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World File Search System热电器件
2024 年美国西部半导体展
其他研究小组和研究所则与 CVD 薄膜半导体、光催化剂、石墨烯和传感器的合成有关。展望未来，IUMA 将扩展其专业知识，专注于 2D 薄膜半导体器件制造，特别是在热电器件和电池（半导体、金属、合金）和微挤压工艺的创新领域。除此之外，该研究所还提供晶圆和器件特性、测试、键合和封装（2D、3D）方面的先进能力，确保半导体产品的质量和可靠性。这种面向未来的方法将推动尖端薄膜半导体技术的发展，进一步巩固大加那利岛作为该领域创新中心的地位，作为技术产品的补充和附加，我们的专家咨询服务涵盖广泛的领域，包括税收优化、投资指导、公共融资援助、业务支持、研发融资以及法律和监管咨询。我们拥有一支经验丰富的专业团队，提供战略见解和个性化解决方案，以应对当今复杂的商业环境。
在环境透射电子显微镜中观察电场引导下直单壁碳纳米管的合成
经过近三十年的国际深入研究，碳纳米管 (CNT)，尤其是单壁纳米管 (SWNT)，仍然是纳米科学和量子科学研究的强大动力。这种典型的一维纳米科学物体具有各种电学、光学和机械特性，催生了大量的应用。这些应用面临的主要障碍是将高质量、合适的 CNT 定位和组织到特定的架构中，同时保留其优异的性能，这些性能通常与其晶体质量和高纵横比有关。因此，一条通往具体科学问题和应用的突出研究方向是寻找对齐、选择、定位和完善 SWNT 的策略 [1, 2, 3]。应用包括柔性高温电子器件、光电子器件和热电器件 [4]、纳米流体 [5]、终极纳米级晶体管 [6, 7]、纳米力学 [8]、扫描探针尖端 [9]、量子力学系统 [10] 和场发射 (FE) 源 [11]。为了通过更好地控制生长来克服主要障碍，显然首先希望在原子尺度上观察单个 CNT 的时间分辨生长，其次希望找到控制这种生长的有用工具，如果可能的话，最好是动态控制。对于这种控制，需要不同的外力，如电场 [12]、气流 [13]、与原子台阶的相互作用
无序 PbSbTe 硫族化物中的载流子跃迁
在过去十年中，许多晶体硫族化物由于其不寻常的物理特性和键合机制而引起了人们的关注。[1–6] 对于从相变存储器件[7–9]和光子开关[10–12]到热电器件[13–17]到利用拓扑效应的原型器件[18–20]的许多应用来说，通过改变化学计量或退火等方式来调整电传输的能力至关重要。 特别是，控制电荷载流子浓度和迁移率将非常有利。 例如，对于基于拓扑绝缘体的导电表面态的器件，通常重要的是消除不需要的体载流子源以抑制体传输。 对于热电装置，需要具有精确控制载流子浓度的 n 型和 p 型材料。这些方向的努力包括对一系列三元碲化物中载流子类型的化学调节[21,22]，以及在 GeSbTe (GST) 化合物（如 Ge 2 Sb 2 Te 5 ）和类似的无序硫族化物中通过热退火诱导的安德森跃迁的观察[23–27]。这些硫族化物位于 IV-VI 和 V 2 VI 3 材料之间的连接线上（例如，GST 中的 GeTe 和 Sb 2 Te 3 ）。在前一种情况下，[22] 化学计量变化用于诱导从电子到空穴占主导地位的电荷传输转变，而在后一种情况下，[23–27] 化学计量保持恒定，通过退火结晶相来调节无序水平，导致在增加有序性时发生绝缘体-金属转变。非晶态 GST 结晶为亚稳态、无序、岩盐状相，其中 Te 占据阴离子位置，Ge、Sb 和空位随机占据阳离子位置。通过进一步退火立方体结构可获得稳定的六方相。这三个相都是半导体，但由于自掺杂效应，即由于原生点缺陷导致导电的块状状态被空穴占据，并将费米能级移向价带最大值，因此结晶态显示出高浓度的 p 型载流子。这种现象导致非晶相和结晶相之间产生强烈的电对比，这在
https://doi.org/10.1038/s41560-023-01285-w
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