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摘要:本研究报告了空间群为I 4 1 md 的磁性外尔半金属候选材料NdAlGe单晶的成功生长。该晶体采用浮区技术生长,该技术使用五个激光二极管(总功率为2 kW)作为热源。为了确保在生长过程中稳定形成熔融区,我们采用了钟形分布的垂直辐射强度曲线。将电弧熔炼锭粉碎后的标称粉末在静水压力下成型,然后在由氧化钇稳定的氧化锆制成的氧气泵产生的超低氧分压(<10 − 26 atm)的氩气气氛中烧结进料棒和种子棒,加热至873 K。成功生长出长度为50 mm 的NdAlGe单晶。生长的晶体在 13.5 K 时表现出块状磁序。基本物理特性通过磁化率、磁化强度、比热、热膨胀和电阻率测量来表征。这项研究表明,磁序在 NdAlGe 中诱导各向异性磁弹性、磁熵和电荷传输。