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World File Search System沟槽
S/2025/6安全理事会
10。在Varosha中，没有采取任何步骤来解决安全理事会在其第2723号决议（2024）中要求立即撤销自2020年10月以来采取的措施的呼吁。 Unficyp在2021年7月宣布的Varosha面积的3.5％没有发生任何重大变化，该地区已经取消了军事身份以准备进行装修；但是，该任务访问该领域的访问量有限。 在报告期间，Unficys观察到在Varosha中安装了八台新相机，并与另外一台监视塔一起抗议。 没有观察到先前报道的沟槽和堤防系统由沃罗萨（Varosha）建筑部分以南建立的沟槽和堤坝系统，并沿着北部停火线延伸了近4公里。 由于其靠近缓冲区，这仍然是军事侵犯。 许多游客还继续访问该镇的部分地区，使公众逐渐访问。 先前报道的植被清理，电气工作，道路铺路和围栏建筑继续进行。 不合格再次观察到重复使用商业无人机飞行。 自1974年以来，Unficyp Patrols访问Varosha的整个区域。。在Varosha中，没有采取任何步骤来解决安全理事会在其第2723号决议（2024）中要求立即撤销自2020年10月以来采取的措施的呼吁。Unficyp在2021年7月宣布的Varosha面积的3.5％没有发生任何重大变化，该地区已经取消了军事身份以准备进行装修；但是，该任务访问该领域的访问量有限。在报告期间，Unficys观察到在Varosha中安装了八台新相机，并与另外一台监视塔一起抗议。没有观察到先前报道的沟槽和堤防系统由沃罗萨（Varosha）建筑部分以南建立的沟槽和堤坝系统，并沿着北部停火线延伸了近4公里。由于其靠近缓冲区，这仍然是军事侵犯。许多游客还继续访问该镇的部分地区，使公众逐渐访问。先前报道的植被清理，电气工作，道路铺路和围栏建筑继续进行。不合格再次观察到重复使用商业无人机飞行。自1974年以来，Unficyp Patrols访问Varosha的整个区域。
地下电气开发商指南
A.地下电气材料责任指南B.电气设备图形符号C.典型的住宅细分布局D.没有展览 - 剩下的展览 - 供将来使用E.沟槽，导管和回填要求F.沟槽，导管，沟渠和回填充要求（注释）次要手孔安装详细信息 - 草坪； Streetlight Handhole Installation Details – Lawn J. Three-Phase Transformer Pre-Cast Concrete Foundation Details K. Concrete Flat-Pad Foundation Pad-mounted Transformer 75 to 500 kVA, Three- Phase, 34.5 kV & Below High-Side L. Concrete Flat-Pad Foundation Pad-Mounted Transformer 750 to 2500 kVA, Three- Phase, 34.5 kV & Below High-Side M. Concrete Flat-Pad Foundation Pad-Mounted Transformer General Notes N. Manhole＆Equipment Foundation发掘要求摘要O.没有展览 - 剩下的供将来使用
利用焦外扫描光学显微镜和深度学习方法进行 MEMS 高深宽比沟槽三维测量
摘要：高纵横比结构在 MEMS 器件中的重要性日益凸显。对高纵横比结构进行原位、实时关键尺寸和深度测量对于优化深蚀刻工艺至关重要。离焦扫描光学显微镜 (TSOM) 是一种高通量且廉价的光学测量方法，可用于关键尺寸和深度测量。迄今为止，TSOM 仅用于测量尺寸为 1 µ m 或更小的目标，这对于 MEMS 来说远远不够。深度学习是一种强大的工具，它可以利用额外的强度信息来提高 TSOM 的性能。在本文中，我们提出了一种基于卷积神经网络模型的 TSOM 方法，用于测量硅上单个高纵横比沟槽，其宽度可达 30 µ m，深度可达 440 µ m。进行了实验演示，结果表明，该方法适用于测量高纵横比沟槽的宽度和深度，标准偏差和误差约为一百纳米或更小。所提出的方法可应用于半导体领域。
使用 Cl2/Ar/N2 电感耦合等离子体对 SiO2 纳米沟槽上的 TiN 纳米结构进行选择性干法蚀刻
介绍了一种用于在纳米表面结构上制造 TiN 纳米结构的电感耦合等离子蚀刻工艺。使用 Cl 2 /Ar/N 2 等离子体，在 SiO 2 上可实现 50 的选择性。研究了 N 2 流速对蚀刻速率和 TiN 侧壁上非挥发性残留物的影响。当 N 2 流速增加到 50 sccm 时，观察到 TiN 侧壁上非挥发性残留物的沉积发生变化。介绍了用 TiN 纳米结构侧壁制造的 TiN 器件的电流密度-电压特性。分别用低和高 N 2 流速蚀刻的两个不同样品的测量电流密度表明，仅在低 N 2 流速下，清洁后才会在侧壁上沉积一层绝缘层。VC 2015 美国真空学会。 [http://dx.doi.org/10.1116/1.4936885]
海军基地宝藏岛 - Defense.gov
• 施工期间，将使用橙色锥形物、交通路障和警示胶带划分施工区域。挖掘和回填期间，将有旗手在场指挥交通。非工作时间，挖掘区域上方将放置钢制沟槽板。为了您的安全，请给工人留出空间，不要进入该区域。
硅凹陷迹线的制造和建模……
长期植入的神经微电极是神经科学研究和新兴临床应用的有力工具，但由于它们在体内数月后容易失效，因此其实用性受到限制。一种失效模式是保护导电迹线免受盐水环境影响的绝缘材料的降解。研究表明，机械应力会加速材料降解，而机械应力往往集中在凸起的地形上，例如导电迹线。因此，为了避免凸起的地形，我们开发了一种制造技术，将迹线凹进（埋入）干蚀刻、自对准沟槽中。沟槽的深度和迹线的厚度相匹配，以使上覆的绝缘材料平坦，根据有限元建模，这可以降低绝缘材料中的应力集中。在这里，我们详细介绍了工艺优化、固有应力建模以及使用 SEM、聚焦离子束横截面、轮廓测量和电化学阻抗测试进行表征。该技术不需要额外的掩模，易于与现有工艺集成，并产生约 10 纳米内的平整度。
Potter-Burns小学
地面由2,500平方英尺。它还通过在道路上安装街道树木来减少沿着学校场地的人行道上的不渗透人行道。每棵树井都是16平方英尺，沿着人行道（全部位于学校侧）的总共有36个平方英尺，相当于576平方英尺的减少。落水管和沟槽被定向到草坪和植物床上。
Anton-Alexeev-EVG.pdf
缩小 SiPh 封装与晶圆级 HVM 之间的差距 万亿级 PhotonicPlug 和 PhotonicBump：由 NIL 完成 在 SiPh 晶圆上对透镜或镜子等复杂光学微结构进行纳米压印 重要 图案保真度和可重复性 可扩展性 最高对准精度 残留层控制 薄而均匀 光纤沟槽与镜子完美对准
Abigail Nieves Delgado b i o g r a p h y
在这项工作中，我们展示了如何使用A-Lith来制造悬浮的单层石墨烯。通过热蒸发在第二个金属沉积步骤中添加了介电材料（SIO 2），并用作牺牲层。单层CVD石墨烯在金属/介电堆栈上传递的铜箔上生长的cVD石墨烯是在牺牲层的缓冲氧化物蚀刻之后通过临界点干燥步骤释放的。制造过程利用了A-Lith和光刻学，以对大底物上的一系列悬浮石墨烯结构进行模板，其中实现了沟槽宽度与沟槽深度约10的宽高比。这种悬浮的石墨烯设备可以用作机电开关，气体传感器和压力传感器[4]。在以前的工作中，考虑单层石墨烯的屈服强度阻碍了可靠性，这种系统通常依赖于多层石墨烯。基于机电设备的理论模型的沟渠纵横比的仔细设计允许更高的产量，而可以实现的几何形状与低压驱动石墨烯开关兼容[4，5，6]。
地面源热泵和混合系统 - 事实表
GSHP通常被外部热交换系统的类型细分。这包括接地耦合的热泵（GCHP），它们是钻孔或沟槽中的闭环管道系统，地下水热泵（GWHP），它们是带有水井和地表水热泵（SWHP）的开环管系统，它们是封闭式管道管道或开放式式式式旋风或开放式式旋转式或开放式旋风或热量的弹跳弹跳弹跳。