XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System球键
在确定Diffie-Hellman键
摘要。Diffie-Hellman协议是由Whitfield和Martin Hellman提出的。diffie和Hellman想要一个数学函数，其中加密和解密并不重要，即（𝑔（𝑥））=𝑔。存在这样的功能，但主要是双向，即查找逆函数很容易工作，例如。这样的功能为𝑓（𝑥）=2𝑥这些函数的实际示例是电开关。但是，这些功能在密码学中不可用。最重要的是所谓的单向函数的混凝土形式。这些功能似乎可以找到它们的逆函数，这些功能是通过复杂过程找到的。因此，对于给定的𝑥，我们可以轻松计算𝑓（𝑥），但是对于给定的𝑓（𝑥），很难测量𝑥，但是如果已知秘密值，那么直接值和逆值都很容易计数。模块化算术是指大量此类单时间函数的存在。因此，在本节中，我们将探索以找到此类功能。关键字：单向，逆，加密，DH协议。
等温时效过程中Cu/Al金属间化合物及铜球键合处裂纹的生长行为
在微电子领域，铜线越来越多地代替金线用于制作键合互连。在这些应用中使用铜有许多潜在的好处，包括更好的电气和机械性能以及更低的成本。通常，导线键合到铝接触垫上。然而，人们对导线/垫界面处 Cu/Al 金属间化合物 (IMC) 的生长了解甚少，如果过度生长，会增加接触电阻并降低键合可靠性。为了研究 Cu 球键合中 Cu/Al IMC 的生长，在 250 C 下高温老化长达 196 小时，以加速键合的老化过程。然后记录了 Cu/Al IMC 的生长行为，并获得了 6.2 ± 1.7 · 10 14 cm 2 /s 的 IMC 形成速率。除了垂直于键合界面的常规 yz 平面横截面外，还报告了平行于界面层的 xy 平面横截面。在光学显微镜下，在球键合 xy 平面横截面上，Cu/Al 界面处有三层 IMC 层，它们的颜色不同。微 XRD 分析结果证实，Cu 9 Al 4 和 CuAl 2 是主要的 IMC 产物，而发现第三相，可能是 CuAl。在老化过程中，IMC 膜从键合外围开始生长，并向内传播至中心区域。随后，随着老化时间的增加，在 IMC 层和 Cu 球表面之间观察到空洞，也是从键合外围开始。空洞最终连通并向中心区域发展，导致球和金属间层之间几乎完全断裂，这是 81 小时后观察到的。2007 Elsevier Ltd. 保留所有权利。
3M™陶瓷微球
保修，有限的补救措施和免责声明：3M控制之外的许多因素以及用户知识和控制在特定应用程序中的使用和性能都会影响3M产品的使用和性能。用户完全负责评估3M产品，并确定它是否适合特定目的并适合用户的应用方法。除非在适用的产品文献或包装插件中明确说明了不同的保修，否则3M的保证令，每种3M产品在3M时符合适用的3M产品规范。3M没有任何明示或暗示的其他保证或条件，包括但不限于针对特定目的的适销性或适用性的任何隐含保证或条件，或因交易，自定义或使用贸易的方式而产生的任何暗示保证或条件。如果3M产品不符合此保修，则可以选择3M的唯一和独家补救措施，以取代3M产品或退款的购买价格。
WS-006 - 微电子 - L3Harris Technologies, Inc.
5.1.封装柱中的新月形键合放置 5.2.键合焊盘中的球形键合放置 5.3.球形键合与相邻金属化的分离 5.4.球形键合放置于芯片附近 5.5.球形键合形成最小值 5.6.球形键合形成最大值 5.7.球形键合尺寸（图示） 5.8.球形键合化合物键合 5.9.球形键合线出口 5.10.线中的球形键合变形 5.11.球形键合线环路，公共线 5.12.球键应力释放和导线环路 5.13。球键应力释放和导线环路（图示） 5.14。楔形键合尺寸（图示） 5.15。楔形键合形成，最小，小线径 5.16。楔形键合形成，最大，小线径 5.17。楔形键合形成，大线径 5.18。楔形键合放置在柱上，大线径 5.19。楔形键合线从柱中退出 5.20。楔形键合应力释放，大线径 5.21。安全债券 - 新月债券上的球形债券 6。外部视觉 ...................................................................................................................................................................... 56
引线键合技术大辩论：球形键合与楔形键合
图 2：典型球/月牙互连的简化表示 自动引线键合机于 20 世纪 80 年代初推出。当时，大多数互连都是使用铝线制作的。随着对高可靠性需求的增加，金线变得更加普遍。随着封装密度的增加，引线互连键合间距减小。细间距的初始解决方案是楔形键合，因为楔形工具设计允许将引线紧密键合（并排）。 细间距互连 在更小的空间内封装更多元件的需求导致 ASIC 设计变得更加密集。人们曾认为，互连细间距封装的最佳方法是通过楔形键合。在 20 世纪 90 年代后期，典型的键合间距从约 110µm 减小到约 90µm。在此期间，平均楔形工具尖端大约是球键合毛细管工具尖端宽度的三分之一。毛细管材料缺乏支持细间距工艺的稳健性。从那时起，改进的材料使细间距设计成为可能，其中尖端尺寸小于 70µm 的情况并不罕见。更小的特征、更高的密度和更多的 I/O 需要细间距。在当今的细间距环境中，任何使用楔形键合机键合的设备都可以使用球焊设备更快地键合。图 3 和图 4 描绘了使用 1.0 mil 导线通过球焊互连的 55µm 细间距架构。