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摘要 - 在开发有希望的ULIS缩放技术的发展中，一个关键作用之一是由多孔介电特性扮演的，具有低介电常数，用于分离金属化系统中的互连。在此类膜的毛孔中的气态产物的凝结使得可以解决阻止这种膜整合的最重要的问题，以进行低破坏性的等离子体蚀刻。然而，研究孔隙率的方法也基于膜孔中凝结过程中的吸附等温线的研究。因此，毛孔吸附的研究是创建具有低介电常数的电介质的最重要的实际问题之一，并且研究了其结构化的低伤害方法。椭圆测量法的方法是一种易于实现和准确的方法，用于获得吸附等温线。但是，其对孔径分布的进一步分析和确定缩小为解决积分方程，这是一个错误的问题。在本文中，我们建议采用Tikhonov的统治方法来解决它。该方法在模型数据上进行了验证，并用于研究最初厚度为202 nm的低K介电样品，基于有机硅酸盐玻璃的介电常数为2.3。
文章结构，氮化钛电极的氧气含量和电性能X /LA：HFO 2 /TIN X堆叠在Sio 2 /si 2 /si < /div>
TRON能量损失光谱被彻底考虑。研究表明，在底部电极中的氧气浓度较高（约14.2±0.1 at。％）与顶部电极相比（约11.4±0.5 at。％）。以下平均化学计量公式为锡0。52 o 0。20上衣和锡0。54 O 0。 26底部和底部电极的底部。 由于血浆中的氧杂质与SIO 2和HFO 2的扩散相比，血浆中的氧气量不足。 这种不对称性，以及在Si底物上生长的样品的结果表明，与从SIO 2底物和PEALD生长过程中从SIO 2底物和HFO 2介电介质的扩散相比，与血浆本身的氧杂质相比是一个较小的部分。 我们观察到HF氧化物层和Ti nitride Electrodes以及SIO 2界面之间的界面上的TIO 2存在。 EELS分析导致底部锡X O Y的带隙范围为2.2至2.5 eV，而顶部锡X O Y的带隙范围为1.7-2.2 eV，使用光吸收光谱与顶部Tin X电极（1.6±01 eV）上的结果公平吻合。 测量板电阻，电阻率和温度系数通过在20到100°C的顶部锡x o y电极上的四点探头的电阻系数对应于半导体的典型值。54 O 0。26底部和底部电极的底部。由于血浆中的氧杂质与SIO 2和HFO 2的扩散相比，血浆中的氧气量不足。这种不对称性，以及在Si底物上生长的样品的结果表明，与从SIO 2底物和PEALD生长过程中从SIO 2底物和HFO 2介电介质的扩散相比，与血浆本身的氧杂质相比是一个较小的部分。我们观察到HF氧化物层和Ti nitride Electrodes以及SIO 2界面之间的界面上的TIO 2存在。EELS分析导致底部锡X O Y的带隙范围为2.2至2.5 eV，而顶部锡X O Y的带隙范围为1.7-2.2 eV，使用光吸收光谱与顶部Tin X电极（1.6±01 eV）上的结果公平吻合。测量板电阻，电阻率和温度系数通过在20到100°C的顶部锡x o y电极上的四点探头的电阻系数对应于半导体的典型值。
使用机器学习预测聚合物的频率相关介电常数
介电常数 (ϵ) 是用于储能电容器、微电子设备和高压绝缘体的聚合物电介质设计的关键参数。然而，灵活地发现具有理想ϵ 的聚合物电介质仍然是一个挑战，特别是对于高能、高温应用而言。为了加速聚合物电介质的发现，我们开发了一种基于机器学习 (ML) 的模型，可以即时准确地预测聚合物的频率相关 ϵ，频率范围跨越 15 个数量级。我们的模型使用一组包含 1210 个不同频率下实验测量的 ϵ 值的数据集、先进的聚合物指纹方案和高斯过程回归算法进行训练。开发的 ML 模型用于预测 60 – 10 15 Hz 频率范围内可合成的 11,000 种候选聚合物的 ϵ，并在整个过程中恢复正确的逆 ϵ 与频率趋势。此外，我们使用 ϵ 和另一个之前研究过的关键设计属性（玻璃化转变温度，T g ）作为筛选标准，提出了五种具有所需 ϵ 和 T g 的代表性聚合物，用于电容器和微电子应用。这项工作展示了使用替代 ML 模型成功快速地发现满足特定应用的单一或多个属性要求的聚合物。
设计聚合物电介质中结构单元的定制组合用于高温电容储能
许多新兴应用中的主流介电储能技术，如可再生能源、电气化交通和先进推进系统，通常需要在恶劣的温度条件下运行。然而，在当前的聚合物介电材料和应用中，优异的电容性能和热稳定性往往是互相排斥的。在这里，我们报告了一种定制结构单元以设计高温聚合物电介质的策略。预测了由不同结构单元组合而成的聚酰亚胺衍生聚合物库，并合成了 12 种代表性聚合物用于直接实验研究。这项研究为实现在高温下具有高能量存储能力的坚固稳定的电介质所必需的决定性结构因素提供了重要的见解。我们还发现，当带隙超过临界点时，高温绝缘性能的边际效用会递减，这与这些聚合物中相邻共轭平面之间的二面角密切相关。通过实验测试优化和预测的结构，观察到在高达 250°C 的温度下能量存储增加。我们讨论了将该策略普遍应用于其他聚合物电介质以进一步提高性能的可能性。
适用于 7 nm FinFET 工艺的可控硅整流器嵌入式二极管静电放电保护
静电放电 (ESD) 引起的损坏是集成电路的主要失效之一。在当今集成电路所采用的 7nm FinFET 工艺中，由于 FinFET 栅极氧化层的厚度减小以及高 k 电介质的可靠性较低，在静电放电 (ESD) 冲击下极其脆弱[1-3]，并且遭遇非致命的 ESD 冲击后，ESD 保护性能会逐渐下降[4,5]。一些 ESD 建模和仿真技术已被用于 FinFET 工艺，以帮助分析 ESD 冲击下的 ESD 保护特性[6-9]。ESD 保护二极管被认为是一种很有前途的 ESD 保护器件[6-8]。具有高鲁棒性的二极管串硅控整流器 (DSSCR) 也被认为是以前技术节点的 ESD 保护装置 [ 10 – 15 ]，但由于其高漏电和闩锁的较大回弹，它不再适用于 7 nm 技术。FinFET 工艺的 ESD 设计仍然是一个巨大的挑战。目前还没有一种具有足够低触发电压 (Vt) 和高故障电流 (It2) 的高鲁棒性 ESD 保护装置。在本文中，我们提出了一种基于 7 nm FinFET 工艺的新型硅控整流器嵌入式二极管 (SCR-D)。制造并分析了具有不同关键设计的这种保护的特性。
光驱动 IV 族单硫属化物中正常到拓扑绝缘体马氏体相变
摘要 一种可能表现出具有不同光电特性的多个晶相的材料可用作相变存储材料。当两个竞争相具有较大的电子结构对比度并且相变过程为无扩散和马氏体时，灵敏度和动力学可以增强。在这项工作中，我们从理论和计算上说明了这种相变可能发生在 IV 族单硫属化物 SnSe 化合物中，该化合物可以存在于量子拓扑平凡的 Pnma -SnSe 和非平凡的 Fm 3 m -SnSe 相中。此外，由于这些相的电子能带结构差异，揭示了 THz 区域的光学响应的巨大差异。根据驱动电介质的热力学理论，提出了使用具有选定频率、功率和脉冲持续时间的线性偏振激光进行光机械控制以触发拓扑相变。我们进一步估计了驱动可在皮秒时间尺度上发生的无障碍跃迁的临界光电场。这种光致动策略不需要制造机械接触或电引线，只需要透明度。我们预测，伴随大熵差的光驱动相变可用于“光热”冷却装置。
乌迪内大学 - UNIUD
在过去十年中，石墨烯因其独特的电气特性（如高电子迁移率和高饱和速度 [1]）而备受关注。遗憾的是，由于没有带隙，石墨烯不适合数字电路应用。在模拟 RF 电路中，传统的 MOSFET 结构（如石墨烯场效应晶体管 (GFET)）能够达到约 400 GHz 的截止频率 (f T ) [2]，但输出特性的非饱和行为 [3] 导致重要 RF 性能指标的下降，因为固有电压增益 A V = g m / g ds 。出于这个原因，最近提出了新的基于石墨烯的晶体管概念，如石墨烯基晶体管 (GBT, [4])，利用通过薄电介质的量子隧穿，如热电子晶体管 (HET, [5])。GBT 由垂直结构组成（图1 中的插图），其中石墨烯片用作控制电极，即基极 (B)，位于图1 中的 x = 0 处。基极通过发射极-基极和基极-集电极绝缘体（分别为 EBI 和 BCI）与金属或半导体发射极 (E) 和金属集电极 (C) 隔开 [4]。在正常运行中（即正基极-发射极偏压，V BE > 0 和正集电极-基极偏压，V CB > 0），电子隧穿 EBI，垂直于石墨烯片 (GR) 穿过基极，然后沿着图1 中的 x 方向漂移穿过 BCI 的导带 (CB)。尽管其单原子厚度，
Microsoft Word - B.SC. 物理科学_物理、化学、数学_-CB.docx
物理学-DSC 2A：电和磁（学分：理论-04、实践-02）理论：60 讲座矢量分析：矢量代数（标量和矢量积）回顾、梯度、散度、旋度及其意义、矢量积分、矢量场的线、表面和体积积分、高斯散度定理和斯托克斯矢量定理（仅陈述）。（12 讲座）静电学：静电场、电通量、高斯静电定理。高斯定理的应用-点电荷、无限长电荷线、均匀带电球壳和实心球、平面带电片、带电导体引起的电场。电势作为电场的线积分，由点电荷引起的电势，电偶极子，均匀带电球壳和实心球。根据电位计算电场。孤立球形导体的电容。平行板、球形和圆柱形电容器。静电场中单位体积的能量。介电介质、极化、位移矢量。电介质中的高斯定理。完全充满电介质的平行板电容器。（22 讲）磁性：静磁学：毕奥-萨伐尔定律及其应用-直导体、圆形线圈、载流螺线管。磁场的发散和旋度。磁矢势。安培环路定律。材料的磁性：磁强度、磁感应、磁导率、磁化率。简介
Paul Sabatier 2024 年 6 月 30 日至 7 月 4 日，法国图卢兹
自 1983 年在法国图卢兹成立以来，国际固体电介质传导与击穿会议 (ICSD) 已成功举办了 11 届会议，如今，该会议向液体和气体电介质敞开了大门，并于 2016 年在蒙彼利埃举办了国际电介质会议 (ICD)。ICD 是一个跨学科论坛，为来自工业界、学术界和研究中心的研究人员提供了一个独特的机会，让他们齐聚一堂，回顾他们的研究活动。它涵盖了电介质材料和电介质现象领域的研究，以及设备在工作应力下电绝缘的行为和特性。会议涵盖了功率器件以及涉及绝缘和电介质的所有系统的主题。第五届 ICD 将于 2024 年 6 月 30 日星期日至 2024 年 7 月 4 日星期四在法国图卢兹举行，距 2004 年 ICSD 会议仅过去 20 年。图卢兹是欧洲航空航天业的主要城市，空中客车公司总部就设于此。2023 年，26 家航空公司和 69 个国际目的地均可轻松抵达图卢兹。我们热忱邀请您预留日期，参加第五届 ICD 并为其做出贡献。辅导课将在会议第一天举行。欢迎提交固体、液体和气体电介质所有领域的论文。
标题：基于等离子体的薄膜技术在纳米和千兆尺寸电子产品制造中的应用
基于MOSFET的集成电路和基于TFT的平板显示器是全球最大的两个微电子产业。前者的总体趋势是将器件尺寸缩小到纳米级；后者的趋势是将产品尺寸增加到几米。薄膜对于器件的性能和可靠性至关重要。除了严格控制几何形状、轮廓和产量外，成功的制造工艺还必须满足三个基本要求：大面积、高产量和低温。等离子体工艺，即等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、等离子体蚀刻（PE）/反应离子蚀刻（RIE）和溅射沉积，已被证明能有效满足上述要求。虽然对纳米和千兆级微电子的要求截然不同，但它们可以通过基于基本等离子体物理和化学描述复杂的工艺-材料-器件关系来实现。在本次演讲中，将给出使用PECVD工艺操纵体膜和界面特性以获得优化的器件特性的示例。此外，还将讨论在等离子蚀刻工艺中实现高蚀刻选择性、倾斜边缘轮廓和最小化辐射对晶体管的损伤的原理。此外，还将回顾高结晶温度、用于栅极电介质的非晶亚纳米 EOT 高 k、纳米晶体嵌入非易失性存储器以及通过溅射沉积法制备的新型固态白炽发光器件。创新方法（例如新的基于等离子的室温铜蚀刻工艺）可以解决当前行业以及未来半导体制造中的许多挑战性问题。