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World File Search System漏服
Liebert® EXS 10-20kVA - Vertiv
在将设备连接到交流电源输入和电池电源之前，必须先接地。本设备配有 EMC 滤波器。接地漏电流范围为 0 至 1000 mA。在选择瞬时 RCCB 或 RCD 设备时，应考虑设备启动时可能出现的瞬态和稳态接地漏电流。必须选择对单向直流脉冲 (A 类) 敏感且不受瞬态电流脉冲影响的 RCCB 设备。还必须考虑到负载接地漏电流将由 RCCB 或 RCD 承担。设备必须按照当地电气规范接地。
采用 RF 兼容工艺实现的功率 AlGaN/GaN HEMT 击穿失效机制研究
研究了功率 AlGaN/GaN HEMT 系列的击穿失效机制。这些器件采用市售的 MMIC/RF 技术与半绝缘 SiC 衬底制造。在 425 K 下进行 10 分钟热退火后，对晶体管进行了随温度变化的电气特性测量。发现没有场板的器件的击穿性能下降，负温度系数为 0.113 V/K。还发现击穿电压是栅极长度的减函数。在漏极电压应力测试期间，栅极电流与漏极电流同时增加。这表明从栅极到 2-DEG 区域的直接漏电流路径的可能性很大。漏电流是由原生和生成的陷阱/缺陷主导的栅极隧穿以及从栅极注入到沟道的热电子共同造成的。带场板的器件击穿电压从 40 V（无场板）提高到 138 V，负温度系数更低。对于场板长度为 1.6 l m 的器件，温度系数为 0.065 V/K。2011 Elsevier Ltd. 保留所有权利。
商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 栅极漏电流行为调查
摘要 — 过去十年，碳化硅 (SiC) 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的商业化不断扩大。栅极氧化物可靠性是 SiC 功率 MOSFET 的主要问题，因为它决定了器件的使用寿命。在这项工作中，我们研究了商用 1.2 kV SiC 功率 MOSFET 在不同栅极电压下的栅极漏电流。高氧化物电场引发的碰撞电离和/或阳极空穴注入 (AHI) 导致空穴捕获，从而增强了栅极漏电流并降低了器件的阈值电压。由于 Fowler-Nordheim (FN) 隧穿而产生的电子注入和捕获往往会降低栅极漏电流并增加阈值电压。还对商用 MOSFET 进行了恒压时间相关电介质击穿 (TDDB) 测量。栅极漏电流的结果表明，场加速因子的变化是由于高栅极氧化物场下栅极电流/空穴捕获增强所致。因此，建议在低栅极电压下进行 TDDB 测量，以避免在正常工作栅极电压下高估寿命。
学生贷款偿还服务协议
无薪休假和其他无薪状态的时间段不计入所需服务期的完成。最初预计的服务完成日期必须延长不计入的时间总和。根据 5 CFR 353.107 的规定，因制服服务或可获得补偿的伤害而缺勤在重新就业时可计入所需服务期。
simyoung新闻通讯心理躁动
尽管个人不一定是暴力的，但很难重定向。 这种类型的搅拌类似于严重的搅拌，但通常对口服药理治疗和降低的反应更好。尽管个人不一定是暴力的，但很难重定向。这种类型的搅拌类似于严重的搅拌，但通常对口服药理治疗和降低的反应更好。
日本航空自卫队第四基地授权支出和负担官
2024 年 5 月 23 日 — 规格等 冬季制服 夹克 女装 空军 将官 6 号 编号 C 数量 单位 单价 金额 合并日期 负责分配支出和负担的官员 总计 日本航空自卫队第 4 供应和采购部主任 Makoto Hatanaka 先生 地址 公司名称。
校徽 - 澳门大学 - 澳门大学
澳门大学以立足澳门，共建湾区，融入国家，走向世界为发展定位，通过以学生为本的优质教育、具国际影响力的重点研究，以及高水平的社会服务，矢志成为一所国际公认的卓越大学。 The University of Macau (UM) wishes to position itself as a university with firm roots in Macao, while at the same time being committed to participating in the development of the Greater Bay Area. UM hopes to integrate itself into national development while reaching out to the world. Through quality student-centred education, key research subjects with international impact, and a high standard of community services, it aspires to become an internationally recognised university of excellence. 澳门大学充分发挥其以中华文化为主流、多元文化共存的校园环境，协同学院与书院的全人教育体系以及国际化的办学模式等特色和优势，致力于： The University of Macau endeavours to leverage its uniqueness and strengths, as highlighted by a learning environment where Chinese culture plays a major role and diverse cultures coexist, and by a system of whole-person education underpinned by faculties and residential colleges in an international education setup. The university is committed to: 秉承“仁、义、礼、知、信”的校训； Upholding the university motto – Humanity, Integrity, Propriety, Wisdom and Sincerity; 培养具家国情怀、国际视野、全球竞争力和有社会责任感的公民和创新型人才， 服务澳门、国家及世界发展所需； Cultivating citizens with innovative abilities who exhibit love for their home country, possess global perspectives and competitiveness, and shoulder social responsibilities necessary for the development of Macao, the nation and beyond; 促进学术研究，推动产学研合作，助力澳门经济社会可持续发展，助力粤港澳大湾区建设、服务国家，贡献人类； Promoting academic research and industry-academia-research cooperation to facilitate sustainable socio-economic development of Macao and support the development of the Guangdong-Hong Kong-Macao Greater Bay Area, thus serving the nation and humanity at large; 植根澳门，多层次、全方位服务澳门社群，造福澳门社会。 Being firmly rooted in Macao, serving and enriching the local community at multiple levels and on all fronts.
校徽 - 澳门大学 - 澳门大学
澳门大学以立足澳门，共建湾区，融入国家，走向世界为发展定位，通过以学生为本的优质教育、具国际影响力的重点研究，以及高水平的社会服务，矢志成为一所国际公认的卓越大学。 The University of Macau (UM) wishes to position itself as a university with firm roots in Macao, while at the same time being committed to participating in the development of the Greater Bay Area. UM hopes to integrate itself into national development while reaching out to the world. Through quality student-centred education, key research subjects with international impact, and a high standard of community services, it aspires to become an internationally recognised university of excellence. 澳门大学充分发挥其以中华文化为主流、多元文化共存的校园环境，协同学院与书院的全人教育体系以及国际化的办学模式等特色和优势，致力于： The University of Macau endeavours to leverage its uniqueness and strengths, as highlighted by a learning environment where Chinese culture plays a major role and diverse cultures coexist, and by a system of whole-person education underpinned by faculties and residential colleges in an international education setup. The university is committed to: 秉承“ 仁、义、礼、知、信” 的校训； Upholding the university motto – Humanity, Integrity, Propriety, Wisdom and Sincerity; 培养具家国情怀、国际视野、全球竞争力和有社会责任感的公民和创新型人才，服务澳门、国家及世界发展所需； Cultivating citizens with innovative abilities who exhibit love for their home country, possess global perspectives and competitiveness, and shoulder social responsibilities necessary for the development of Macao, the nation and beyond; 促进学术研究，推动产学研合作，助力澳门经济社会可持续发展，助力粤港澳大湾区建设、服务国家，贡献人类； Promoting academic research and industry-academia-research cooperation to facilitate sustainable socio-economic development of Macao and support the development of the Guangdong-Hong Kong-Macao Greater Bay Area, thus serving the nation and humanity at large; 植根澳门，多层次、全方位服务澳门社群，造福澳门社会。 Being firmly rooted in Macao, serving and enriching the local community at multiple levels and on all fronts.
未被发现的心力衰竭症状的证据
由于大量患者因充血性心力衰竭 (CHF) 住院，早期识别和干预变得越来越必要。了解和识别预示容量超负荷的体征和症状可让医生及早提供护理并可能避免住院。尽管多年来一直有轶事观察，但 CHF 加重时出现的鼻漏尚未被视为临床相关症状。1,2 在本例中，我们观察到患者新发鼻漏与胸腔阻抗变化和容量超负荷之间存在直接关联。随后发生 CHF 加重发作并住院，因此提示特发性鼻漏是容量超负荷的征兆。
具有复合源极-...的单向 p-GaN 栅极 HEMT
硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT) 以其低成本、大面积应用等优势在功率器件应用领域引起了广泛关注 [1]。近年来，双向开关在轧机、电梯、风力发电等许多工业双向功率转换应用中备受青睐。此外，常闭单向 HEMT 是实现高性能双向开关的重要器件 [2,3]。常闭单向 HEMT 通常通过在 HEMT 的漏极中嵌入肖特基势垒二极管 (SBD) 来实现。目前已经采用了氟注入或金属氧化物半导体技术。然而，在常闭单向 HEMT 中尚未见具有良好阈值电压 (V th ) 可控性和稳定性的 p-GaN 栅极技术 [4] 的报道。此外，凹陷式肖特基漏极[5]和场板技术[6]可以为实现具有小开启电压（V on ）、高击穿电压（BV）和良好动态性能的单向HEMT提供相关参考。本研究通过实验证明了一种具有凹陷肖特基漏极和复合源漏场板的单向p-GaN HEMT（RS-FP-HEMT）。研究并揭示了漏极电压应力对动态性能的影响。实验。图1（a）和（b）分别显示了传统的带欧姆漏极的p-GaN HEMT（C-HEMT）和提出的RS-FP-HEMT的示意横截面结构。这两个器件都是在GaN-on-Si晶片上制造的。外延结构由 3.4 µ m 缓冲层、320 nm i-GaN 沟道层、0.7 nm AlN 中间层、15 nm Al 0.2 Ga 0.8 N 阻挡层和 75 nm p-GaN 层（Mg 掺杂浓度为 1 × 10 19 cm −3）组成。器件制造首先通过反应离子刻蚀 (RIE) 形成 p-GaN 栅极岛。然后，蒸发 Ti/Al/Ni/-Au 金属堆栈并在 N 2 环境中以 850 ◦C 退火 30 秒。形成凹陷的肖特基漏极