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全球南方政治经济的卫生筹资和支出格局——历史和现状
a 日本东京法政大学经济学院比较经济研究所；b 塞尔维亚克拉古耶瓦茨大学全球卫生经济与政策系；c 中国科学院地理科学与自然资源研究所（IGSNRR），中国北京；d 智利塔尔卡大学经济与商学院；e 亚美尼亚埃里温州立医科大学药品管理系；f 葡萄牙里斯本新里斯本大学热带卫生与医学研究所全球健康与热带医学；g 美国纽约州特洛伊微生物生物解决方案公司；h 斯里兰卡努格戈达斯里贾亚瓦德纳普拉大学公共管理系；i 塞尔维亚克拉古耶瓦茨临床中心 COVID 医院；j 尼日利亚奥塔科文大学经济政策与发展研究中心（CEPDeR）经济与发展研究系； k 河内医科大学家庭医学系，越南河内；l 印度甘地讷格尔公共卫生研究所 (IIPHG)，印度甘地讷格尔；m 博克拉大学卫生与相关科学学院 (SHAS)，尼泊尔莱克纳特；n 昆士兰大学公共卫生学院，澳大利亚布里斯班；o 多伦多大学医学系，加拿大多伦多；p 贝勒大学罗宾斯健康与人文科学学院公共卫生系，美国德克萨斯州韦科；q 墨尔本大学西部健康神经病学和中风系，澳大利亚圣奥尔本斯；r 菲利克斯·胡富比和博瓦尼大学经济学系，科特迪瓦阿比让；s 巴基斯坦班努科技大学；t 塞尔维亚克拉古耶瓦茨大学妊娠病理学系
通过控制衬底偏离角来改善垂直 GaN-on-GaN 功率开关器件的晶圆级均匀性
2 法政大学 关键词：GaN-on-GaN、肖特基势垒二极管、均匀性、光致发光、功率器件 摘要 为了大规模生产 GaN-on-GaN 垂直功率器件，n 漂移层在 10 15 cm 3 范围内的净施主浓度 ND NA 的晶圆级均匀性是一个重要因素，因为它决定了击穿电压 VB 。在本研究中，我们通过控制 GaN 衬底的偏角展示了 GaN 肖特基势垒二极管晶圆级均匀性的改善。通过 MOVPE 在具有各种偏角和偏差的独立 GaN 衬底上生长外延结构。使用电容电压测量（C V）、光致发光（PL）和二次离子质谱（SIMS）仔细分析了 ND NA 的变化。与碳有关的NA变化导致了NDNA的不均匀性，而这与晶圆的衬底偏角有关。通过最小化偏角的变化可以提高NDNA的均匀性。引言在GaN衬底上制造的垂直结构GaN功率开关器件对于高效功率转换系统很有前景，因为这些器件提供极低的导通电阻（R on）和高击穿电压（VB）[1-3]。减少对器件成品率和可靠性致命的致命缺陷是一个重要问题。GaN-on-GaN二极管初始故障机理已有报道[4]，其中具有外延坑的二极管在非常低的反向电压下表现出严重击穿。此外，最近有报道称表面粗糙度会影响可靠性[5]。在使用金属有机 (MO) 源引入碳 (C) 杂质时，n 漂移层中的净施主浓度必须控制在 10 15 cm3 范围内才能获得高 VB [6]。通过低施主含量，可以在负偏置条件下抑制 pn 或肖特基界面处的峰值电场 [7, 8]。然而，关于垂直 GaN-on-GaN 器件中净施主浓度的晶圆级均匀性的报道很少。
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