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序列 MSWDDAIEGV DRDTPGGRMP RAWNVAARLR AANDDISHAH VADGVPTYAE LHCLSDFSFL RGASSAEQLF ARAQHCGYSA LAITDECSLA GIVRGLEASR VTGVRLIVGS EFTLIDGTRF VLLVENAHGY PQVCGLVTTA RRAASKGAYR LGRADVEAQF RDVAPGVFAL WLPGVQPQAE QGAWLQQVFG ERAFLAVELH REQDDGARLQ VLQALAQQLG MTAVASGDVH MAQRRERIVQ DTLTAIRHTL PLAECGAHLF RNGERHLRTR RALGNIYPDA LLQAAVALAQ RCTFDISKIS YTYPRELVPE GHTPTSYLRQ LTEAGIRKRW PGGITAKVRE DIEKELALIA LKKYEAFFLT过程RVRERMQGKG YASTFIDQIF EQIKGFGSYG FPQSHAASFA KLVYASCWLK RHEPAAFACG LLNAQPMGFY SASQIVQDAR RGSPERERVE VLPVDVVHSD WDNTLVGGRP WRSAADPGEQ PAIRLGMRQV AGLSDVVAQR IVAARTQRAF ADIGDLCLRA ALDEKACLAL AEAGALQGMV GNRNAARWAM AGVEARRPLL PGSPEERPVA FEAPHAGEEI LADYRSVGLS LRQHPMALLR PQMRQRRILG LRDLQGRPHG SGVHVAGLVT QRQRPATAKG TIFVTLEDEH GMINVIVWSH LALRRRRALL ESRLLAVRGR WERVDGVEHL IAGDLHDLSD LLGDMQLPSR DFH
要计算行业维度的不匹配指数,我们需要每个行业的职位空缺数量和失业求职者数量。我们使用 Jobindex.dk 的职位空缺数据和 BFL 与 DREAM 组合中按行业划分的失业人数。Jobindex.dk 使用结合了行业和职业的分类:我们建立了此分类与 BFL-DREAM 组合的映射。这不是唯一的映射:必须在两侧汇总多个行业组。对于某些行业,没有对应项,但我们设法将大多数行业组相互映射。2% 的工人和 10% 的职位空缺在此过程中丢失,未被指数覆盖。最值得注意的是,分类为“设计”、“管理”、“安全”和“学生”的职位空缺无法与 BFL 数据中的行业匹配。
本报告是由美国政府某个机构资助的工作报告。美国政府或其任何机构、其雇员、承包商、分包商或其雇员均不对所披露信息、设备、产品或流程的准确性、完整性或任何第三方的使用或此类使用结果做任何明示或暗示的保证,或承担任何法律责任或义务,或表示其使用不会侵犯私有权利。本文以商品名、商标、制造商或其他方式提及任何特定商业产品、流程或服务,并不一定构成或暗示美国政府或其任何机构、其承包商或分包商对其的认可、推荐或支持。本文表达的作者的观点和意见不一定代表或反映美国政府或其任何机构的观点和意见。
摘要我们报告了由单晶立方ktao 3中的位错介导的室温散装可塑性,与传统的知识形成了鲜明的了解,即单晶ktao 3容易受到脆性裂解的影响。使用环状Brinell凹痕,划痕和单轴体积压缩的基于力学的组合实验方法始终显示从Mesoscale到宏观尺度的KTAO 3中的室温脱位。这种方法还提供可调的脱位密度和塑性区域尺寸。扫描传输电子显微镜分析基于激活的滑移系统为<110> {1-10}。鉴于KTAO 3作为新兴的电子氧化物的意义越来越重要,并且对调谐氧化物物理特性的脱位的兴趣越来越大,我们的发现有望引发与脱位的KTAO 3的协同研究兴趣。
8 三星电子有限公司三星先进技术研究所 (SAIT),韩国水原 16678 gwanlee@snu.ac.kr 摘要 (Century Gothic 11) 通过化学气相沉积 (CVD) 在具有外延关系的晶体基底(例如 c 面蓝宝石)上合成了晶圆级单晶过渡金属二硫属化物 (TMD)。由于 TMD 外延生长的基底有限,因此需要将转移过程转移到所需的基底上进行器件制造,从而导致不可避免的损坏和皱纹。在这里,我们报告了通过过渡金属薄膜的硫属化在超薄 2D 模板(石墨烯和 hBN)下方的 TMD(MoS 2 、MoSe 2 、WS 2 和 WSe 2 )的异轴(向下排列)生长。硫族元素原子通过石墨烯在硫族化过程中产生的纳米孔扩散,从而在石墨烯下方形成高度结晶和层状的TMD,其晶体取向排列整齐,厚度可控性高。生长的单晶TMD显示出与剥离TMD相当的高热导率和载流子迁移率。我们的异轴生长方法能够克服传统外延生长的衬底限制,并制造出适用于单片3D集成的4英寸单晶TMD。参考文献 [1] Kang, K. 等。具有晶圆级均匀性的高迁移率三原子厚半导体薄膜。Nature 520 , 656-660 (2015).[2] Liu, L. 等。蓝宝石上双层二硫化钼的均匀成核和外延。Nature 605 , 69-75 (2022) [3] Kim, K. S. 等人。通过几何限制实现非外延单晶二维材料生长。Nature 614 , 88-94 (2023)。
了解结构和电子对称性破坏在基于Fe的高温超导体中的相互作用仍然引起了人们的关注。在这项工作中,我们使用分子束外延在一系列厚度中种植了应变的多层FESE薄膜。我们使用扫描隧道显微镜和光谱法研究了电子列区域和空间变化应变的形成。我们直接可视化边缘的形成,从而导致膜中的二维边缘脱位网络。有趣的是,我们观察到位错网络的45度内部旋转是膜厚度的函数,从而沿不同方向产生抗对称应变。这会导致电子列域和反对称应变之间的耦合比不同。最后,我们能够通过揭示两个区域之间差分电导图的较小能量依赖性差异来区分不同的正交列域。这可以通过轨道选择性尖端样本隧道来解释。我们的观察结果为外延薄膜中的脱位网络形成带来了新的见解,并提供了另一个纳米级工具来探索基于Fe的超导体中的电子nematicity。
PTEN 错构瘤综合征 (PHTS) 是一系列由 PTEN 的种系突变引起的遗传性癌症综合征。PHTS 备受关注,因为它的神经系统合并症发生率很高,包括大头畸形、自闭症谱系障碍和智力障碍。由于 PHTS 的详细脑形态和连通性仍不清楚,我们对 PHTS 中的脑磁共振成像 (MRI) 进行了定量评估。12 名 PHTS 患者和神经典型对照者的 16 张结构性 T1 加权 MR 图像和 9 张扩散加权 MR 图像用于结构和高角度分辨率扩散 MRI (HARDI) 纤维束成像分析。75% 的 PHTS 参与者观察到胼胝体肥大,33% 的参与者观察到多小脑回畸形,83% 的参与者观察到脑室周围白质病变,17% 的参与者观察到异位。虽然脑回指数和半球皮质厚度在两组之间没有显著差异,但 PHTS 患者的整体和局部脑容量显著增加,且局部皮质厚度增加。HARDI 纤维束成像显示胼胝体通路的体积和长度增加,弓状束 (AF) 的体积增加,双侧下纵束 (ILF)、双侧下额枕束 (IFOF) 和双侧钩束的长度增加。PHTS 患者的 AF、左侧 ILF 和左侧 IFOF 的各向异性分数降低,表观扩散系数值增加。
也站在这里(比我更优雅地走在这里)是Sandhill起重机。保护主义者阿尔多·利奥波德(Aldo Leopold)观察到的那些庄严的生物“像他们自己历史上闷闷不乐的页面一样站着。”在其他地方,泥炭沉积物的撕裂页面已被切断以供燃料干燥的年龄。早期的罗马人看到了北欧和西欧人民的征服人民实践。泥炭也被用作爱尔兰,苏格兰和北欧的燃料。和泥炭是煤的前体,在地质压力下转化为棕色煤,沥青,沥青煤和无烟煤。
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