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World File Search System沟槽
找到一种快乐媒介的异质缓存集成
对于高性能计算，希望从整体SOC中分解缓存存储器，并通过异源集成技术重新整合它。将缓存从整体SOC中重新定位会导致降低晚期硅死模尺寸，从而导致较高的产量和较低的成本。在这项研究中，我们评估了使用DECA模制的M-Series™嵌入式缓存扇出溶液之间高端3D硅互连解决方案和低端基板溶液之间差距的方法。deca的M系列芯片首先面对FOWLP平面结构是一个理想的平台，用于构建嵌入式插入器，用于处理器芯片，缓存内存和深沟槽电容器的异质集成。deca的自适应模式®允许扩展到处理器chiplet和缓存内存之间的高密度互连。考虑了嵌入式缓存插波器的三种不同配置。垂直堆叠的面对面配置最小化处理器和高速缓存之间的互连长度，而横向配置为铜堆积的铜堆积提供了铜的互连，从而可以进一步缩放互连间距。这两种配置都有其特定的好处和缺点，这些作品在这项工作中详细描述了。关键词自适应图案，嵌入式缓存插入器，扇出晶圆级包装，异质集成，高性能计算，M系列
改进o 2等离子体蚀刻钻石功率MOSFET制造
为了最大程度地减少或消除沟槽，最好有利于蚀刻过程的化学成分。因此，我们决定继续使用ICP-RIE进行O 2等离子体蚀刻，这是因为在表面形态和各向异性蚀刻方面具有令人鼓舞的结果，因此我们已经研究了血浆参数的影响ICP和偏置功率，尤其是使用两种类型的口罩：铝和硅二氧化物（Sio-dioxide）（Sio 2）。3- O 2在Sentech Si500-Drie设备上进行了用铝面膜钻石蚀刻的等离子体蚀刻。测试样品是（100）方向的单晶CVD钻石底物和元素六的3 x 3 mm 2尺寸。第一步涉及溶剂和酸的化学清洁，以去除可能影响蚀刻和产生粗糙度的污染物。然后将钻石底物涂在光线器上，并用激光光刻降低，以定义掩模图案。然后通过热蒸发沉积700 nm厚的铝面膜。金属薄膜，例如铝，由于其在钻石上的良好粘附性[24]及其良好的蚀刻选择性[25]，因此将其用作单晶钻石蚀刻的硬面膜材料。此外，由于血浆中的寿命不足，尤其是在氧气中，因此与光致剂相比，金属面膜仍然是更好的选择。3.1 o 2等离子蚀刻的p icp = 500W和p偏见= 5W我们研究的第一个蚀刻条件是：p icp = 500 w，p sial = 5 w，压力= 5吨，气体流量= 25 sccm，温度= 18°C。每个蚀刻步骤都限制为30
用于高压功率、高性能 SiC 器件的先进碳膜
关键词：SiC、注入、碳帽、退火、注入、蚀刻我们建议使用高级图案化薄膜 (APF®)，这是一种通过 Applied Producer® 沉积的 PECVD 碳基薄膜系列，用于解决 SiC 器件的几个加工难题：特别是，我们讨论了它作为 (i) 灵活、高质量离子注入掩模的优势，以及 (ii) 在离子注入后高温活化退火期间作为平面和 3D SiC 结构的保护帽层。将 APF 薄膜集成到注入和蚀刻处理块中的好处与普通光刻胶 (PR)、PVD C 帽和 SiO 2 HM 等替代方法进行了对比。碳化硅 (SiC) 具有非常吸引人的特性 1，包括宽带隙（3X Si）、高 E 击穿（10X Si）、高热导率（3X Si 或 GaN）。大尺寸衬底（最大 200 毫米）的出现导致了 SiC 基器件的广泛应用，预计 2027 年的 TAM2 市场规模将达到 63 亿美元。然而，SiC 加工面临着一些独特的挑战，需要解决这些挑战才能充分挖掘这种化合物半导体的潜力。在本文中，我们建议使用高级图案化薄膜 (APF®)，这是一种通过应用材料生产者® 沉积的 PECVD 碳基薄膜系列，可解决几个 SiC 器件加工难题：特别是，我们讨论了它作为（i）灵活、高质量的离子注入掩模，（ii）在离子注入后高温活化退火期间平面和 3D SiC 结构的保护性覆盖层，和（iii）用于改善下一代 SiC 器件的 SiC 沟槽硬掩模 (HM) 图案化的薄膜的优势。在注入和蚀刻处理模块中集成 APF 的优势可与常见光刻胶 (PR)、PVD C-cap 和 SiO 2 HM 等替代方法相媲美。
脉冲 HBr/O–2 等离子体中的硅蚀刻。II. 图案转移
由 HBr/O 2 组成的等离子体通常用于硅蚀刻工艺，如栅极蚀刻工艺或浅沟槽隔离蚀刻，由于人们对此类化学反应中的硅蚀刻相当了解，因此它成为研究等离子体脉冲对气相和等离子体-表面相互作用的影响的最佳选择。目标是了解连续等离子体和脉冲等离子体之间的根本区别，以及等离子体产生的变化如何影响最终的图案转移。在论文 I 中，我们展示了等离子体脉冲对离子通量和离子能量的强大影响。1 结果显示，占空比 (dc) 而不是脉冲频率对这些参数有显著影响。在本文中，我们重点研究等离子体脉冲对 HBr/O 2 等离子体中的蚀刻机制和图案转移的影响。先前的实验已经证明脉冲等离子体中等离子体引起的损伤有所减少，2 – 4 通常通过使用扫描电子显微镜 (SEM) 成像、椭圆偏振测量和 X 射线光电子能谱 (XPS) 对侧壁钝化层 (SPL) 进行形貌分析。许多作者已经研究了 HBr/O 2 等离子体对硅和 SiO 2 的蚀刻机理。5 – 13 下面总结了 Si 和 SiO 2 蚀刻的基本机理，其中考虑了原料气中极小比例的氧气。含溴、氢和（较少量）氧的离子撞击硅表面、分解、破坏键并形成富含卤素的非晶层，也称为反应蚀刻层 (REL)，其中含有 H、Br 和一些 O 原子。非晶层的厚度和成分会根据离子能量、压力和原料气流量而变化。由于氢原子比其他粒子小得多，它们可以更深地渗透到硅层中，然后硅原子可以因碰撞而解吸，或可以融入挥发性物质，如 SiBr 4。含氢分子如 SiH 2 Br 2 的挥发性更强，13 但硅蚀刻并不
低偏压六氟化硫等离子体蚀刻硅的现象学建模
使用六氟化硫 (SF 6 ) 等离子体对硅 (Si ) 进行低偏压蚀刻是制造电子设备和微机电系统 (MEMS) 的宝贵工具。这种蚀刻提供了几乎各向同性的蚀刻行为，因为低电压偏置不会为离子提供足够的垂直加速度和动能。由于这种近乎各向同性的行为，上述等离子体蚀刻可作为湿法蚀刻的替代方案，例如在 MEMS 和光学应用中，因为它提供了更清洁、更精确的可控工艺。然而，各向同性的程度以及最终的表面轮廓仍然难以控制。在这项工作中，我们将三维特征尺度地形模拟应用于 Si 中的低偏压 SF 6 蚀刻实验，以帮助工艺开发并研究控制最终表面几何形状的物理蚀刻机制。我们通过准确再现三个不同的实验数据集并详细讨论地形模拟中涉及的现象学模型参数的含义来实现这一点。我们表明，与传统的严格各向同性和自下而上的方法相比，我们的现象学自上而下的通量计算方法更准确地再现了实验结果。反应堆负载效应被视为模型蚀刻速率的普遍降低，这通过比较不同负载状态下模拟的蚀刻深度与实验确定的蚀刻深度得到支持。我们的模型还能够使用给定反应堆配置的单个参数集，准确地再现不同掩模开口和蚀刻时间的报告沟槽几何形状。因此，我们提出模型参数，特别是平均有效粘附系数，可以作为反应堆配置的代理。我们提供了一个经验关系，将反应堆配方的平均粘附系数与可测量的蚀刻几何各向同性程度联系起来。这种经验关系可以在实践中用于 (i) 估计独立实验的平均有效粘附系数和 (ii) 微调蚀刻几何形状。
功率 SiC MOSFET 在重复性
摘要 本文研究了商用平面和沟槽 1.2 kV 4H-SiC MOFSET 在重复非钳位电感开关 (UIS) 和短路 (SC) 应力下的可靠性。观察到器件特性的退化，包括传输特性、漏极漏电流 Idss 和输出特性。对 400 和 600 V 总线电压进行重复 SC 应力。应力期间总线电压的增加对测试器件的电气性能有更大的影响。在老化实验期间可能会发生热载流子注入和进入沟道区域栅极氧化物的捕获，这被认为是导致电气参数变化的原因。 关键词：可靠性、退化、SiC MOSFET、TrenchMOSFET、重复 UIS、重复短路 介绍 近年来，碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 制造技术已经相当成熟，因此，现在可以从不同的制造商处大量购买 [1]。由于其优异的性能，SiC 器件可用于更高温度、更高开关频率和更高功率密度的应用 [2-3]。尽管如此，在它们完全取代硅 (Si) 器件之前，稳健性和可靠性仍然是这些器件在过流、过温、短路和非箝位电感开关 (UIS) [5] 等多种极端工作条件下的主要问题 [3-4]。随着为降低成本而缩小芯片尺寸的趋势，雪崩稳健性和短路承受能力变得更加关键，因为它们对芯片尺寸设计非常敏感，因为芯片的最大能量密度是固定的。在 UIS 测试中，MOSFET 通常连接到没有反向并联续流二极管的电感，以在关闭器件时换向环路电流。因此，器件必须在工作阶段吸收先前存储在电感中的所有能量。因此，只要存储的能量足够高，MOSFET 就会进入雪崩模式，导致器件结温逐渐升高 [6]。在大电流雪崩操作期间，会产生高浓度的热载流子，这可能会导致界面和绝缘 (氧化物) 层的退化。
家庭装修计划申请...
•维修或更换水和污水系统及其组件：陷阱，通风孔，供应线，排水管线，堆栈，热水器，水龙头，水箱泵，排水瓷砖，化粪池和田野。•修复或更换加热和空调系统及其组件：熔炉，A型线圈，压缩机，恒温器，气管，烟道，烟道，登记册，管道等。•维修或更换电气系统和组件，包括安装新服务。•更换有缺陷的管道固定装置，包括有缺陷的厕所，洗手盆，浴缸，淋浴门，淋浴摊，厕所设施，厨房水槽等。•根除所有严重的昆虫，白蚁和啮齿动物的侵扰。•纠正或修复出口不足的方式。•修复严重恶化的墙壁，墙壁砖，天花板和地板。•修复或更换结构缺陷的混凝土和木制门廊，门廊悬垂，台阶和轨道。•维修或更换成老化，损坏或泄漏的屋顶，包括沟槽，落水器和飞溅盆地•砌体和混凝土扁平工厂，包括tuck缝，烟囱维修，粉底维修，固定墙壁，挡土墙，人行道，车道，车道等。•外墙的修理以使结构可以保持水密状态，不含慢性潮湿，天气连接，包括壁板，铝制旅行包裹等。•需要的所有表面的外部和内部绘画。•一些安全项目，例如锁定升级，plexi玻璃而不是玻璃等。•外门，风暴门，露台门，车库门和开瓶器等。•烟雾探测器和一氧化碳探测器。•安装厨房座柜，壁柜，台面等。•修理现有围栏以及新的围栏和门的安装。•中等景观以纠正问题，例如清除树木（在极少数情况下），分支从房屋中修剪，领带墙，回填，播种等。•修改根据模型能源代码提高结构的成本效益能源效率，包括热替换窗，阁楼和壁绝缘等。•改善房主或其残疾儿童结构的可及性的修改。•符合BOCA基本建筑法规。
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巴伦将单端信号转换为平衡信号，广泛用于射频前端模块，如倍频器、混频器等，它们利用差分信号来消除共模信号并改善端口隔离。巴伦的关键性能规格包括插入损耗、幅度/相位平衡和芯片尺寸。这些参数在毫米波 (MMW) 电路和系统的设计中非常重要 [1]。Marchand 巴伦 [2-10] 利用两个耦合线段，由于其工作带宽宽且易于实现，在 MMW 频率电路设计中得到广泛应用。在 [2] 中，提出了一种基于改进的离中心频率法的非对称宽边耦合 Marchand 巴伦。它实现了 34-110 GHz 的带宽；然而，它的插入损耗很高，平均约为 3 dB。为解决不平衡性能问题，还设计了另一种带有偏置半径线圈的30 GHz至60 GHz变压器巴伦[11]。结果显示，幅度不平衡为0.12 dB，相位不平衡小于1 ◦；但最大插入损耗约为3 dB。一种小型化片上Marchand巴伦[12]基于堆叠螺旋耦合（SSC）结构，带有自耦合补偿线和带深沟槽的中心抽头接地屏蔽，设计用于6.5 GHz至28.5 GHz的宽带工作，但测得的最大插入损耗为3 dB。宽带工作和幅度/相位不平衡一直是先前报道的文献的重点，同时以巴伦插入损耗为代价。在本文中，介绍了一种具有低插入损耗的新型Ka波段Marchand巴伦的设计，同时实现了宽带工作和可接受的不平衡性能。所提出的巴伦采用边耦合和宽边耦合组合结构来增强主信号和次信号之间的耦合，从而在 29.0 GHz 至 46.0 GHz 的 1 dB 带宽内实现了 1.02 dB 的测量低插入损耗。第 2 节介绍了巴伦的详细分析和所提出的巴伦设计，第 3 节讨论了实验结果并与最新技术进行了比较，第 4 节得出结论。
地下服务
后地段配电住宅地下服务布线注意事项：（所有注意事项均参见第 3-1-9 页的后地段 URD 布线指南。）1. 如果存在露台式门或窗墙，则假设将建造露台或甲板。2. 不能在相邻地段上开沟，除非在需要到达基座或变压器的地役权范围内。3. 如果电缆要从现有路面、人行道、车道等下方穿过，则需要使用导管。安装导管时，费用由客户承担。4. 有关布线规格，请参阅 SIM-ESIG 第 3-3-1 至 3-4-1 页。5. 此图显示了从地下住宅配电安装的服务，但也适用于从架空配电安装的地下服务。6. 如果拟建的独立车库与服务基座位于地段的同一侧，则需要 30 英尺的管道来保护车库建设期间的电缆。在物业线内 18 英寸处安装管道。管道由 DTE Electric 提供并安装，费用由客户承担。7. 服务不得对角安装。在物业线内 18 英寸处（不在地役权内）安装与地界平行的电缆，直至与仪表位置垂直。8. DTE 最终可能会将配电线和服务点移至住宅。可接受的仪表位置应为房屋一侧（如有必要，房屋前部也可以）靠近服务基座的区域，距离房屋后部最多 3 英尺。如果建筑物有车道，最好将仪表放置在与车道相反的房屋一侧。尽可能避免使用围栏区域。9. DTE Electric 规划师必须批准可接受区域以外的位置。费用将包括客户提供并安装的管道（带鱼线），从可接受区域的边缘一直延伸到仪表箱，加上拉动客户安装的管道中的服务电缆的不可退还的费用。客户安装的管道的最大弯曲度总计为 270。此数字包括立管处的 90 度弯曲。10. 客户可以选择为新住宅提供沟槽和/或导管
地下服务
地下服务 3-1-8 FEB 16 后地段配电住宅地下服务布线注意事项：（所有注意事项均参考第 3-1-9 页的后地段 URD 布线指南。）1. 如果存在露台式门或窗墙，则假定将建造露台或甲板。2. 不能在相邻地段开沟，除非在需要到达基座或变压器的地役权范围内。3. 当电缆从现有路面、人行道、车道等下方穿过时，需要使用导管。安装导管时，费用由客户承担。4. 有关布线规格，请参阅 SIM-ESIG 第 3-3-1 至 3-4-1 页。5. 本图显示了从地下住宅配电安装的服务，但也适用于从架空配电安装的地下服务。 6. 如果拟建的独立车库与服务基座位于地块的同一侧，则在车库建设期间需要 30 英尺长的管道来保护电缆。在地界内 18 英寸处安装管道。管道由 DTE Electric 提供并安装，费用由客户承担。7. 服务不得对角安装。在地界内 18 英寸处（不在地役权内）安装与地界平行的电缆，直至与仪表位置垂直。8. 可接受的仪表位置应为房屋靠近服务基座一侧的区域，且不超过房屋后部 3 英尺的区域。尽可能避免使用围栏区域。9. DTE Electric 规划师必须批准可接受区域以外的位置。费用将包括客户提供并安装的管道（带鱼线），从可接受区域的边缘一直延伸到仪表箱，加上用于在客户安装的管道中拉服务电缆的不可退还的费用。客户安装的管道的最大弯曲度总计为 270。此数字包括立管处的 90 度弯曲。10. 客户可以选择为新住宅服务提供沟槽和/或导管，前提是其符合上述准则并符合 DTE 电气公司可接受的规格。DTE 电气公司对因使用这些规格而造成的伤害或损害不承担任何责任。SIM-ESIG SIM-ESIG：3-1