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World File Search System汤姆逊
脉冲功率驱动的高能量密度物理实验中的集体光学汤姆逊散射（特邀）
光学集体汤姆逊散射用于诊断伦敦帝国理工学院 Magpie 脉冲功率发生器的磁化高能密度物理实验。该系统使用来自 Nd:YAG 激光的 2 次谐波的放大脉冲（3 J、8 ns、532 nm）来探测各种高温等离子体物体；密度在 10 17 -10 19 cm -3 范围内，温度在 10 eV 到几 keV 之间。散射光从等离子体内 100 µ m 级体积中收集，然后成像到光纤阵列上。多个收集系统从不同方向观察这些体积，同时使用不同的散射 K 矢量（和不同的相关 α 参数，通常在 0.5 – 3 范围内）进行探测，从而可以独立测量大量等离子体流的不同速度分量。光纤阵列与带有门控 ICCD 的成像光谱仪耦合。该光谱仪配置为观察集体汤姆逊散射光谱的离子声波 (IAW)。用理论谱密度函数 S ( K , ω ) 拟合光谱可测量局部等离子体的温度和速度。拟合受到激光干涉仪对电子密度的独立测量以及不同散射矢量的相应光谱的限制。这种 TS 诊断已成功应用于广泛的实验，揭示了磁化冲击、旋转等离子体射流和内爆线阵列内的温度和流速转变，以及提供磁重联电流片内漂移速度的直接测量。I. 简介
2025 年购买指南 - 美国低温学会
富兰克林·米勒是威斯康星大学麦迪逊分校机械工程系副教授。在加入该大学任教之前，米勒教授曾在 NASA 戈达德太空飞行中心的低温工程部门工作。在 NASA 任职期间，他致力于开发用于太空飞行任务的冷却系统，包括詹姆斯·韦伯太空望远镜上运行的系统。米勒教授拥有麻省理工学院机械工程博士学位和物理学辅修学位。他的博士研究工作包括模拟超流体 3He-4He 混合物的热力学行为以及开发一种用于低于 1 开尔文冷却的新型超流体焦耳-汤姆逊制冷循环。米勒教授指导过 23 名硕士生和 14 名博士生。自 2009 年以来，他还担任低温工程会议董事会成员，并担任 2013 年低温工程会议的项目主席
标题：等离子体-半导体界面处的电离波 名字：David 姓名：PAI 实验室：等离子体物理实验室 (LPP) Ema
标题：等离子体-半导体界面处的电离波 名字：戴维 姓名：PAI 实验室：等离子体物理实验室 (LPP) 电子邮件：david.pai@lpp.polytechnique.fr 网页：https://www.lpp.polytechnique.fr/-David-Pai- 研究领域： 主要领域：激光和等离子体物理 次要领域：材料科学 方法：大气压等离子体、表面等离子体、纳秒放电、等离子体诊断（例如光发射光谱、电场诱导的二次谐波产生、汤姆逊散射）、材料化学诊断（例如拉曼和光致发光光谱） 博士课程主题：等离子体-表面相互作用是许多类型等离子体物理学的关键要素。对于非平衡等离子体，其中电子的温度比原子和分子的温度高得多，一种常见的现象是表面电离波 (IW)。使用复合材料代替块体金属/电介质作为电极或传播表面可能会产生新的相互作用。特别是，与半导体相关的光电效应可以使基于微电子中常用的绝缘体上硅 (SOI) 技术的 IW 沿表面传播均匀化。我们的假设是气相和电子空穴 IW 沿 SOI 界面相邻地共同传播。
通过离子加热实现横束能量转移饱和
在激光驱动惯性约束聚变 (ICF) 中，高强度激光用于驱动胶囊达到核聚变所需的压力和温度条件 [1]。这需要多束重叠的激光束在聚变胶囊周围的等离子体中传播。等离子体介导激光束之间的能量转移，这可能会破坏能量耦合和/或导致辐照不均匀性 [2, 3]。为了解释这种跨光束能量转移 (CBET)，在用于模拟 ICF 实验的流体动力学代码中实现了线性模型 [4, 5]。预测这种能量转移的能力对于所有激光驱动 ICF 概念的成功都至关重要。光束之间的功率传输对等离子体条件很敏感。图 1(a) 突出显示了 CBET 对离子温度的敏感性，强调了准确的模型在确定等离子体条件以预测其对内爆的影响方面的重要性。等离子体条件的不确定性导致在建模和实验可观测量之间隔离误差的挑战 [6]，这使人们很难理解线性 CBET 理论的局限性 [7]。粒子内模拟表明，当离子声波被驱动到大振幅时，非线性效应将改变能量传递，导致偏离线性 CBET 理论 [8, 9]。早期的实验似乎证实了这一情况，表明需要非线性物理来模拟相互作用，但这些实验主要依靠流体动力学建模来确定等离子体条件 [10, 11]，而由于等离子体条件的不确定性，对饱和物理的理解难以捉摸。迄今为止最完整的研究使用电子等离子体波的汤姆逊散射来测量电子温度和密度，同时测量能量传递 [12, 13]。在较小的离子声波振幅（δn/ne < 1%）下，这些实验可以通过线性 CBET 理论很好地建模，但对于较大的离子声波
光学低温冷却器设计及太空应用演示
固体光学制冷或固体激光冷却是一项突破性技术，通过用合适波长的红外激光照射稀土离子掺杂晶体，可达到低温（低于 120 K -150 K）。在基态和激发离子态之间的间隙波长附近激发这种晶体，可以主要刺激反斯托克斯发射过程，即晶体重新发射比其吸收更多的光，从而冷却下来。基于这一革命性原理的低温冷却器有可能简化或实现许多仪器应用，而传统机械低温冷却器（例如：斯特林/脉冲管、焦耳-汤姆逊、涡轮-布雷顿）的振动和笨重是这些应用的障碍。历史上主要的目标应用是冷却地球观测卫星上的探测器，特别是最敏感的仪器，因为振动会对性能产生不利影响，或者冷却微型卫星或纳米卫星等小型卫星，因为这些卫星的有效载荷有限，相关限制也很强。这篇论文是法国液化空气先进技术公司 (Sassenage) 与法国国家科研中心 (格勒诺布尔) 尼尔研究所之间的合作项目。我的论文的第一个目标是首次在欧洲展示用于太空应用的激光低温冷却器原型的运行。三年内，我们成功设计、开发和运行了能够达到低温的激光冷却器实验室原型，从而使这项技术达到了 TRL 3 成熟度。比萨大学为我们的实验借出的掺杂 7.5% 镱的 YLiF 4 冷却晶体能够在约 30 分钟内冷却至接近 130 K (-153 °C) 的温度，吸收 10 W 激光功率。在我们的系统中，激光通过光纤供给冷却晶体，以便考虑到卫星应用中的一些限制，这在世界范围内尚属首创。我的论文的第二个目标是研究激光低温冷却器对未来地球观测卫星的可行性和适用性。基于小型低地球轨道红外观测卫星的电源架构，我们在整个卫星的尺寸、重量和功率方面比较了激光低温冷却器解决方案与基于脉冲管的解决方案的平衡。我们表明，激光低温冷却器是一个紧凑型系统，除了其他优点之外，还可以节省有效载荷部分的内部体积和质量。由于该技术具有光学和非接触特性，激光低温冷却器体积小、无振动，热损失小。因此，这项工作为未来太空应用开辟了新的光学低温冷却器系列。
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1702A Intel 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V 1302A Intel 1702 适配器 256 x 8 2048 24 ROM 需要适配器，U = -9V 1602A Intel 1702 适配器 256 x 8 2048 24 PROM 需要适配器，U = -9V Am1702A AMD 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V MM1702A National 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V 1702A Signetics 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V U501 (DDR) 1702 适配器 256 x 8 2048 24 ROM 需要适配器，U = -9V U551 (DDR) 1702 适配器 256 x 8 2048 24 PROM 需要适配器，U = -9V U552 (DDR) 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V К505РР1 (UdSSR) 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V，未经测试 2704 2704 X 512 x 8 4096 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12/22=Vss, 未经测试 2704 Intel 2704 X 512 x 8 4096 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12/22=Vss, 未经测试 CDP1832 RCA 2704 X 512 x 8 4096 24 EPROM 24=Vcc, 21=nc, 19=nc, 12=Vss, 仅 5V, 未经测试 MM4204 National 2704 适配器 512 x 8 4096 TS 24 EPROM U = -12V, 5V, 使用 2704 设置适配器 MM5204 National 2704 适配器 512 x 8 4096 TS 24 EPROM U = -12V, 5V, 使用 2704 设置适配器 2708 Intel 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss F2708 Fairchild 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MCM2708 Motorola 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MCM68708 Motorola 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MM2708 National 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss NTE2708 NTE 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MSM2708 Oki 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss TMS2708 Texas Instruments 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss CDP1834 RCA 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=nc, 19=nc, 12=Vss, 仅 5V，未经测试 U505 (DDR) 2708 X 1k x 8 8192 24 ROM 仅 5V U555 (DDR) 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss K573RF1 (UdSSR) 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd,12=Vss 2716 英特尔 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM Am2716 AMD 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM Am4716 AMD 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM NMC27C16 仙童 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MBM2716 富士通 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM HN462716 日立 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MMN2716 微电子 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM M5L2716 三菱2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MCM2716 摩托罗拉 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM 27C16 国家 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MM2716 国家 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM uPD2716 NEC 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM NTE2716 NTE 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MSM2716 Oki 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM M2716 ST 微电子 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM TMM323 东芝 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM TMS2516 德州仪器 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM ET2716 汤姆逊 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM U556 (DDR) 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM K573RF2 (UdSSR) 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM TMS2716 摩托罗拉 TMS2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM 12=Vss、19=Vdd、21=Vbb、24=Vcc TMS2716 德州仪器 TMS2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM 12=Vss, 19=Vdd, 21=Vbb, 24=Vcc 2732 Intel 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM Am2732 AMD 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM F2732 Fairchild 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM NMC27C32 Fairchild 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM MBM2732 Fujitsu 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM CDM5332 GE 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732 Ro9333 GI 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732，当 18/20=LOW 时可读取 Ro9433 GI 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732，当 18/20=LOW 时可读取 HN462732 Hitachi 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM 2732A Intel 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM M5L2732 Mitsubishi 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM NMC27C32 National 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM uPD2732 NEC 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM M2732 ST 微电子 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM TMM2732 东芝 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM TMS2732 德州仪器 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM WS57C43 WSI 2732 X 4k x 8 32768 24 PROM 兼容 2732，当 18=HIGH、20=LOW 时可读取 U2732 (DDR) 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM 2333 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732，当 18/20=LOW 时可读 2764 Intel 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM Am2764A AMD 2764 X 8k x 8 65536 28 PROM MBM2764 Fujitsu 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM HN482764 Hitachi 2764 X 8k x 8 65536 28 ROM 2764A Intel 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM MK37000 Mostek 2764 X 8k x 8 65536 28 ROM 1/26/27=nc M2764A ST Microelectronics 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM U2764 (DDR) 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM TMS2564 德州仪器 TMS2564 X 8k x 8 65536 28 EPROM 27128 英特尔 27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM Am27128A AMD 27128 X 16k x 8 131072 28 PROM M27128A ST 微电子 27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM 27256 英特尔 27256 X 32k x 8 262144 28 EPROM 6212424 AMD 27256 X 32k x 8 262144 28 EPROM Am27256 AMD 27256 X 32k x 8 262144 28 PROM NM27C256 National 27256 X 32k x 8 262144 28 EPROM NMC27C256 National 27256 X 32k x 8 262144 28 EPROM 27256 GI 27256 X 32k x 8 262144 28 EPROM 27512 Intel 27512 X 64k x 8 524288 28 EPROM A276308 Amic 27512 X 64k x 8 524288 28 EPROM M27512 ST Microelectronics 27512 X 64k x 8 524288 28 EPROM 27010 271001 X 128k x 8 1 MBit 32 EPROM AT27C010 Atmel 271001 X 128k x 8 1 MBit 32 EPROM
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National 2704 适配器 512 x 8 4096 TS 24 EPROM U = -12V, 5V, 使用 2704 设置和适配器 2708 Intel 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss F2708 Fairchild 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss F2708 Fairchild 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MB8518 Fujitsu 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss SFF71708 Mostek 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MCM2708 摩托罗拉 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MCM68708 摩托罗拉 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MM2708 National 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss NTE2708 NTE 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MSM2708 Oki 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss TMS2708 德州仪器 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MSM3758 Oki 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss, 未经测试 CDP1834 RCA 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=nc, 19=nc, 12=Vss, 仅 5V, 未经测试 U505 (DDR) 2708 X 1k x 8 8192 24 ROM 仅 5V U555 (DDR) 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss K573РΦ1 (UdSSR) 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss K573RF1 (UdSSR) 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd,12=Vss 2716 英特尔 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM Am2716 AMD 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM Am4716 AMD 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM NMC27C16 仙童 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MBM2716 富士通 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM HN462716 日立 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MMN2716 微电子 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM M5L2716 三菱2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MCM2716 摩托罗拉 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM 27C16 国家 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MM2716 国家 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM uPD2716 NEC 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM NTE2716 NTE 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MSM2716 Oki 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM M2716 SGS 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM M2716 ST 微电子 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM TMM323 东芝 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM TMS2516 德州仪器 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM ET2716 汤姆逊 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM U556 (DDR) 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM K573RF2 (UdSSR) 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM TMS2716 摩托罗拉 TMS2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM 12=Vss， 19=Vdd， 21=Vbb, 24=Vcc TMS2716 德州仪器 TMS2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM 12=Vss, 19=Vdd, 21=Vbb, 24=Vcc 2732 英特尔 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM Am2732 AMD 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM F2732 飞兆半导体 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM NMC27C32 飞兆半导体 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM MB8532 富士通 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM MBM2732 富士通 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM CDM5332 GE 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732 Ro9333 GI 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732，当 18/20=LOW 时可读取 Ro9433 GI 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732，当 18/20=LOW 时可读取 HN462732 Hitachi 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM 2732A Intel 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM M5L2732 Mitsubishi 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM NMC27C32 National 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM uPD2732 NEC 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM M2732 ST Microelectronics 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM TMM2732 Toshiba 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM TMS2732 Texas Instruments 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM WS57C43 WSI 2732 X 4k x 8 32768 24 PROM 与 2732 兼容，当 18=HIGH、20=LOW 时可读取 U2732 (DDR) 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM 2333 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732,当 18/20=LOW 时可读 2764 Intel 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM Am2764A AMD 2764 X 8k x 8 65536 28 PROM MBM2764 Fujitsu 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM MBM27C64 Fujitsu 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM HN482764 Hitachi 2764 X 8k x 8 65536 28 ROM 2764A Intel 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM MK37000 Mostek 2764 X 8k x 8 65536 28 ROM 1/26/27=nc NMC27C64 National 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM M2764 SGS-Thomson 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM M2764A ST Microelectronics 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM U2764 (DDR) 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM TMS2564 Texas Instruments TMS2564 X 8k x 8 65536 28 EPROM 27128 Intel 27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM Am27128A AMD 27128 X 16k x 8 131072 28 PROM MBM27128 富士通27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM HN4827128 日立 27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM NM27C128 National 27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM UPD27128 NEC 27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM M27128A ST Microelectronics 27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM TMM24128 东芝 27128 X 16k x 8 131072 28 PROM 未经测试 27256 Intel 27256 X 32k x 8 262144 28 EPROM 6212424 AMD 27256 X 32k x 8 262144 28 EPROM