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由于沉积区域和基材的快速加热和冷却循环,定向能量沉积 (DED) 工艺沉积区域附近会出现复杂的残余应力分布。残余应力会导致沉积区域附近出现缺陷和过早失效。人们已经对多种热处理技术进行了广泛的研究,并将其应用于通过 DED 工艺沉积的部件,以释放残余应力。本研究旨在利用热机械分析研究通过 DED 和淬火工艺制备的试样的残余应力特性。采用耦合热机械分析技术预测淬火步骤后沉积区域附近的残余应力分布。沉积和冷却措施的有限元 (FE) 分析结果表明,在弹性恢复完成后,沉积区域附近的残余应力显著增加。加热和淬火阶段的 FE 分析结果进一步表明,在淬火初始阶段,沉积区域附近的残余应力显著增加。此外,观察发现,无论沉积材料如何,淬火残余应力均小于弹性恢复后的残余应力。
半导体制造工艺中的扩散炉用于在硅片表面生长氧化物或将掺杂剂扩散到半导体晶片中。在此过程中,硅片在炉中被加热到通常在 973K 至 1523K 之间的温度。在本研究中,采用二维轴对称模型来模拟在 1123K 温度下运行的垂直炉。对工艺管中含有 175 个直径为 200mm 的硅片的基准情况的轮廓温度分布的模拟结果与实验数据非常吻合。从加热温度为 1123 K 的炉子中获得的实验数据被用作此数值评估的基准。还表明可以对堆叠晶片的本体区域施加均匀加热。在本研究中,探讨了加热器温度和工艺管中排列的晶片之间的间隙对工艺管中温度场的影响。从模拟中可以看出,值得强调的是,堆叠晶片本体区域的温度分布与加热器温度一致。此外,研究发现,在舟皿中对较少数量的晶圆(具有较大的晶圆间隙)进行退火工艺可能不会显著影响炉内的加热性能。关键词:立式炉;石英管;辐射;加热器;绝缘;峰值温度;温度分布版权所有 © 2020 PENERBIT AKADEMIA BARU - 保留所有权利
