本研究项目旨在开发一种安全有效的大量 HCDS 液体处理方法。所提出的方法是一个两阶段过程,包括在水中直接水解 HCDS 液体,然后用氢氧化钾 (KOH) 水溶液对水悬浮液中的水解产物进行碱性裂解。在第一阶段,HCDS 液体直接在水中水解。所需的 HCDS 与水的重量比为 1:25。在水解过程中,反应温和,不会产生明显烟雾。在水中水解的液体 HCDS 水解沉积物的红外光谱中仅在 915 cm -1 处观察到一个新峰,这可能归因于簇中存在小的氧化硅分子。经确定,与在潮湿空气中形成的其他水解沉积物不同,在水中形成的液体 HCDS 水解沉积物在环境条件下易与碱性溶液反应,同时释放氢气。在第二阶段,加入 KOH 水溶液 (20 wt%) 以中和悬浮液。KOH 与 HCDS 所需的重量比为 2:1,最终 pH 值约为 12.6。残留沉积物在两小时内完全溶解。关键词:六氯乙硅烷、HCDS、水解沉积物、冲击敏感、处置。
摘要:硅烷是工业和合成化学中的重要化合物。在这里,我们开发了一种通用方法,用于通过易于使用的氯烷烷的还原激活来合成disilanes,以及线性和环状寡素。水莲阴离子中间体的有效和选择性产生,这些中间体很难通过其他方式实现,可以通过异耦合综合各种新型的寡硅烷。特别是,这项工作为多种功能化的旋风硅烷提供了模块化的合成,这可能会引起具有线性硅烷具有不同特性的材料,但仍然具有挑战性的合成靶标。与传统的wurtz耦合相比,我们的方法具有较温和的条件和改善的化学选择性,扩大了在寡硅烷制备中兼容的官能团。计算研究支持了一种机制,从而在电化学驱动的自由基偏斜机制中实现了在空间和电子上不同的氯烷差异激活的机制。
5.1。一般描述和预期用途HI97771是一种自动诊断便携式光度计,从Hanna®年代作为分析仪器制造商的经验中受益。它具有高级光学系统,该系统使用发光二极管(LED)和狭窄的带干扰过滤器,该过滤器允许准确且可重复的读数。光学系统与外部灰尘,污垢和水密封。仪表使用一个独特的正锁定系统来确保每次将比色杯放置在相同位置的架中。使用CAL Check™功能,用户可以随时验证乐器的性能并应用用户校准(如有必要)。HannaInstruments®CalCheck Cuvettes由NIST可追溯标准制成。内置教程模式可以通过测量过程逐步指导用户。它包括样品制备,所需试剂和数量的所有步骤。HI97771米的测量为0.00至5.00 mg/L(ppm),总氯从0到500 mg/L(ppm)。游离氯的方法是美国EPA方法330.5,DPD色彩法的适应。总氯的方法是对水和废水检查的标准方法的适应,第20版,4500-CL。
我们是一个全球团队,我们有一个共同的目标:为世界水资源挑战创造先进的技术解决方案。开发新技术以改善未来水资源的使用、保护和再利用方式是我们工作的核心。我们的产品和服务在公共事业、工业、住宅和商业建筑服务环境中移动、处理、分析、监测和将水返回环境。Xylem 还为水、电和燃气公用事业提供领先的智能计量、网络技术和高级分析解决方案组合。在 150 多个国家/地区,我们与客户建立了牢固的长期关系,他们知道我们拥有领先的产品品牌和应用专业知识的强大组合,并且高度重视开发全面、可持续的解决方案。
氯喹和羟氯喹也已被指出为covid-19。两者都在预防和治疗疟疾和自身免疫性疾病(例如慢性多性关节炎) - 类风湿关节炎以及少年特发性关节炎和红斑狼疮。及其基于这种自身免疫性活性,它已经开始考虑其在治疗冠状病毒感染1中的使用,也已在SARS流行病和Zika 2病毒中使用。在SARS-COV-19 1上,这些分子在各种方面作用,例如预防病毒进入细胞,防止其复制,并最终作用于负责这种疾病加重的无性反应。在批准的指示中使用这两种药物有广泛的经验,因此众所周知其安全性。实际上,所有欧洲人都参观疟疾的地方性地理区域,以氯喹进行数十年的预防,并在返回后持续2个月。目前使用羟氯喹,因为它在自身免疫性疾病中具有较大的应用。
在2021年,据估计,诸如聚乙烯基氯和环氧树脂之类的建筑应用是氯的最大需求。目前,氯气被氯 - 烷烃制造设施广泛用于衍生化学生产,这一过程称为圈养消耗。总生产的一部分(估计为36亿千克或2022年的32%)注定在商家市场上出售。商人市场的氯需求,氧化丙烷的产量占百分比最大的。水处理(包括工业应用)是商户市场氯第二大使用。据估计,在2022年,所有国内生产中的水处理(包括工业应用)将占9%(1.039 m kg,11.4 b kg),占商户市场购买的氯的27.2%。市政废水和饮用水应用预计将占水处理需求的60%(628 m kg),约占所有国内生产的氯的消费量的5%。预期的628 m千克对水处理应用的需求,市政废水和饮用水的需求分别为67%和33%(Kreuz等,2022)。
薄膜................................................ .薄膜形成.................................... 6 凝聚和成核........................... 7 薄膜生长.................... ■ ................... 13 岛状阶段................................... 14 聚结阶段................................... 14 通道阶段.................... 即连续膜................................... , 1 6 生长模式........................................ 17 外延生长........................................ 19 薄膜分析技术................................... 2 0 X 射线衍射................................ 20 衍射仪方法................................... 22 薄层电阻................................... 23 四点探针法....... ' .............. 23 扫描电子显微镜.......................................2 6 俄歇电子能谱................................... 2 9 薄膜厚度测量....................... ..34 化学气相沉积.............'.................... 37 CVD 的基本步骤 .............................. 3 8 CVD 的实验参数 .................... 39 沉积温度 ........ 39 气体流速 .............................. 44 晶体取向 .............................. 47 基材位置 .............................. 48 反应物分压。................... 49 表面积 .............................. 49 化学气相沉积反应器 ................ 49 热壁反应器 ............................. 50 冷壁反应器 ............................. 50 大气压反应器 ............................. 50 低压 CVD 反应器。..'................. 52 等离子体增强 CVD 反应器 ............................. 54 光子诱导 CVD 反应器。.................. 55 钨的化学气相沉积 ................. .56 钨的 CVD 反应 .......................... 59 WF 6 的 Si 还原 ................................ 61