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World File Search System深压
ROV深发现者
Rov Deep Discoverer（简称为“ D2”）可以在海面以下最多6,000米（19,685英尺），这意味着它几乎可以探索海洋中的任何地方，除了深沟。D2携带各种相机设备，采样工具和传感器，以收集潜水期间有关深海的尽可能多的信息。其主摄像头可以从3米（10英尺）远的三英寸长生物体放大，并倾斜以捕捉宽阔的视野，从而有助于查看从小生物到深海中大规模栖息地的所有事物。D2的实时视频从海底到船上旅行，然后通过卫星连接到位于岸上的科学家。他们使用实时视频为飞行员提供有关去向地点以及要收集哪些样本的指导。d2的多关节操纵臂非常灵活，使操作员具有操纵和收集生物学和地质样品的能力。飞行员还可以控制操纵器臂下颚的握力，从而使他们轻轻夹住脆弱的珊瑚样品或捡起沉重的岩石或矿物样品。直播ROV视频也被广播到互联网，使任何人都可以参加D2的冒险经历。
深能资源有限公司
关于 2013 年《公司法》；关于第 230 至 232 条（与 2013 年《公司法》其他相关条款一并阅读）；关于 Deep Energy Resources Limited ；关于 Savla Oil and Gas Private Limited ；关于 Prabha Energy Private Limited ；关于 Deep Energy Resources Limited 与 Savla Oil and Gas Private Limited 和 Prabha Energy Private Limited 及其各自股东和债权人之间的综合安排计划；Deep Energy Resources Limited ，一家根据 1956 年《公司法》规定成立的公司，现视为根据 2013 年《公司法》成立，其注册办事处位于 12A & 14, Abhishree Corporate Park, Ambli Bopal Road, Ambli, } Ahmedabad - 380058, Gujarat, India。}
SPE04M60H-AG
图 6：欠压保护时序图(高侧) Fig 6：Undervoltage protection sequence diagram (High side) b1 : 电源电压上升：当该电压上升到欠压恢复点，在下一个欠压信号被执行前该线路将启动运行。 b1: Power supply voltage rise: When the voltage rises to the undervoltage recovery point, the line will start running before the next undervoltage signal is executed. b2 : 正常运行 : MOSFET 导通并加载负载电流。 b2: Normal operation: MOSFET is turned on and load current is applied. b3 : 欠压检测 (UV BSD ) 。 b3: Undervoltage detection (UV BSD ). b4 : 不管输入是什么信号， MOSFET 都是关闭状态。 b4: No matter what signal is input, MOSFET is off. b5 : 欠压恢复 (UV BSR ) 。
中压电缆 XLPE 系统
Borealis 为公用事业和可再生能源应用提供行业领先的中压电力电缆化合物。我们的树木阻燃交联聚乙烯 (TR-XLPE) 绝缘材料 (Borlink™ LE4212) 已在 20 多年的使用历史中证明是可靠的。采用 Borealis 绝缘材料和半导体屏蔽层制造的电缆在北美各地的每家 TR-XLPE 电缆制造商中均有使用，通过公用事业电网和可再生能源为家庭和企业提供可靠的电力输送。
特别报道 中压产品 - ABB
GERHARD SALGE – 所谓的“电流战争”已经过去一个多世纪了，爱迪生成熟的直流 (DC) 配电技术与西屋电气（后来成为 ABB 家族的一部分）等公司倡导的新型交流 (AC) 方法展开了较量。最初，直流电是美国中压 (MV) 配电的标准方法，但随着时间的推移，交流技术赶上并超过了直流电：实用的交流电机被开发出来；交流输电线路被证明效率更高；交流变压器被发明，可以进行简单的升压和降压——这是直流电的致命弱点。在直流电被淘汰后的 120 年里，交流技术已经发展到今天的中压配电网络与早期的先驱者截然不同的程度：现在，许多复杂的技术被用于电流传导、电气绝缘、开关操作、保护、控制和中断。现代 MV 分发产品提供商必须掌握所有这些。
伺服超声波压合系统
底座宽度 18.6 (472) 18.6 (472) 底座深度 24.8 (631) 24.8 (631) 底座高度 4.6 (117) 4.6 (117) 柱高 44.6 (1132) 26.5 (674) 最大高度 70.1 (1780) 39.9 (1013) 外壳宽度 5.2 (132) 5.2 (132) 4.0 (102) 4.0 (102) 17.2 (436) 外壳高度 38.0 (968) 38.0 (968) 27.2 (691) 27.2 (691) 12.6 (320) 外壳深度 13.2 (336) 13.2 (336) 7.1 (181) 7.1 (181) 3.5 (88) 可用喉口 3.94 (100) 8.2 (209) 3.38 (86) 8.3 (210) 行程 5.50 (140) 5.50 (140) 3.50 (88) 3.50 (88) 重量 74 磅 (33 Kg) 250 磅 (114 Kg) 25 磅 (11.4 Kg) 230 磅 (105 Kg) 20 磅 (9 Kg) 最大焊接力 550 磅 (2447 N) 550 磅 (2447 N) 150 磅 (667 N) 150 磅 (667 N)
开发负压的简单控制系统
糖尿病性溃疡是糖尿病患者腿上发现的伤口。不当治疗打开了败血症和骨髓炎等并发症的风险。一种显着的治疗方法是通过负压伤口疗法（NPWT）装置。该装置通过去除渗出液，增加血流并通过负压促进细胞增殖来帮助溃疡恢复。这项研究的目的是通过开发简单的低成本NPWT原型来增加一种负担得起的糖尿病性溃疡治疗方法的本地含量。这是通过使用Arduino uno微控制器来实现的，其中包括PID控件，MPXV4115VC6U传感器读取功能，一个内置的计时器，两种模式和一个警报系统。在测试之前对所得的原型进行校准，以降低错误率。使用气流分析仪和溃疡伤口幻影进行测试。使用75、85和125 mmHg的负压设置用于测试，并在两种模式下进行30分钟。从这些测试中发现，原型可以达到负压阈值，最小平均误差最少为-1.81％。具有伤口幻影，连续和间歇性模式的平均误差分别为-0.56％和-0.20％。这种小方差可以忽略不计，因为NPWT治疗具有可接受的负压，即60-80 mmHg和80-125 mmHg，具体取决于伤口类型。总而言之，一个简单的基于Arduino Uno的系统可以用作NPWT治疗装置，以帮助糖尿病性溃疡恢复，而误差最小。
审查控制底压表面电荷
图3。接触过程中不同材料之间电子结构的简化示意图； a）两种金属，从较低的能量金属可以容纳来自较高能量金属的电子； b）金属和绝缘子，那里没有一个可以使电子的自由状态满足，因此只有通过隧穿才能将电子转移到绝缘体（或通过热激发过程）； c）在金属和缺陷的绝缘子之间，原子缺陷使可用的电子状态发生电子传输。d＆e）显示d）陶瓷的原理图；和e）聚合物键合网络；左）原始晶格；右）由于在陶瓷网络中引起的缺陷，该晶格通过多原子协调的键合网络维持，而在聚合物中，一维键网网络被损坏，可能导致传质。