟掺杂氧化锡）基板上合成了 ZnO 薄膜。X 射线衍射研究表明，ZnO 薄膜具有六方纤锌矿结构，沿 (002) 方向有纹理。此外，扫描电子显微镜证实了沿垂直（c 轴）方向取向的微米级棒的形成。此外，还检查了各种光学和光电化学 (PEC) 特性。从紫外-紫外光谱分析可知，ZnO 薄膜的光学带隙为 3.1 eV。光致发光光谱显示，沉积的薄膜在紫外区具有尖锐的发射，在可见光区具有宽发射，这可能与 ZnO 中的缺陷有关。电化学阻抗谱表明，在光照下，ZnO 薄膜表现出较高的光电流密度的 PEC 性能。计时电流法显示，光电流密度随时间变化的稳定性测试为 60 μA/cm 2 。此外，莫特-肖特基曲线证实，沉积的 ZnO 薄膜为 n 型，载流子密度为 8.55×10 18 cm -3 。
无伸缩活页夹-iris-aperto
我们通过在露天条件下的低成本可伸缩的超音速冷喷雾法展示了纳米织物的Ptype cubric氧化物（CUO）FI LMS的产生。只需将喷嘴扫过底物就产生了largescale cuo fi lm。当用作氢进化光座时，这些FI LMS在AM1.5照明下产生了高达3.1 mA/cm 2的光电流密度（PCD），而无需使用Cocatalyst或任何其他异质结层。cu 2 O颗粒被超级喷涂到含氧化锡（ITO）涂层的苏打石灰玻璃（SLG）底物上，而无需任何溶剂或粘合剂。在空气中退火将Cu 2 O Fi LMS转换为CUO，带隙的相应减少和吸收的太阳光谱的分数增加。在600°C下退火最大化PCD。将超音速气速从〜450增加到约700 m/s产生的较密集的表面粗糙度，从而产生较高的PCD。类似于恐龙皮肤的FI LMS的纳米级质地增强了其性能，导致文献中最高的PCD值之一。我们通过X射线DI FF RACT，拉曼光谱，X射线光电子光谱，原子力显微镜，扫描电子显微镜和透射电子显微镜来表征FI LMS，以阐明其未出色性能的起源。这种超音速冷喷雾沉积有可能在商业尺度上用于低成本质量生产。
高效收集和储存全太阳能...
以化学能形式释放能量。9–16 该领域最新发展的一个例子是 Yangen 等人设计的 SRFB，它使用 I3/I 和 Br/Br3 作为氧化还原活性对。17 SRFB 由 WO3 装饰的 BiVO4 光阳极驱动，可提供 1.25% 的太阳能到输出能量转换效率。Yan 等人报道了一种由 Li2WO4/LiI 氧化还原对和染料敏化 TiO2 光电极组成的 SRFB，在放电密度为 0.075 mA cm2 时可实现 0.0195 mA h mL1 的电池容量。1 最近，Amirreza 等人构建了一个串联结构，其中有一个裸露的赤铁矿光阳极和两个串联的染料敏化太阳能电池； 2仅使用赤铁矿作为光阳极的AQDS（蒽醌-2,7-二磺酸盐）/碘化物SRFB从太阳能到化学能的转化效率约为0.1％。全钒氧化还原流电池，包括钒基SRFB，由于其高可逆性和快速的反应动力学，在世界范围内得到了广泛的研究和开发。3 – 6郝等人将氮掺杂的TiO 2光阳极应用于微流体全钒光电化学电池，平均光电流密度为0.1 mA cm 2。7Zi等人。展示了一种 AQDS/V 4+ SRFB，它使用负载在氟掺杂氧化锡 (FTO) 上的 TiO 2 纳米粒子作为光阳极，能够产生 0.14 mA cm 2 的相对稳定的光电流。8