摘要 热管理是现代电子、航空电子、汽车和储能系统中面临的重要挑战。虽然通常使用被动热解决方案(如散热器或散热器),但主动调节热流(例如通过热开关或二极管)将提供对热瞬变管理和系统可靠性的额外控制程度。本文我们报告了第一个基于柔性、可折叠石墨烯膜的热开关,其工作电压低(约 2 V),热开关比高达约 1.3。我们还采用主动模式扫描热显微镜来实时测量设备行为和开关。针对基于双夹悬浮膜的热开关的一般情况,开发了一个紧凑的分析热模型,突出了热设计和电气设计挑战。系统级建模展示了调节温度波动和平均温度作为开关比的函数之间的热权衡。这些基于石墨烯的热开关为在密集集成系统中主动控制快速(甚至纳秒)热瞬变提供了新的机会。
科学技术的发展鼓励在各个领域,尤其是通过学术创新。在2010年,安德烈·吉姆(Andre K.使用胶带和石墨。石墨,称为纳米技术;卓越具有导电性,强大和弹性的特性,这些出色的特性使石墨机成为具有巨大使用构建活动的材料,例如桥梁的钢丝绳。NASA计划使用石墨烯升至太空;因为他的力量。这项研究分析了来自Google Scholar,Dimension和ResearchGate等各种来源的出版物,探索了石墨烯及其衍生物的属性,以改善复合水泥和未来建设的特性。具有与石墨烯相同的基本特性,氧化石墨烯(GO)也能够提高混凝土的压缩,拉伸和延性强度,减少裂纹,提供电导率,增加耐腐蚀性并提高混合物混合物的可工具性。尽管其在施工中的使用具有克服未来建筑问题的巨大潜力。但是,要能够在建筑活动中使用石墨烯,它仍然需要大量的开发和研究。
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摘要:氨基硅烯分子(HSiNH 2 ,X 1 A ′) 是不饱和氮硅烯的最简单代表,它是在单次碰撞条件下通过气相基元反应形成的,反应涉及硅基自由基(SiH)和氨(NH 3 )。反应由硅基自由基无势垒加成到氮的非键合电子对上引发,形成 HSiNH 3 碰撞复合物,然后通过从氮原子中失去氢原子,单分子分解为氨基硅烯(HSiNH 2 )。与等价氨基亚甲基卡宾 (HCNH 2 , X 1 A ′ ) 相比,通过用硅取代单个碳原子,对等价甲亚胺 (H 2 CNH) − 氨基亚甲基 (HNCH 2 ) 和氨基硅烯 (HSiNH 2 ) − 硅亚胺 (H 2 SiNH) 异构体对的稳定性和化学键产生了重大影响;例如,卡宾与硅烯的热力学稳定性逆转了 220 kJ mol − 1。因此,发现第十四主族元素硅的等价性与原子碳几乎没有相似性,不仅对反应性而且对热化学和化学键也表现出显着影响。
P.O.高级纳米光刻研究中心框93019,1090 BA阿姆斯特丹,荷兰。电子邮件:a.m.brower@uva.nl B Zernike高级材料研究所,Rijksuniversiteititit Groningen,Nijenborgh,Nijenborgh 4,9747 AG Groningen,荷兰。 电子邮件: Albert-Einstein-Straße15,12489德国柏林,Physikalisches Institut,Albert-Ludwigs-Universitae Freiburg,Hermann-Hherder-Straße3,79104 Freiburg,德国,德国G Paul Scherrer Institute,Villigen 5232 Box 94157,1090 GD阿姆斯特丹,荷兰†电子补充信息(ESI)可用:XAS Spectra的拟合参数; tinoh的C K边缘吸收光谱;代表性C 1S XAS光谱为裸锡笼计算出来;计算出O K边缘的裸锡笼的XA;图片片段化MS光谱在100 o m/z O 1400范围内;由于C和O K-Edges的Diert元素而引起的吸收横截面;计算出的裸锡氧化笼状态的密度。 来自DFT计算的相关物种的能量。 参见doi:https://doi.org/10.1039/d3cp05428d‡目前的addres:阿姆斯特丹大学,范·霍维特分子科学研究所,P.O。电子邮件:a.m.brower@uva.nl B Zernike高级材料研究所,Rijksuniversiteititit Groningen,Nijenborgh,Nijenborgh 4,9747 AG Groningen,荷兰。电子邮件: Albert-Einstein-Straße15,12489德国柏林,Physikalisches Institut,Albert-Ludwigs-Universitae Freiburg,Hermann-Hherder-Straße3,79104 Freiburg,德国,德国G Paul Scherrer Institute,Villigen 5232Box 94157,1090 GD阿姆斯特丹,荷兰†电子补充信息(ESI)可用:XAS Spectra的拟合参数; tinoh的C K边缘吸收光谱;代表性C 1S XAS光谱为裸锡笼计算出来;计算出O K边缘的裸锡笼的XA;图片片段化MS光谱在100 o m/z O 1400范围内;由于C和O K-Edges的Diert元素而引起的吸收横截面;计算出的裸锡氧化笼状态的密度。来自DFT计算的相关物种的能量。参见doi:https://doi.org/10.1039/d3cp05428d‡目前的addres:阿姆斯特丹大学,范·霍维特分子科学研究所,P.O。Box 94157,1090 GD阿姆斯特丹,荷兰§§当前的addres:柏林合作伙伴经济和技术GmbH,Fasanenstrasse 85,10623柏林,德国柏林。