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计算机信息技术和无线电电子学大型英俄解释性科技词典
UDC 681.3 (038) BBK 73 + 81.2 English-4 K55 Kochergin V.I. 计算机信息技术和无线电电子学大型英俄解释性科学技术词典：共 9 卷（第 1 卷 - 460 页，T. 2 - 436 羽, T.3 - 511 羽, T.4 - 407 羽、T.5 - 398 羽、T.6 - 488 羽、T.7 - 587 羽、T.8 - 399 羽、T.9 - 456 羽）。托木斯克：汤姆出版社。大学，2016 ISBN 978-5-7511-2332-1 本书是作者五卷本词典（Kochergin V.I. 计算机信息技术和无线电电子学大型英俄解释性科学技术词典）的重要扩充。托木斯克：出版众议院卷。计算机和信息技术词典还包括无线电电子半导体技术——基于射频电磁振荡和电波（雷达、卫星）来传输和转换信息的一系列科学技术领域的统称。通信、电视、电声等）。该词典不仅包含无线电电子学的现代术语，还包含已进入其历史的术语。该词典面向广泛的用户，从大学生到参与翻译所介绍主题的文本的专业人士。 UDC 681.3 (038) BBK 73 + 81.2 English-4 ISBN 978-5-7511-2332-1 © V.I.科切尔金
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只需想象一下没有其他术语的声音或空间，就能意识到它们之间的密切关系。想象一下没有空间的声音，无处不在，却又无处可寻。这个想法是超凡脱俗的，属于宗教、神秘主义和美学领域。这是上帝的声音直接对“心”或“精神耳朵”说话（Bauman 1983；Ihde 2007 [1976]；Saeed 2012），佛法 Om 和 Sufi Hu 使崇拜者能够“[忘记] 一切尘世的区别和差异，[达到] 所有上帝祝福者团结在一起的真理目标”（Beck 1993；Inayat Khan 1996：72）。宗教团体一直试图通过冥想和恍惚来捕捉非空间声音的体验，并利用物理混响的去空间化效果来实现精神超越（Blesser and Salter 2007）。通过使用电声扬声器来实现“声音支配”（Henriques 2003），声音与其内部接收之间建立直接、无空间联系的目标也已出现，这种“声音支配”会包裹并侵入身体，使主体消解。在亚文化和实验音乐场景中，高音量和近距离放大的声音就是为了达到这种效果，例如日本噪音（Novak 2013）和牙买加舞厅（Henriques 2003, 2011），以及
JP 1-02，国防部军事和……词典
流产 - （*）1。除了敌人行动以外，出于任何原因终止任务。它可能发生在任务开始后和完成之前的任何时刻。2。停止飞机起飞或导弹发射。可接受性 - 联合操作计划审查标准，用于评估预期的行动课程是成比例的，并且值得在人员，设备，物资，涉及时间或职位上的成本；与战法一致；在军事和政治上是可以支持的。另请参阅充分性；可行性。（JP 5-0）访问分类信息 - 获得分类信息知识的能力和机会。如果允许他们获得信息的知识，或者他们处于期望获得此类知识的地方，则可以访问分类信息。，如果安全措施阻止他们获得信息知识，则可以通过在保留机密信息的地方来访问分类信息。随附的用品 - 与部队部署的单位供应。问责制 - 法律或合法命令或法规对官员或其他人施加的义务，以保留财产，文件或资金的准确记录。具有此义务的人可能实际拥有财产，文件或资金。问责制主要与记录有关，而责任主要涉及监护，护理和保管。另请参见责任。信息的准确性 - 请参阅评估。声学监视 - 用于收集信息的电子设备的使用，包括录音， - 接种或传输设备。声学智能 - 智能源自声学现象的收集和处理。也称为acint。（JP 2-0）声学障碍 - 有意辐射或重新辐射机械或电声信号，其目的是消除或掩盖敌人试图接收和破坏敌方武器系统的信号。另请参阅弹幕堵塞；电子战；堵塞。（JP 3-13.1）收购和交叉服务协议 - 与美国盟友或联盟合作伙伴进行双边协商的协议，这些协议允许美军交换大多数常见类型的支持，包括食品，燃料，运输，送货机和设备。国防部长通常将谈判这些协议的权力委托给战斗人员指挥官。执行这些协议的权力在于国防部长，可能会或可能不会委派。由法律管辖
和宽带半导体的纳米技术
氮化盐和相关的宽带半导体（WBS）近年来一直受到广泛关注。其背后的主要原因是半导体的几个相关的高功率/高频材料参数，例如高分解场和低内在载流子浓度，具有带隙的比例。基于WBS的半导体设备允许在极端条件下运行，例如高温和电场。从IR到深色紫外线的各种波长，使带隙工程以及出色的电子传输特性使氮化物也使电子和光电设备具有吸引力。今天，基于氮化物的设备被广泛用于高性能雷达（主要是3D AESA），电信（LTE-A，5G），电力电子系统，发光二极管和激光器。尽管在过去的二十年中取得了长足的进步，但所有这些设备仍然是发挥其全部潜力的激烈研究的主题[1-4]。在本期特刊中，发表了八篇论文，涵盖了宽带隙半导体设备技术的各个方面，从底物到epi-Egrowth和epi-Growth和emaking topor掺杂，再到HEMTS的新型过程模块，垂直整合的LED和激光二极管，以及基于NWS的纳米固醇。K. Grabianska等。报道了波兰Unipress的最新批量GAN技术进展[5]。已经对两个过程进行了彻底研究，即基本的氨热生长和卤化物蒸气期的外观以及它们的优势，缺点和详细讨论的前景。M. Stepniak等。 [8]。M. Stepniak等。[8]。作者假设在几年内高质量2英寸。真正的散装gan底物将大量提供，但如今，质量制造的主要方法将是HVPE，将AM-GAN晶体作为种子。[6]研究了GAN和Algan/Gan/Gan Hetereostrustures的选择性区域金属有机蒸气（SA-MOVPE）的过程，该过程旨在使用自下而上的建筑进行HEMT技术。获得了出色的生长均匀性，适当的结构预科，并获得了组成梯度的精确控制。讨论了SA-MOVPE过程在使基于GAN的3D纳米和微结构中用于电声，机电和集成的光学设备和系统的应用。K. Sierakowski等。[7]报道了高压在高温下植入后植入后退火的报道。讨论了该过程的热力学，并在两个方面研究了其GAN加工的应用。首先专注于GAN：mg用于P型掺杂，第二位于GAN上：被视为分析掺杂剂扩散机制的案例研究。为了防止gan表面分解，研究了退火过程的不同构造。mg激活超过70％，与与掺杂的gan相似的电性能一起达到了70％。Algan/GAN金属 - 胰蛋白酶高导体高电动晶体管（MISHEMT），其具有低温同育（LTE）生长的单晶ALN GATE介电介质。闸后退火效应