摘要。氮化钛的应用涵盖了微电子、生物医药等不同行业。本文介绍了不同沉积条件下氮化钛薄膜的结构和光学特性分析。样品采用直流磁控溅射沉积在硅基片上。沉积在室温下进行,在预热至 300°C 的基片上进行,在分别以 -40 V 和 -90 V 极化的基片上进行。结果表明,当沉积在室温下进行时,结构取向与沉积过程存在依赖性。当沉积在预热的基片上进行时,没有结构取向。基片的负极化导致小尺寸晶体的形成。至于光学特性,薄膜表现出良好的半导体特性和低反射率。
研究沉积档案中抗生素耐药基因(ARGS)的发生提供了重建历史(即非人性化来源)Args的分布和传播的机会。尽管在淡水环境中的ARG引起了极大的关注,但几个世纪以来几个世纪以来,多样性和丰富性的历史差异仍然很大程度上是未知的。在这项研究中,我们研究了过去600年的成谷湖沉积物中发现的细菌群落,ARG和移动遗传因素(MGE)的垂直变化模式。在保存在沉积物中的抵抗中,发现177个Args亚型,氨基糖苷和多药耐药性最丰富。上层沉积物层中的Arg丰度(等效于1940年代以来抗生素时代)低于抗生素时代期间的Arg丰度,而在后抗生体时代,ARG的多样性较高,可能是因为在最近的几十年中,人类诱导的综合疗法促进了BAC的促进和替代品的剂量。统计分析表明,MGE的丰度和细菌群落结构与ARG的丰度和多样性显着相关,这表明ARG的发生和分散性可能会通过MGE在不同细菌之间传递。我们的结果为淡水环境中ARG的自然历史提供了新的观点,对于理解暂时性的基因和ARG的传播至关重要。
摘要以其几何自由度和准确性而闻名的激光粉床融合(LPBF)以及以高堆积速率而闻名的基于喷嘴的激光金属沉积工艺(LMD)的组合具有减少大型金属零件的添加性制造时间的巨大潜力。对于LPBF-LMD混合过程链的工业应用,有必要研究LMD过程对LPBF底物的影响。此外,构建板材还对沿添加剂制造工艺链的失真发生有很大的影响。在文献中,钢制构建板经常用于Inconel 718的基于激光的添加剂制造过程中,因为可以确保良好的冶金结合,同时降低制造板的生产和恢复成本。本文研究了由LMD材料沉积引起的变形以及沿混合添加剂制造工艺链的构建板材料的影响。双悬臂是由LPBF制造的,随后将一层放置在LMD中。失真均在井期和热处理后的状态下测量。确定不同LMD孵化策略对失真的影响。实验是使用镍基合金inconel 718进行的。结果显示了LMD路径策略对失真的显着影响,较短的工具路径会导致失真较少。热处理后的剩余失真在很大程度上取决于构建板的材料。
摘要Burckhardt Compression Holding AG总部位于温特图尔,是一家具有国际活跃的往复式压力机制造商,在其Laby®往复式压缩机中使用三件式活塞。由于其铸造设计,活塞的重量很高,这限制了活塞的大小,特别是对于大直径。因此,正在寻找解决方案在轻质设计中使用金属添加剂制造工艺制作活塞,以抵消这些挑战。在各个科学和工业领域应用的减轻体重的创新技术之一是激光直接金属沉积(DMD)。因此,一个项目是从Burckhardt压缩开始的,以降低质量,从而实现更高的工作速度。这项研究提供了一个工作流程,可通过直接金属沉积(DMD)制造1.4313的轻质活塞,直径约为342 mm,高度为140 mm。活塞的特征是不同的片段,这些片段在传统上和附加性制造中以克服机器限制。活塞皇冠被连接到添加剂制造的部分,并由CO 2激光焊接密封。降低DMD的激光功率可降低温度,因此,锰和硅的氧化和降低载气流量可提高堆积速率,并降低了湍流诱导的氧化。每层交替的进料方向提高了几何准确性,并避免了在锋利的角落积累的材料。一种方法被发现在堆积方向上定量地表明半径的几何精度。选择了激光焊接的焊接类型和接缝以实现良好的力流;但是,需要夹紧装置。为了减少隐藏的T关节的缺口效应,考虑了双重焊接策略。该设计使40%的重量减轻,与铸件活塞相比,重量为40 kg,重量为24千克。的金理分析和3D扫描。该研究显示了DMD的局限性和挑战以及如何通过部分分割克服机器的局限性。
开发了一种用于低温沉积二氧化硅的新光化学反应。在此过程中,硅烷在真空紫外线照射下与二氧化氮发生反应。报告了在 1006C 下生长的薄膜的电气和机械性能。硅上金属氧化物半导体结构的电容电压测量表明界面态密度 <5 10 11/cm 2。讨论了几种可能的反应机制,并提出了表明表面光化学可能是
[1] Iranipour N,Azari Khosroshahi R,Parvini Ahmadi N.对WE43 WE43镁合金的电气NI-P沉积研究。冲浪。外套。技术。205(2010)2281-2286。[2] Mu S,Li N,Li D等。腐蚀行为和铬酸盐无源膜在电ni-p涂层上的组成分析。应用。冲浪。SCI。 256(2010)4089-4094。 [3] Sankara Narayanan T S N,Baskaran I,Krishnaveni K等。 电气Ni-P渐变涂层的沉积及其耐腐蚀性的评估。 冲浪。 外套。 技术。 200(2006)3438-3445。 [4]TakácsD,SzirákiL,TörökTI等。 预处理对沉积在Almg2合金上的电溶液Ni – P层腐蚀特性的影响。 冲浪。 外套。 技术。 201(2007)4526-4535。 [5] Zhang H,Wang S,Yao G等。 在MG-10LI-1ZN合金上进行电静电板。 J. 合金。 474(2009)306-310。 [6] Chen C J,Lin K L.无定形Ni-Cu-P合金在铝上的内部应力和粘附。 薄膜SCI。256(2010)4089-4094。 [3] Sankara Narayanan T S N,Baskaran I,Krishnaveni K等。 电气Ni-P渐变涂层的沉积及其耐腐蚀性的评估。 冲浪。 外套。 技术。 200(2006)3438-3445。 [4]TakácsD,SzirákiL,TörökTI等。 预处理对沉积在Almg2合金上的电溶液Ni – P层腐蚀特性的影响。 冲浪。 外套。 技术。 201(2007)4526-4535。 [5] Zhang H,Wang S,Yao G等。 在MG-10LI-1ZN合金上进行电静电板。 J. 合金。 474(2009)306-310。 [6] Chen C J,Lin K L.无定形Ni-Cu-P合金在铝上的内部应力和粘附。 薄膜256(2010)4089-4094。[3] Sankara Narayanan T S N,Baskaran I,Krishnaveni K等。电气Ni-P渐变涂层的沉积及其耐腐蚀性的评估。冲浪。外套。技术。200(2006)3438-3445。[4]TakácsD,SzirákiL,TörökTI等。预处理对沉积在Almg2合金上的电溶液Ni – P层腐蚀特性的影响。冲浪。外套。技术。201(2007)4526-4535。[5] Zhang H,Wang S,Yao G等。在MG-10LI-1ZN合金上进行电静电板。J.合金。474(2009)306-310。[6] Chen C J,Lin K L.无定形Ni-Cu-P合金在铝上的内部应力和粘附。薄膜
GM1 神经节苷脂沉积症 (GM1) 是一种罕见但致命的神经退行性疾病,由溶酶体酶 β-半乳糖苷酶功能障碍或缺乏产生导致底物积累。GM1 最有希望的治疗方法包括酶替代疗法 (ERT)、底物减少疗法 (SRT)、干细胞疗法和基因编辑。然而,由于血脑屏障 (BBB) 的限制性,神经性 GM1 的有效性有限。ERT 和 SRT 通过在患者一生中补充外源性物质来缓解底物积累,而基因编辑可以治愈,修复致病基因 GLB1 ,使内源性酶活性得以实现。干细胞疗法可以结合两者,通过体外基因编辑细胞来产生酶。这些方法需要特别考虑脑部输送,这导致了新配方的产生。一些治疗干预措施已进入早期临床试验阶段,为改善 GM1 的临床管理带来了光明的前景。
摘要 — 增材制造工艺是第四次工业革命时代先进工程制造工艺的关键之一。熔融沉积成型 (FDM) 和选择性激光烧结 (SLS) 是两种可用于快速成型的增材制造 (AM) 技术。本综述研究证明了熔融沉积成型和选择性激光烧结作为汽车和航空航天可互换零件制造中先进技术开发的可行设备的重要性。本文还讨论了这两台机器对制造技术进步的影响。研究结果证明了熔融沉积成型和选择性激光烧结在制造业中高效和成功生产的巨大益处,以及两者的应用。本文的目的是总结熔融沉积成型和选择性激光烧结作为先进制造技术进步的重要技术工具。研究强调了许多优点和应用,包括耐用性、易用性、更低的生产成本、更短的制造过程交付周期、易于处理复杂的型腔和几何形状、多种高性能、更低的工具成本、生产定制产品以及开发小批量生产、桥梁制造、工程模型、测试和高温应用,以便快速将产品推向市场。
本研究采用定向能量沉积(DED)工艺来增材制造钴铬合金材料,该材料常用于模具、牙科/骨科医疗应用、车辆和飞机。利用DED技术获得的沉积质量受工艺参数的影响。因此,本实验的目的是评估激光功率、激光头移动速度和送粉速率等参数变化引起的微观结构变化,以改善和优化堆叠质量。利用光学显微镜分析了微观结构的形状、热影响区和稀释率。此外,还计算了全局能量密度(GED),因为它会影响3D打印产品的质量。通过计算不同工艺条件下的GED,确定DED方法的最佳工艺条件。
尽管成本高昂且耗时,但仍可在地面设施中评估功率 MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管) 中重离子诱导的单粒子烧毁 (SEB) 风险。因此,很少有实验研究专门研究与描述离子诱导 SEB 现象相关的相关参数。在本文中,使用几种离子能量组合研究了低压功率 VDMOSFET (垂直双扩散 MOSFET) 中的重离子诱导 SEB。进行了自洽统计分析,以阐明电荷沉积与 SEB 触发之间的关系。将实验数据与文献中的功率 MOSFET 中 SEE (单粒子效应) 最坏情况预测模型进行了比较,首次支持其与 SEB 机制中最坏情况预测的相关性。