专业摘要我着迷于新颖的仪器可以改变我们可以理解纳米级系统的异国物理学的方式。在研究生院我开发了一种技术,可以有效研究二维(2D)材料的超快光电学。6,我揭示了摩西2 -WSE 2异质结构的层间激子中的激子 - 偶联,在2d Mote 2中,在2d Mote 2中的4个热载体物理学,2 -Mote液相发表于自然光子学上。7我已经对生物系统进行了建模,特别是专注于量子结构在减少光合作用中有害噪声中的重要性,该噪声发表在科学上。5在我的博士后中,我在尖端(NSOT)磁力测定技术上学习了纳米Quid,并将其与热力学压缩性测量相结合,以探索铁磁性相干性和自旋轨道偶联,以在Trilrayer Graplene intaly in yalthy insical中的形成型rhombohedralayer Grapline intaly insicals的对称性阶段中的旋转耦合。3最近,我应用了这种方法来阐明菱形石墨烯中非常规超导性的性质。1教育2020博士学位在加利福尼亚大学河滨大学,2014年M.S. 加利福尼亚大学物理大学,2013年河滨大学 华盛顿大学物理大学研究经验:加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校的博士后研究 - 目前的PI:Andrea Young1教育2020博士学位在加利福尼亚大学河滨大学,2014年M.S.加利福尼亚大学物理大学,2013年河滨大学 华盛顿大学物理大学研究经验:加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校的博士后研究 - 目前的PI:Andrea Young加利福尼亚大学物理大学,2013年河滨大学华盛顿大学物理大学研究经验:加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校的博士后研究 - 目前的PI:Andrea Young
TDDB仍然是超短路通道CMOS节点中的关键可靠性问题,并保证了速度性能和低消耗要求。在AC RF信号操作“外状态”过程中,从低(kHz)到非常高的频率范围(GHz)[1-2]依次以“状态”模式出现。即使“偏离状态”应力通常以比“州内”应力较小的速率降低设备,它也可能成为RF域中设备操作的限制因素,而对于逻辑应用中使用的供应电压V DD通常翻了一番。不仅设备参数漂移可能会变得很重要,而且还可以触发严重分解(BD)到Gate-Drain区域中。因此,至关重要的是要精确评估态度TDDB的可靠性,并深入了解设备级别的磨损机制,因为可以在排水管上观察到故障事件(图。1a,c)和门(图。1b,d)28nM FDSOI CMOS节点中的电流。由于影响电离的差异(ii)孔和电子的阈值能量和能屏障高度,在州或偏离状态下的热载体(HC)生成及其V GS / V DS依赖性在N通道和P通道上明显不同[3]。通过低闸门敏感性进行了的比较[4],重点是注射的载体效率,一方面,在Onders HCD下,在N-Channel侧受到较大的损害,在N-Channel侧受到了较大的损坏,并且在较大的n-channel侧受到较大的损害,并且在较大的n-channel方面受到了较大的损害,并且在较大的n-channel侧受到了较大的损害。的比较[4],重点是注射的载体效率,一方面,在Onders HCD下,在N-Channel侧受到较大的损害,在N-Channel侧受到了较大的损坏,并且在较大的n-channel侧受到较大的损害,并且在较大的n-channel方面受到了较大的损害,并且在较大的n-channel侧受到了较大的损害。这种暗示的高能量HC可能会在栅极排水区域的OFF模式下触发BD事件[5-6]与热孔效率相关[7]。
过去几十年来,微电子行业一直在推动小型化理念的深入人心。更小的设备意味着更快的运行速度、更便携和更紧凑的系统。这种小型化趋势具有感染力,纳米技术和薄膜加工的进步已经蔓延到广泛的技术领域。这些技术进步对一些领域产生了重大影响,包括二极管激光器、光伏电池、热电材料和微机电系统 (MEMS)。这些设备的设计改进主要来自实验和宏观测量,例如整体设备性能。这些设备和材料的微观特性的大多数研究都集中在电气和/或微观结构特性上。目前,许多热问题在很大程度上被忽视,限制了现代设备的性能。因此,这些材料和设备的热性能对于高科技系统的持续发展至关重要。人们对薄膜能量传输机制的了解需求催生了一个新的研究领域,即微尺度传热。微尺度传热只是在必须考虑单个载体或连续模型失效时对热能传递的研究。传热的连续模型经典地是能量守恒定律与热传导的傅立叶定律的结合。类似地,当连续流体力学模型不足以解释某些现象时,就出现了“气体动力学”的研究。微尺度传热领域具有一些惊人的相似之处。相似之处之一是方法论。通常,第一次建模尝试是修改连续模型,以便将微尺度因素考虑在内。更常见且稍微困难的方法是应用玻尔兹曼传输方程。最后,当这两种方法都失败时,通常采用计算详尽的分子动力学方法。下面将更详细地讨论这三种方法和具体应用。图 18.1 演示了电子(金属薄膜中的主要热载体)散射的四种不同机制。所有这些散射机制对于微尺度传热的研究都很重要。块体金属中电子的平均自由程通常在 10 到 30 纳米的数量级上,其中电子晶格散射占主导地位。然而,当薄膜厚度与平均自由程数量级相同时,边界散射就变得很重要。这被称为尺寸效应,因为薄膜的物理尺寸会影响传输特性。薄膜可以使用多种方法并在各种条件下制造。这可能会对薄膜的微观结构产生严重影响,进而影响缺陷和晶界散射。最后,当被超短脉冲加热时,电子系统会变得非常热,以至于电子-电子散射会变得非常明显。因此,微尺度传热需要考虑微观能量载体和各种可能的散射机制。