[1] S. Murali、LYW Evone、LMWa、BA Danila、LC Keong、LY Ting、BS Kumar、K、Sungsig,“Sn57Bi1Ag 焊料合金接头的微观结构特性”,IMAPS – 第 55 届国际微电子研讨会,波士顿,2022 年 10 月 5 日。[2] Q. Liu、Y. Shu、L Ma、F. Guo,“高电流密度下共晶 SnBi 焊点的微观结构演变和温度分布研究”,2014 年第 15 届国际电子封装技术会议。[3] P.Singh、L. Palmer、RF Aspandiar,“一种研究电迁移的新装置”,SMTA 泛太平洋微电子研讨会,2022 年 2 月 1 日,夏威夷瓦胡岛。 [4] IA Blech,“氮化钛上薄铝膜的电迁移”,J. of Appl. Physics,第 47 卷,第 4 期,1976 年 4 月。
免责声明的马来西亚SDN。bhd。保留更改或修改产品规范的权利,而无需通知,因为我们的政策是不断改进的政策之一。本小册子中包含的信息被认为是正确的。马来西亚SDN的岩盘。bhd。将努力使其出版物保持最新状态,读者会感谢法律可能发生相关的变化,或其他影响本小册子中包含的信息准确性的发展。手册中提到的申请并不一定代表详尽的申请列表。马来西亚SDN岩。bhd。对在与本小册子中描述的应用不同的应用中使用Rockwool的后果不承担责任。应在考虑不同的应用程序的情况下,或任何列出的申请范围疑问,请寻求专家建议。
11.使用注意事项 本产品设计为焊接安装。如果您想使用其他安装方法,例如使用导电粘合剂,请事先咨询我们。此外,如果反复受到温度循环或其他热应力,由于与安装基板的热膨胀系数不同,安装部分的焊料(焊锡圆角部分)可能会破裂。由于热应力而产生的裂纹受到安装的焊盘尺寸、焊料量和安装基板的散热的影响。当假设环境温度变化很大时,请仔细设计。
设计多个组件,同时结合工具和工程学科,以创建适合设计条件的最佳涡轮机。涡轮机组件的设计包括两个设计阶段:预先详细或初步设计阶段和详细设计阶段。在预先详细设计阶段,必须在有限的时间内设计出组件的粗略形状。设计师在初步阶段没有太多可用的知识,因此必须在设计的保真度和实现设计所需的时间之间做出妥协。在详细设计阶段,更加强调设计的保真度,投入更多时间,获得更多知识。因此,使用更准确但通常更慢的方法,例如有限元分析 (FEA) 和计算流体动力学 (CFD)
M. Shafana Farveen·R. R. Narayanan( *)基因工程系,工程技术学院生物工程学院,工程技术学院(CET),SRM科学技术学院(CET),Kattankulathur,Kattankulathur,Kattankulathur
钢 (SS) 与 AISI 400 系列马氏体不锈钢 (参考文献 10、11) 相似,但它仍然非常出色,并且可以采用任何常见的电弧、电阻或高能量密度焊接工艺进行焊接。无需预热 (参考文献 12-I 6) 或 PWHT 来防止开裂或恢复延展性 (参考文献 10、1 [ ])。在这种材料中,由于微观结构中存在残余奥氏体 (参考文献 12),紧邻熔合区的热影响区 (HAZ) 可以通过焊接加热和冷却循环 (参考文献 12、15、17) 有效地退火或软化。因此,这种材料可以在时效条件下焊接而不会产生裂纹(参考文献 11、15),因为焊接热量会导致 HAZ 局部软化(参考文献 12)。此外,在固溶处理 (ST) 条件下焊接不会导致固溶处理结构出现明显的沉淀硬化,因为焊接期间的加热时间太短(参考文献 12、14、15)。对于焊接 17-4 PH SS,通常首选匹配成分或低强度高延展性不锈钢的填充金属和电极(参考文献 1、11、15、16)。用匹配填充金属制成的焊件可以时效到与母材相当的强度水平,并用于生产高强度焊件。但是,如果允许较低的强度水平,则可以使用奥氏体不锈钢焊接金属。
VI. 参考文献 [1] Jamin Ling Joseph Sanchez Ralph Moyer 2、Mark Bachman 2、Dave Stepniak I、Pete Elenius 'Kulicke & Soffa“倒装芯片技术的铜上直接凸块工艺”2002 年电子元件与技术会议。 [2] Li Li、M. Nagar、J. Xue“热界面材料对倒装芯片 PBGA 和 SiP 封装制造和可靠性的影响”2008 年第 58 届电子元件与技术会议。 [3] Samuel Massa、David Shahin、Ishan Wathuthanthri 博士、Annaliese Drechsler 和 Rajneeta Basantkumar“具有不同凸块成分的倒装芯片键合工艺开发”2019 年国际晶圆级封装会议论文集。
化学机械平坦化 (CMP) 工艺已广泛用于平坦化硅基半导体器件中的各种材料,包括电介质、金属和半导体。它是实现纳米级晶圆和芯片级平坦度的最关键步骤之一。然而,在 CMP 工艺之后,晶圆表面上会观察到各种污染物,并且由于它们对器件性能和可靠性具有最直接的影响,因此它们成为许多代快速减小的特征尺寸中最关键的良率降低因素。本书章节提供了 (1) CMP 耗材引起的污染物,例如残留颗粒、表面残留物、有机残留物、焊盘碎片和金属杂质、焊盘污染、水印等,(2) CMP 后清洁过程中刷子引起的交叉污染,(3) 去除这些污染物的 CMP 后清洁。对各种类型的 CMP 污染物的形成及其特性的基本了解将极大地有利于下一代 CMP 浆料和 CMP 后清洁解决方案的开发。