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World File Search System氮化硅
自主驾驶中感知的生成语义域适应
摘要：最近已经建立了在硝酸硅中制造固有的单光子发射器的强大过程。这些发射器显示出由于室温运行和与技术成熟的氮化硅光子学平台的整体式整合而导致的量子应用的希望。在这里，通过测量光学跃迁波长，线宽和光子抗激素的基本光物理特性，探测了从4.2K到300K的温度的函数。通过测量零孔子线的不均匀和温度依赖性的均匀宽扩大，提供了对终身有限线宽潜力的重要见解。在4.2K时，发现光谱扩散是主要的宽扩向机理，而时间分辨的光谱测量结果揭示了具有仪器限制线宽的零孔子线的均匀宽宽。
用于集成在电子集成电路上方的光子层的 CMOS 兼容沉积材料
摘要 — 近年来，硅光子学引起了越来越多的关注，主要用于微电子电路或生物传感应用中的光通信光互连。主要在绝缘体上硅平台上制造的用于 CMOS 兼容制造的基本无源和有源元件（包括探测器和调制器）的开发已达到如此高的性能水平，以至于应该解决硅光子学与微电子电路的集成挑战。由于晶体硅只能从另一个硅晶体中生长，因此无法在这种状态下沉积，因此光学器件通常仅限于单层。另一种方法是使用后端 CMOS 制造工艺在 CMOS 芯片上方集成光子层。本文讨论了用于此目的的各种材料，包括氮化硅、非晶硅和多晶硅。关键词 — 硅光子学、CMOS、集成。
氮化硅芯片上的近简并正交压缩真空产生
压缩态是连续变量 (CV) 量子信息处理的主要资源。为了以可扩展且稳健的方式实现 CV 协议，最好使用集成光子学平台生成和操纵压缩态。在本信中，我们展示了使用具有双泵四波混频过程的小型氮化硅微谐振器在射频载波边带中生成正交相位压缩态。我们记录的压缩噪声水平比光电流散粒噪声低 1.34 dB（0.16 dB），这相当于芯片上 3.09 dB（0.49 dB）的正交压缩。我们还表明，考虑泵浦场的非线性行为对于正确预测此系统中可以产生的压缩至关重要。这项技术代表着朝着创建和操纵可用于量子信息应用（包括通用量子计算）的大规模 CV 簇状态迈出了重要一步。
接触蚀刻停止 a-SixNy：H 层：单多晶硅闪存数据保留的关键因素
氮化硅 a-Si x N y :H 接触蚀刻停止层通过作用于初始电荷损失现象，强烈影响单多晶硅非挥发性存储器中的数据保留性能。其改进需要通过实验设计方法分析流入等离子体增强化学气相沉积工艺参数。a-Si x N y :H 物理电学分析指出，必须避免富含硅的成分，尤其是其界面层，以减少 a-Si x N y :H 电荷量，从而提高数据保留率。事实上，a-Si x N y :H 靠近浮栅，其电荷调制可以充当寄生存储器，通过电容效应屏蔽浮栅中存储的电荷。© 2009 美国真空学会。DOI：10.1116/1.3071846
具有电压依赖性活性表面的 SWCNT-Si 光电探测器
摘要 关于碳纳米管-硅 MIS 异质结构的新研究表明，可利用器件绝缘层中厚度的不均匀性来增强其功能。在这项工作中，我们报告了一种器件的制造和特性，该器件由 n 型硅衬底上的单壁碳纳米管 (SWCNT) 薄膜组成，其中纳米管和硅之间的氮化物中间层已被刻蚀以获得不同的厚度。三种不同的氮化硅厚度允许在同一器件内部形成三个区域，每个区域都有不同的光电流和响应度行为。我们表明，通过选择特定的偏置，可以打开和关闭区域的光响应。这种特殊行为使该器件可用作具有电压相关活性表面的光电探测器。在不同偏置下对器件表面进行的扫描光响应成像突显了这种行为。
硅碳电池：推进绿色未来的技术
锂 - 硅电池是采用硅基阳极，锂离子作为电荷载体的锂离子电池。[1]基于硅的材料通常具有更大的特异性能力，例如原始硅的3600 mAh/g。[2]标准阳极材料石墨限制为完全纤维化状态LIC 6的最大理论能力为372 mAh/g。[3]当插入锂以及在带电状态下的高反应性时，硅的大容量变化（根据晶体密度约为400％）是商业化这种阳极的障碍。[4]商用电池阳极可能具有少量的硅，从而稍微提高了性能。这些金额密切关注的商业秘密，截至2018年，最多限于阳极的10％。[需要引用]锂 - 硅电池还包括细胞构型，其中硅处于化合物中，在低压下，可以通过位移反应储存锂，包括氧化碳酸硅，硅一氧化碳或氮化硅。[5]
数据表 – SGM7001、SGM7002、SGM7004、SGM7006
3.4.1 安装位置 SGM70xx 模块设计用于放置在燃气表出口处。 3.4.2 SGM 模块上的网格 Sensirion 建议在燃气表出口（最好也在入口）安装网格，以防止大颗粒（例如螺钉或螺母）进入仪表外壳。 3.4.3 安装限制 在燃气表组装期间或之后，必须避免对 SGM70xx 模块造成机械应力。安装必须以保证恒定的燃气进气条件的方式进行。 3.4.4 安装方向 建议垂直安装，向上流动。连接器 PIN 朝向入口。也可以采用其他安装方向。有关更多信息，请联系 Sensirion。 3.5 SGM70xx 外壳材料 塑料：PBT（聚对苯二甲酸丁二醇酯） 3.6 接触液体的材料 SGM70xx 外壳材料（3.5 中定义） 玻璃（氮化硅、氧化硅） 硅 FR4 聚氨酯 (PUR) 环氧树脂 铜合金 尼龙、镀锡磷青铜、PBTP
集成光子学的微转移打印
1. 通过微转移印刷将 O 波段 InP 蚀刻面激光器边缘耦合到 SOI 上的聚合物波导，载于 IEEE 量子电子学杂志，2020 年 2. R. Loi 等人，“硅光子学基板上的电子集成电路微转移印刷”，载于 ECIO 2022 会议。2022 年 5 月。 3. 欧盟热门项目 4. 利用微转移印刷实现氮化硅上 VCSEL 光子集成电路。”Optica 8.12 (2021): 1573-1580。 5. 通过转移印刷在硅上实现低功耗光互连，用于光隔离器。”Journal of Physics D: Applied Physics 52.6 (2018)。 6. 将高效 GaAs 光伏电池微转移印刷到硅上以实现无线电源应用。”《先进材料技术》5.8（2020）：2000048。
具有功能化氮化硅光子电路的超灵敏折射率气体传感器
便携式、经济高效的气体传感器在众多环境、生物医学和工业应用中越来越受欢迎，但目前的设备仅限于专门的实验室，无法扩展到一般用途。在这里，我们展示了一种光子芯片上灵敏度为十亿分之一的折射率气体传感器，该光子芯片基于用中孔二氧化硅顶包层功能化的氮化硅波导。通过监测集成不平衡马赫-曾德尔干涉仪的输出光谱模式来检测低浓度化学蒸气，该干涉仪的一个涂层臂暴露在气体蒸气中。我们分别对丙酮、异丙醇和乙醇获得了 65 ppb、247 ppb 和 1.6 ppb 的检测限。据我们所知，我们的片上折射率传感器基于光子集成电路提供了前所未有的低气体浓度检测限。因此，我们的研究结果预示着用于现场实时环境监测和医疗诊断的紧凑、便携和廉价设备的实现。
用于大规模集成光子学的微转移打印
1. 通过微转移印刷将 O 波段 InP 蚀刻面激光器边缘耦合到 SOI 上的聚合物波导，载于 IEEE 量子电子学杂志，2020 年 2. R. Loi 等人，“硅光子学基板上的电子集成电路微转移印刷”，载于 ECIO 2022 会议。2022 年 5 月。 3. 欧盟热门项目 4. 利用微转移印刷实现氮化硅上 VCSEL 光子集成电路。”Optica 8.12 (2021): 1573-1580。 5. 通过转移印刷在硅上实现低功耗光互连以用于光隔离器。”Journal of Physics D: Applied Physics 52.6 (2018)。 6. 将高效 GaAs 光伏电池微转移印刷到硅上以实现无线电源应用。”先进材料技术 5.8 (2020): 2000048。