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World File Search System湿法
单晶 AlN 的干法和湿法蚀刻
氮化铝 (AlN) 的带隙能量为 6.28 eV，可以生长为直径最大 4 英寸的高质量块状晶体，并伴有约 15 MV cm − 1 的高击穿场。1 – 8 这些固有特性使 AlN 成为军用和民用电力及极端环境电子设备等各种应用的有希望的候选材料，包括高温、高辐射暴露、直流微电网、脉冲功率武器和在极端条件下运行的系统，以及高压直流 (HV-DC) 电网内的开关和传输。1、2、8 – 12与窄带隙半导体相比，AlN 在高温和高功率下表现出优异的性能。在功率开关应用中，这种超宽带隙 (UWBG) 半导体表现出减小的电阻能量损耗，有可能用单个器件取代复杂的堆叠配置。 2、5、6、8 此外，在射频应用中，它们有助于开发射程更远、功能更强大的雷达系统，并有望应用于定向能系统。1、2、8 目前的研究重点是控制掺杂和实现用于垂直功率整流器的厚（>10μm）轻掺杂外延结构。4、7、9、11、13-16 为了充分利用这种材料的优势，体相和外延技术的发展
锂离子电池回收：湿法冶金工艺
电池使用寿命结束后，将被送去回收。电池生产产生的废料也是回收材料的来源。图 1 显示了使用湿法冶金回收锂离子电池的工艺。其中包括三种潜在的工艺路径：化学沉淀、溶剂萃取和吸附床。对于实际的回收工厂，通常不需要所有三种路径，但可能存在一种类型或这三种技术的混合。此简化图中未提供浓缩液流的额外步骤和进一步的净化步骤。
COSHH MC1：湿法蚀刻加工
✓ 对于没有层流的抽气室，开口处的气流应至少为每秒 0.5 米。✓ 对于具有垂直层流的抽气室，使用“烟管”或示踪气体检查工作台内的气流模式。气流计不合适。✓ 在抽气管道上安装压力计或压力表，以显示设备正在工作。将其与视觉或声音警报相连。✓ 抽气管道应短且弯头少。避免使用长段柔性管道。✓ 使用与所用化学品兼容的管道材料。✓ 将清洁的抽气排放到远离窗户、门和进气口的安全位置。✓ 提供适合化学品和任务的良好照明，例如溶剂工作台的防火照明。✓ 通过适合溶剂和非溶剂的排水系统处理使用过的工艺化学品。您可以使用排污阀或抽气机来避免接触化学品吗？✓ 不要在外壳中存放任何可能阻塞抽气的东西。不要在工作台下面存放化学品。
湿法铝和直接回收的进度和状态...
摘要：在过去的20年中观察到了锂离子电池（LIB）的指数市场增长；仅在2017年，大约有670,000吨的Libs才出售。由于消费者对电动汽车的兴趣日益增加，汽车制造商的最新参与，储能设施的最新发展以及政府对运输电力的承诺，因此这种趋势将继续持续。尽管在LIB商业化后早些时候开发了一些有限的回收过程，但在可持续发展的背景下，这些过程并不足够。因此，已经建立了显着的效果，以替代常用的倍率递质回收方法，以较不利的方法，例如水透明术，尤其是基于硫酸盐的浸出或直接回收。基于硫酸盐的浸出是目前用于回收LIB的唯一大规模水透明方法，并作为目前正在开发的几个试点或示范项目的基线。相反，大多数项目和过程仅着眼于NI，CO，MN和LIS的恢复，并且浪费了磷酸铁磷酸锂（LFP）电池的浪费。尽管这种电池类型并未主导LIB市场，但其在LIBS废物流中的存在引起了一些技术问题，从而影响了当前回收过程的利用率。本评论探讨了当前的过程和替代解决方案，包括新型的选择性浸出过程或直接回收方法。
通过固态去湿法生长的硅纳米晶体高灵敏度 MIS 结构
图 3：(a) 和 (b) 通过对 1 nm 和 2 nm 厚的 a-Si 进行去湿处理获得的 Si NC 的 SEM 图像，显示 NC 的尺寸均匀；(c) 从 1 nm 厚的 a-Si 获得的单个 NC 的 TEM 横截面图像。插图中给出了图像的 FFT 和 NC 的缩放。
使用湿法生产磷酸生产的碳足迹分析pt petrokimia gresik
摘要。磷酸是肥料工业的主要商品之一，在印度尼西亚等农业国家非常重要。印度尼西亚肥料行业的最大参与者之一是PT Petrokimia Gresik，该磷酸植物拥有一种使用半含水量工艺生产20万吨/年磷酸的磷酸植物。磷酸的产生可能是能源密集型的，并且涉及大量的材料转运，这通常与高碳足迹相对应。迄今为止，尚无有关印度尼西亚磷酸碳足迹的文献。因此，基于其材料和能量平衡数据的库存，对PT Petrokimia Gresik的磷酸产生进行了碳足迹分析。电力发射因子是根据其煤炭单元发电厂计算得出的，而原材料的排放因子是根据文献估算的。碳足迹为1378.25 kg CO2/吨P 2 O 5。最大的碳足迹贡献来自硫酸（43.81％），其次是材料运输（36.78％）。灵敏度分析表明，碳足迹对硫酸和海洋传输发射因子非常敏感。
采用湿法钪蚀刻在硅基板上形成硬掩模
如今，微电子技术需要寻找新材料，包括用于创建结构的掩模。中间硬掩模策略是实现微电子制造中光刻和蚀刻之间良好平衡的关键问题之一。微电子和光伏技术中一个有趣的挑战是在 Si 衬底上创建间距垂直取向的硅阵列，用于多功能半导体器件。制造这种结构仍然是一个严重的技术问题，需要寻找新的方法和材料。在这项工作中，我们建议使用钪作为硅上的新硬掩模材料，因为它具有高抗等离子化学蚀刻性和低溅射系数。我们已经证明，对厚度为几纳米的钪层进行湿法蚀刻可用于在硅上获得分辨率高达 4 微米的图案结构，这对于湿法蚀刻方法来说是一个很好的结果。在选定的等离子蚀刻条件下，与其他金属掩模相比，钪是一种具有极佳抗性的硅掩模，蚀刻速率最低。因此，钪硬掩模可以为形成不同的微尺度地形图案开辟新的可能性。
广东先导稀材股份有限公司
Jun 13, 2024 — 功能材料事业部拥有先进的火法和湿法冶金工艺,采用侧吹炉工. 艺、真空蒸馏工艺、以及溶剂萃取、离子交换、电解等先进工艺,回收. 和精炼各种含稀散金属固体、浆料和溶液。
