现住址及永久地址: 沙阿贾拉勒科技大学物理系 孟加拉国西尔赫特 3114 电子邮件: s.chowdhury-phy@sust.edu schowdhuryphy@yahoo.com 传真: 880 821 715257,电话: 880 821 714479 / 713850(PABX) 手机: 880 1711 392244 网址: http://www.sust.edu https://www.sust.edu/d/phy/faculty-profile-detail/157 http://schowdhury-phy.weebly.com(目前无法使用)(http://www.geocities.com/schowdhuryphy 不再可用) 研究兴趣: 纳米电子学、半导体纳米结构中的磁输运、纳米结构物理学。 博士学位领域。研究:二维侧面超晶格中电子输运的实验研究和理论理解。博士论文题目:“二维侧面超晶格中的电子输运”。 在期刊上发表的论文列表(按时间顺序): (1) 一篇评论论文发表在孟加拉国 Jahangirnagar 大学出版的期刊“Jahangirnagar Physics Studies”上。 Jahangirnagar Physics Studies 8 (1998) 43-67 “重离子物理的现象学光学模型” SH Choudhury、MY Ali、MH Ahsan 和 MA Zaman* 孟加拉国锡尔赫特 Shahjalal 科技大学物理系。 * 孟加拉国达卡萨瓦尔 Jahangirnagar 大学物理系。 (2)在《物理评论B》上发表论文,作为快速通讯《物理评论B》62(2000)R4821-4824“二维侧面超晶格中对称性破缺的重要性”S. Chowdhury,CJ Emeleus,B. Milton,E. Skuras,AR Long 格拉斯哥大学物理与天文系,格拉斯哥G12 8QQ,英国JH Davies,G. Pennelli 和 CR Stanley 格拉斯哥大学电子与电气工程系,格拉斯哥G12 8QQ,英国
我们报道了外加磁场下HfTe 5 的电子输运特征。随着磁场的增加,我们观察到霍尔电阻ρ xy 出现一系列平台期,直至达到1-2 Tesla 的量子极限。在平台期区域,纵向电阻ρ xx 表现出局部最小值。尽管ρ xx 仍然非零,但是在最后几个平台期,其值变得远小于ρ xy。通过测量 Shubonikov-de Haas 振荡来映射费米面,我们发现霍尔平台的强度与费米波长成正比,这表明它的形成可能归因于相互作用驱动的费米面不稳定性导致的能隙打开。通过比较 ZrTe 5 和 HfTe 5 的体能带结构,我们发现在 HfTe 5 的费米能级附近存在一个额外的口袋,这可能导致有限但不为零的纵向电导。