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分析不对称连接中的On-Off电流比...
当不对称连接双门MOSFET制造为SIO 2 /High-K介电堆积的栅极氧化物时，研究了开关电流比的变化。高介电材料具有降低短通道效应的优势，但是由于带偏移的偏移量减少和使用硅的界面性能较差，栅极寄生电流的上升已成为一个问题。为了克服这一缺点，使用了堆叠的氧化膜。电势分布是从柱道方程式获得的，阈值电压是从第二个衍生方法计算得出的，以获取循环。结果，该模型与其他论文的结果一致。随着高介电材料的介电性的增加，开关电流比率增加，但在20或更多的相对介电常数下饱和。开关电流比与上和下高介电材料厚度的算术平均值成比例。SIO 2显示了10 4或更低的开关电流比率，但TIO 2（K = 80）的On-Own电流比增加到10 7或更多。
低功率高速CMOS电流比较器在0.18 µm和0.13 µm技术中，Sunil N. limbachiya 1，priyesh.gandhi 2 1-pg_student，s_nil14@ya
Low Power High Speed CMOS current Comparator in 0.18 µ m and 0.13 µ m Technology Sunil N. Limbachiya 1 , Priyesh.Gandhi 2 1-PG_Student, s_nil14@yahoo.com,LCIT-Bhandu, Gujarat (INDIA) 2-Assistant Professor, priyesh.gandhi@lcit.org,LCIT- Bhandu,古吉拉特邦（印度）摘要 - 本文以低功率和高速性能显示了CMOS当前比较器设计。使用电流镜设计设计的CMOS电流比较器。该电路在180nm和130nm CMOS工艺技术中进行模拟。模拟结果显示，比较器电路在180nm技术中具有412PS延迟，而130nm技术的370PS延迟。还可以进行比较器设计的工作，而低功率耗散。关键字：当前比较器，当前镜像，功率耗散，延迟，导师图形，Eldo Spice I简介