摘要 — 本研究展示了 Si 衬底上 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的高频和高功率性能。使用 T 栅极和 n ++ -GaN 源/漏接触,栅极长度为 55 nm、源漏间距为 175 nm 的 InAlN/GaN HEMT 的最大漏极电流 ID,MAX 为 2.8 A/mm,峰值跨导 gm 为 0.66 S/mm。相同的 HEMT 表现出 250 GHz 的正向电流增益截止频率 f T 和 204 GHz 的最大振荡频率 f MAX。ID,MAX、峰值 gm 和 f T -f MAX 乘积是 Si 上 GaN HEMT 中报道的最佳乘积之一,非常接近最先进的无背势垒 SiC 上耗尽型 GaN HEMT。鉴于 Si 的低成本和与 CMOS 电路的高兼容性,Si 上的 GaN HEMT 对于成本敏感的应用特别有吸引力。
1。总结性研究报告 - PHS-15-HPK02:一项用于IFU验证的模拟研究BD Hypak TM堆叠针和BD Hypak TM PRTC在医疗保健工作者中(HCWS)和自我注射患者人群2。视觉/化妆品控制,客户质量规范,SC000110 3。bd hypak tm用于疫苗针头设计验证理由[内部研究]。pont-de-claix,FR:Becton,Dickinson and Company; 2013 4。BD销售分析[内部分析]。pont-de-claix,FR:Becton,Dickinson and Company; 2019 5。2014年至2018年的疫苗市场分析和产品销售[内部分析]。Pont de Claix,FR:Becton,Dickinson and Company; 2019 6。疫苗市场领导者,https://www.statista.com/statistics/314562/leading-gleading-global-pharmaceuticalcompanies-by-vaccine-revenue/ 2018年4月4日访问7。BD-PS external communication to customers - BD to Invest $1.2 Billion in Pre-Fillable Syringe Manufacturing Capacity Over Next Four Years https://news.bd.com/2020-12-02-BD-to-Invest-1-2-Billion-in-Pre-Fillable-Syringe-Manufacturing-Capacity-Over-Next-Four-Years/Accessed Dec. 2, 2020
近年来,光学量子增强计量和亚散粒噪声计量变得越来越重要。然而,相关的测量技术尚未在 NMI 中普遍应用,主要是因为可用的相关源,即高效单光子源和纠缠光子源,不可靠或无法商业化。在设计这些源方面已经取得了重大进展,但如果要将它们用于计量应用,则需要进一步开发。针对此 SRT 的提案应旨在基于不同的应用导向平台开发明亮的纠缠光子源,并利用高纯度的单光子源,以展示使用这些源进行特定测量可实现的量子优势。
本研究中的 TFET 为浮体 SOI 器件,因此应首先评估执行电荷泵浦测量的可行性 [19]。当用具有恒定基极电平和幅度的方波脉冲栅极时,漏极和源极保持在相同的电位,该电位扫过 0 至 1.5 V 的适当范围,以激活 Si/栅极电介质界面处的生成-复合过程。发现在 P+ 源极接触处测得的电流与栅极脉冲的频率成正比,证明了电荷泵浦装置的正确性 [20],[21]。因此,即使我们的基于 SOI 的 TFET 中没有体接触,由于源极和漏极具有相反的掺杂类型,我们仍然可以执行电荷泵浦测量来评估 N it 。对于下面所示的电荷泵结果,栅极由 500 kHz 方波驱动,其边沿时间为 100 ns,幅度为 1.5 V,基准电平为 0 V,脉冲占空比为 50%。
2 器件特性 ................................................................................................................................ 4 2.1 电气特性(辐照前) ...................................................................................................................... 4 2.2 源漏二极管额定值和特性(辐照前) ............................................................................................ 5 2.3 热特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4 辐射特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4.1 电气特性 — 总剂量辐照后 ...................................................................................................... 5 2.4.2 单粒子效应 — 安全工作区 ...................................................................................................... 6
2 器件特性 ................................................................................................................................ 4 2.1 电气特性(辐照前) ...................................................................................................................... 4 2.2 源漏二极管额定值和特性(辐照前) ............................................................................................ 5 2.3 热特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4 辐射特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4.1 电气特性 — 总剂量辐照后 ...................................................................................................... 5 2.4.2 单粒子效应 — 安全工作区 ...................................................................................................... 6
2 器件特性 ................................................................................................................................ 4 2.1 电气特性(辐照前) ...................................................................................................................... 4 2.2 源漏二极管额定值和特性(辐照前) ............................................................................................ 5 2.3 热特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4 辐射特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4.1 电气特性 — 总剂量辐照后 ...................................................................................................... 5 2.4.2 单粒子效应 — 安全工作区 ...................................................................................................... 6
2 器件特性 ................................................................................................................................ 4 2.1 电气特性(辐照前) ...................................................................................................................... 4 2.2 源漏二极管额定值和特性(辐照前) ............................................................................................ 5 2.3 热特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4 辐射特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4.1 电气特性 — 总剂量辐照后 ...................................................................................................... 5 2.4.2 单粒子效应 — 安全工作区 ...................................................................................................... 6
2 器件特性 ................................................................................................................................ 4 2.1 电气特性(辐照前) ...................................................................................................................... 4 2.2 源漏二极管额定值和特性(辐照前) ............................................................................................ 5 2.3 热特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4 辐射特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4.1 电气特性 — 总剂量辐照后 ...................................................................................................... 5 2.4.2 单粒子效应 — 安全工作区 ...................................................................................................... 6
2 器件特性 ................................................................................................................................ 4 2.1 电气特性(辐照前) ...................................................................................................................... 4 2.2 源漏二极管额定值和特性(辐照前) ............................................................................................ 5 2.3 热特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4 辐射特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4.1 电气特性 — 总剂量辐照后 ...................................................................................................... 5 2.4.2 单粒子效应 — 安全工作区 ...................................................................................................... 6