I. 引言基于有机薄膜晶体管 (OTFT) 的集成电路近年来呈现出快速发展势头,向着更高集成度和更高性能发展。与无机晶体管相比,OTFT 因其成本低、温度低、制造速度快,尤其是与机械柔性和轻质聚合物基板的兼容性而前景看好 [1]。因此,OTFT 有望实现大面积、可弯曲和可卷曲的应用,如电子纸和平板显示器 [2]。此外,近期 OTFT 的低压工作能力为集成大面积有机电子器件和高性能薄硅芯片的混合解决方案提供了可能性 [3],也使其非常适合电池供电或频率耦合的便携式设备,如射频识别 (RFID) 标签 [4]。最后,由于有机半导体与多种溶剂蒸汽具有化学相互作用,OTFT 还可用于化学和生物传感器 [5]。在所有这些
摘要:锂镍锰钴(LiNi x Co y Mn z ,NCM)复合材料在先进电子器件和材料/合金中的应用十分广泛,其杂质成分分析是评价其质量的重要领域。本文提出了采用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)测定NCM复合材料中硫的方法。研究了Si、Fe、Mn、Mg、Ca、Ni、Cr及主基体共存杂质的影响。在优化的条件下,硫在0~10 mg/L(±0.9999)范围内呈现良好的线性关系,加标回收率为98.11~102.07%,RSD为3.69%,共存杂质含量低于5.0%对硫的测定无明显干扰。该方法可以作为NCM复合材料中痕量硫含量的可靠测定。
*1) S. Tanimoto 等,IEEE 电子器件汇刊,第 62 卷,第 258-269 页,(2011 年) *2) Y. Yamada 等,微电子可靠性,第 47 卷,第 12 期,第 2147-2151 页,(2015 年) *3) S. Tanimoto 等,ECS Trans,第 58 卷,第 4 期,第 33-47 页,(2013 年) *4) Kato 等,第 34 届日本电子封装协会春季会议,3C5-01,(2020 年) *5) Kato 等,IEICE 信息与通信工程师汇刊,第 J103-C 卷,第 3 期,第 129-136 页,(2020 年) *6) Yamanaka,第 28 届日本电子封装协会春季会议,7B-05,(2014 年) *7) CM Tan,世界科学出版,(2010 年)*8)Hayama 等人,《智能处理杂志》,第 9 卷,第 5 期,第 216-223 页,(2020 年)
摘要:近年来,由于可再生能源和分布式发电源的普及,电网系统的复杂性日益增加。日益增加的复杂性需要新的可扩展方法来快速管理不断变化的电源和负载。本文重点介绍其中一种称为 SST 的技术。SST 使用电力电子器件和高频变压器实现隔离和从一个电平到另一个电平的电压转换。不同的研究人员提出了几种 SST 拓扑。本文还概述了 SST 拓扑,这些拓扑可提供未来能源系统所需的附加功能。此外,还研究了高频变压器的损耗、效率、磁通密度优化和 SST 的应用。还给出了一个与高频变压器相关的示例系统,该示例系统表明,电磁装置的运行会受到运行条件相对较小变化的很大影响。
我们预测在两种惰性气体元素凝聚相(固态氖和超流体氦)界面处将出现一种新的量子电子结构。注入该界面的过量电子将其波函数自限制在纳米圆顶结构中。其尺寸随压力而变化,光学跃迁覆盖宽广的中红外光谱。这些电子的集合可以形成经典的维格纳晶体,类似于三角晶格上的量子点阵列。在超快激光照射下,这种维格纳晶体可以在皮秒时间尺度上表现出超辐射的量子光学现象。超长的自旋相干时间和微米级确定性可配置性使该系统中的电子可以充当量子信息载体。它们的自旋状态可以由片上单电子器件控制和读出。
我们的 Spin-2 QPU 是一款基于硅中自旋量子位的 2 量子位可编程量子处理器,这些自旋量子位保存在稀释制冷机内 10 到 20 mK 的温度下。传统的直流电缆和高频传输线将信号传送到 Spin-2 QPU 和从 Spin-2 QPU 传送信号。被捕获在半导体量子点中的两个电子自旋是量子处理器 [2-4] 特别有前途的构建块。这些设备可以通过标准光刻技术制造和定制,这对于未来大规模集成大量量子位来说是一个相当大的优势。此外,它们由电流态电子器件控制和读出。由于自旋量子位尺寸小且与传统晶体管技术相似,从超大规模集成的角度来看,它们非常有前途。
用于计量的量子系统可以提供比传统系统更高的精度。可以通过最大化量子 Fisher 信息 (QFI) 来优化量子传感器的设计,该信息表征了理想测量的参数估计精度。在这里,我们将量子系统的响应视为一种估计已缓慢开启的外部扰动强度的方法。推导出 QFI 的一般表达式,该表达式也适用于有限温度下热力学极限下的相互作用多体系统,并且可以与线性响应传输系数相关联。对于量子点纳米电子器件,我们表明电子相互作用可以导致 QFI 随系统尺寸呈指数级缩放,强调量子资源可以在整个 Fock 空间中得到利用。电压和场的精确估计也可以通过实际的全局测量(例如电流)来实现,这使得量子电路成为计量应用的良好候选者。
铁磁薄膜和化学吸附分子层之间的界面表现出各种有趣的现象。[1] 对这些所谓自旋界面的积极研究 [2,3] 始于分子或有机自旋电子器件的发展,最初主要集中在铁磁材料附近引起的分子层的变化。局域 HOMO-LUMO 电子能级的自旋相关展宽 [2,4,5] 和相关的自旋过滤效应 [6–8] 在理解有机自旋阀和其他有机自旋电子器件中起着关键作用。此外,在邻位分子中建立可检测的自旋极化开辟了一个与分子材料中磁序传播相关的新研究领域。这导致分子组成元素上存在磁二向色信号 [9] 或形成自旋序作为分子电子态能量的函数的非平凡振荡。 [10,11]
摘要:当前基于硅的电子技术正在接近其物理和科学极限。碳基器件对下一代电子产品具有众多优势(例如,速度快、功耗低和工艺简单),当这些优势与碳元素多功能同素异形体的独特性质相结合时,正在引发一场电子革命。碳电子器件正通过新的制备方法和复杂的设计取得长足进步。从这个角度来看,本文回顾了不同尺寸的代表,例如碳纳米管、石墨烯、块体金刚石及其非凡的性能。本文还强调了相关的最先进器件和复合混合全碳结构,以揭示它们在电子领域的潜力。商业化生产的进步提高了成本效率、材料质量和器件设计,加速了碳材料的应用前景。