仅限交叉训练机:对于 EN 957-9 A 级精度测试,通过将阻力装置(发生器)和控制台连接到测功机来测量机械输入功率。扭矩测试数据以所有可用的速度和阻力水平设置进行记录。然后通过减速测试确定机械阻力,无需用户操作设备,以准确测量启动速度和踏板停止所需的时间。然后根据系统惯性、输入速度和停止设备所需的时间计算停止设备所需的扭矩,然后将其添加到测功机数据以获得系统总扭矩。然后使用测量的扭矩和速度来计算机械输入功率以及与显示功率的方差。在 10 级,55 rpm 的恒定速度下,显示的功率为 107 瓦,与测试设备上测得的输入功率相差 4.7%。在 12 级,80 rpm 的恒定速度下,显示的功率为 136 瓦,与测试设备上测得的输入功率相差 1.6%。
仅限交叉训练机:对于 EN 957-9 A 级精度测试,通过将阻力装置(发生器)和控制台连接到测功机来测量机械输入功率。扭矩测试数据以所有可用的速度和阻力水平设置进行记录。然后通过减速测试确定机械阻力,无需用户操作设备,以准确测量启动速度和踏板停止所需的时间。然后根据系统惯性、输入速度和停止设备所需的时间计算停止设备所需的扭矩,然后将其添加到测功机数据以获得系统总扭矩。然后使用测量的扭矩和速度来计算机械输入功率以及与显示功率的方差。在 10 级,55 rpm 的恒定速度下,显示的功率为 107 瓦,与测试设备上测得的输入功率相差 4.7%。在 12 级,80 rpm 的恒定速度下,显示的功率为 136 瓦,与测试设备上测得的输入功率相差 1.6%。
ipred :为模型预测的第i个浓度数据点对应的值;为平均实验测得浓度值;为平均预测浓度值。 ,和 分别表示第i个和第i个输入变量的平均值(k=SV,T,Rt)。 和 分别表示第i个预测组分浓度和平均预测组分浓度。
本文介绍了通过数字图像相关 (DIC) 技术对球栅阵列 (BGA) 上焊球的热膨胀系数 (CTE) 进行分析的方法。由于微尺度元件对热的敏感性,评估半导体元件的热机械性能是一项主要挑战。然而,BGA 的 CTE 分析对于解决导致故障的热失配应变问题具有重要意义。同时,焊球热膨胀的测量是在微尺度和加热条件下进行的,传统的应变测量方法无效。在本分析中,使用微 DIC 系统测量焊球在加热台上受到温度载荷时的应变值。使用加热台内的热电偶测量焊球的实际温度,以确保温度的均匀性。获得特定温度下测得的应变,并使用线性分析绘制 CTE 图表。测得的焊球的平均 CTE 值为 27.33 × 106 / oC。结果表明,测量结果接近焊球 CTE 的参考值。该分析使用开发的 DIC 方法对 BGA 进行了可靠的分析。
通过测量原始和掺杂的CSV 3 SB 5单晶的磁化,我们已经对较低的临界场,临界电流密度和该kagome系统的平衡磁化进行了系统研究。已经在两个典型样本中研究了较低的临界场,并且可以通过使用两个S -Wave超导间隙的模型来对其进行较低的临界域临界场,从而得出2ΔS1 /K 1 /K b b t c = 7的较大间隙。9(±1。8)。这表明基于V的超导体的强耦合功能。测得的磁化磁滞回路使我们能够计算临界电流密度,该密度显示出非常弱的散装涡流固定。在这两种样品中测得的磁化磁滞回路可以通过最近提出的广义现象学模型来很好地描述,这导致确定这些超导体的许多基本参数。我们的系统结果和详细的分析得出结论,基于V的Kagome系统具有强耦合超导性,相对较大的Ginzburg-Landau参数和弱涡流耦合的特征。
利用拉伸桥中的横向起皱现象来表征超薄膜 (<100 nm) 的泊松比和残余应变。该测试方法利用残余应力驱动结构和易于复制的洁净室制造和计量技术,可无缝整合到薄膜生产装配线上。独立式矩形超薄膜桥采用可产生可重复横向起皱图案的尺寸制造。基于非线性 Koiter 板壳能量公式进行数值建模,将泊松比和残余应变与测得的起皱变形关联起来。泊松比会影响峰值幅度,而不会显著改变皱纹的波长。相比之下,应变会同时影响波长和幅度。使用 65 nm 厚的铜膜演示了概念验证。测量结果显示泊松比为 0.34 ± 0.05,拉伸残余应变为 (6.8 ± 0.8)x 10 − 3。测量的残余应变与使用相同薄膜的交替残余应力驱动测试结构测得的残余应变 (7.1 ± 0.2)x 10 − 3 高度一致。
使用单个电子或μ子事件和终态喷流来测量顶夸克对 (tt) 的极化和自旋关联。测量基于 CMS 实验在√ s = 13 TeV 下收集的 LHC 质子-质子碰撞数据,对应于积分光度 138 fb − 1 。通过对数据进行分箱似然拟合,同时提取极化矢量和自旋关联矩阵的所有系数。测量是全面进行的,并包含其他可观测量,例如 tt 系统的质量和 tt 静止框架中的顶夸克散射角。测得的极化和自旋关联与标准模型一致。从测得的自旋关联,应用佩雷斯-霍罗德基标准得出关于 tt 自旋纠缠的结论。标准模型预测在生产阈值和 tt 系统高质量时 tt 态的纠缠自旋。这是首次在高 tt 质量事件中观察到纠缠,其中大部分 tt 衰变是空间分离的,预期和观察到的显著性均高于 5 个标准差。
温室气体气体在热红外范围内吸收并发射辐射能量。在温室气体清单中测得的主要GHG是二氧化碳(CO2),甲烷(CH4),一氧化二氮(N2O),氟甲苯(PFCS),水力发电(HFCS),雕塑六氟化物(HFCS),Hydro-Fluorocarbons(HFCS)和NITROGON(NFUON)和NITRROGON(NITROGON)。
通过材料厚度非线性传输和 Z 扫描技术,研究了用 775 nm、1 kHz 飞秒激光脉冲激发的多晶硒化锌 (ZnSe) 的光学非线性。测得的双光子吸收系数 β 与强度有关,推断 ZnSe 在高强度激发下也与反向饱和吸收 (RSA) 有关。在低峰值强度 I < 5 GW cm –2 时,我们发现 775 nm 处的 β = 3.5 cm GW –1。研究了宽蓝色双光子诱导荧光 (460 nm-500 nm) 的光谱特性,在带边附近表现出自吸收,而上能级寿命测得为 τ e ~ 3.3 ns。在光学腔内泵浦 0.5 毫米厚的多晶 ZnSe 样品时观察到受激辐射,峰值波长 λ p = 475 nm 时,谱线明显变窄,从 Δ λ = 11 nm(腔阻塞)到 Δ λ = 2.8 nm,同时上能级寿命也缩短。这些结果表明,在更优化的泵浦条件和晶体冷却下,多晶 ZnSe 可能通过 λ = 775 nm 的双光子泵浦达到激光阈值。
摘要 本研究使用具有平面扫描功能的电光 (EO) 传感器演示了基于光子学的 300 GHz 频段近场测量和远场特性分析。待测场在 EO 传感器处上变频至光域 (1550 nm),并通过光纤传送至测量系统。在 13 s 的一维测量时间内,系统的典型相位漂移为 0.46 ◦,小于该时间尺度下相位测量的标准偏差 1.2 ◦。将从测得的近场分布计算出的喇叭天线远场方向图与使用矢量网络分析仪通过直接远场测量系统测得的远场方向图进行了比较。对于与角度相关的参数,我们通过近场测量获得的结果的精度与通过直接远场测量获得的结果相当。我们的近场测量结果与直接远场测量结果之间的旁瓣电平差异(约 1 dB)归因于探针校正数据的过量噪声。我们相信,基于光子学的球形 EO 探针扫描近场测量将为 300 GHz 频段高增益天线的表征铺平道路。