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World File Search System漏极和源
适合低功耗应用的 2 V、32.13 nA 全 MOSFET 电压限制器
摘要：本文介绍了一种低电流消耗的全 MOSFET 直流电压限制器。在所提出的电压参考结构中，为了降低功耗，晶体管偏置在亚阈值区域。为了在电压参考电路中产生与绝对温度互补 (CTAT) 电压，仅使用 PMOS 晶体管，其漏极、栅极和源极端子连接在一起并充当二极管，以减少布局面积占用。为了进一步降低功耗，采样电路将整流器输出电压的一部分与参考电压进行比较。此外，四级反相器用作缓冲器，以提供更接近理想情况的 IV 限制特性。在第一个反相器中使用串联传输门晶体管也尽可能降低了功耗。
Chip Scale Review 七月 • 八月
从芯片背面到正面，首先是 1) 一个类似硅通孔 (TSV) 的电源接头，将芯片背面连接到第一个正面布线层 (M0) 上的电源线，然后 2) 电源通孔 (PV) 或埋入式电源轨 (BPR) 以选择性地连接到正面局部互连，使用通孔或线接触 PV，这需要从背面 (BS_VD) 进行图案化，直到 3) 实现 BS 与源极/漏极 (BS_VD) 的直接接触，以及 4) 最后，甚至可能实现 BS 与栅极 (BS_ VG) 的直接接触。这种演变还意味着使用更小的结构和更紧密的边距来打印它们。很可能，FS-to-BS 连接的早期演变阶段将继续使用并与后续阶段共存，从而提供丰富的选项来将芯片的背面连接到其正面。
TMUX7219-Q1 44V、防闩锁、2:1 (SPDT) 精密开关，带 1.8V 逻辑 数据表 (Rev. C)
(1) 在绝对最大额定值之外运行可能会导致器件永久性损坏。绝对最大额定值并不意味着器件在这些或任何超出建议工作条件所列条件的其他条件下能够正常工作。如果在建议工作条件之外但在绝对最大额定值之内使用，器件可能无法完全正常工作，并且可能会影响器件的可靠性、功能性和性能，并缩短器件寿命。 (2) 除非另有规定，所有电压均相对于地。 (3) 引脚通过二极管钳位到电源轨。过压信号的电压和电流必须限制在最大额定值内。 (4) 有关 I DC 规格，请参阅源极或漏极连续电流表。 (5) 对于 DGK 封装：当 TA = 70°C 以上时，P tot 线性下降 6.7mW/°C。
半导体二维聚合物作为有机电化学晶体管活性层
有机电化学晶体管 (OECT) 是一种基于半导体的器件，有望用于生物接口电子、化学传感和神经形态计算等应用。[1–7] OECT 通过将栅极电压电位转换为源极和漏极端子之间的差分电流来工作。[1,8] 在 OECT 架构中，栅极电位通过注入或传输离子和电荷补偿来调节半导体聚合物的氧化还原状态，从而控制有机晶体管通道的体积电导率（图 1 b、c、d）。[9] 由于离子掺杂引起的体积电导率变化可实现有效的离子到电子信号转导。[1,3] 为了满足有效电子传输、离子注入和传输以及高体积电容的需求，需要开发一种称为有机混合离子/电子
半导体二维聚合物作为有机电化学晶体管活性层
有机电化学晶体管 (OECT) 是一种基于半导体的器件，有望用于生物接口电子、化学传感和神经形态计算等应用。[1–7] OECT 通过将栅极电压电位转换为源极和漏极端子之间的差分电流来工作。[1,8] 在 OECT 架构中，栅极电位通过注入或传输离子和电荷补偿来调节半导体聚合物的氧化还原状态，从而控制有机晶体管通道的体积电导率（图 1 b、c、d）。[9] 由于离子掺杂引起的体积电导率变化可实现有效的离子到电子信号转导。[1,3] 为了满足有效电子传输、离子注入和传输以及高体积电容的需求，需要开发一种称为有机混合离子/电子
材料
摘要：忆阻器件由于结构简单、集成度高、功耗低、运行速度快等特点，在存储器、逻辑、神经网络和传感应用中备受关注。特别是，由有源门控制的多端结构能够并行处理和操纵信息，这无疑将为神经形态系统提供新概念。通过这种方式，可以设计基于晶体管的突触器件，其中突触后膜中的突触权重被编码在源漏通道中，并由突触前终端（门）修改。在这项工作中，我们展示了强关联金属氧化物中可逆场诱导金属-绝缘体转变 (MIT) 的潜力，可用于设计坚固而灵活的多端忆阻晶体管类器件。我们研究了在 YBa 2 Cu 3 O 7 − δ 薄膜上图案化的不同结构，这些结构能够显示栅极可调的非挥发性体积 MIT，由系统内的场诱导氧扩散驱动。这些材料的关键优势是不仅可以在受限的细丝或界面中均匀调整氧扩散，就像在广泛探索的二元和复合氧化物中观察到的那样，而且可以在整个材料体积中均匀调整。与基于导电细丝的器件相比，关联氧化物的另一个重要优势是显著减少了循环间和器件间的差异。在这项工作中，我们展示了几种器件配置，其中漏极-源极通道（突触权重）之间的横向传导由主动栅极可调体积电阻变化有效控制，从而为设计稳健且灵活的基于晶体管的人工突触提供了基础。
东芝的 AI 质量保证方法
*1 通过对商用制冷和空调设备进行持续监测的氟碳泄漏检测系统指南 *2 截至 2021 年 12 月。适用于风冷热泵型热源设备（风冷冷水机组）。东芝开利株式会社的研究 [参考] 东芝开利株式会社新闻稿 https://www.toshiba-carrier.co.jp/news/press/220126/ [参考] 东芝 SPINEX 市场 https://www.spinex-marketplace.toshiba/ja/services/tccr-net
使用 S 参数提取封装的 GaN 功率晶体管寄生参数
摘要 — 为了更好地预测功率转换器中晶体管的高频开关操作，必须准确评估这些器件的接入元件，如电阻和电感。本文报告了使用 S 参数对氮化镓 (GaN) 封装功率晶体管进行特性分析，以提取源自欧姆接触和封装的寄生效应。在封装晶体管时，使用在 FR4 印刷电路板 (PCB) 上设计的特定测试夹具设置校准技术，以便从测量的参数中获取晶体管平面中的 S 参数。所提出的方法基于改进的“冷 FET”技术和关断状态测量。它应用于市售的增强型 GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）。将提取的寄生元件与器件制造商提供的参考值进行比较。还评估了结温对漏极和源极电阻的影响。最后，提出了这些寄生效应的电热模型。
具有 0.9 dB 噪声系数和 12.8- ... 的 RF p-GaN HEMT
摘要 — 深入研究了增强型 p-GaN 栅极高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的低噪声放大性能。该器件具有钨 (W) 栅极金属和与 CMOS 兼容的源极/漏极端子金属触点，表现出 2.7 V 的正阈值电压。在夹断区和导通区分别提取 3.8 pA/mm 和 16.3 nA/mm 的低栅极漏电流密度 (IG)。该器件在 2 GHz 时提供 15.8 dBm 的输入三阶截取点 (IIP3)，同时具有良好的线性特性对频率变化的免疫力。在 2 GHz 的工作频率下实现了 0.9 dB 的最小噪声系数 (NF min) 和 12.8 dB 的相关增益 (G a)。此外，通过检查偏置和频率对 NF min 和 G a 的影响，发现在 1 GHz 时 NF min 为 0.65 dB，G a 为 18.3 dB。这项工作为 p-GaN HEMT 在低噪声放大器应用中的利用铺平了道路。