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World File Search System电导率
功能化纳米粒子自组装纳米器件的分子光开关中的高电导率
摘要：自组装功能化纳米粒子是多种潜在应用的焦点，特别是用于分子级电子设备。这里，我们对 10 纳米金纳米粒子 (NPs) 进行了自组装实验，这些粒子由一层致密的偶氮苯-联噻吩 (AzBT) 分子功能化，目的是构建具有忆阻特性的光可切换设备。我们制造了由 NP 自组装网络 (NPSAN) 组成的平面纳米设备，这些纳米电极与纳米电极接触，纳米电极之间的电极间隙从 30 到 100 纳米不等。我们展示了这些 AzBT-NPSAN 中光诱导的电导可逆切换，创下了高达 620 的“开/关”电导比记录，平均值约为。 30，85% 的器件的比例超过 10。对纳米颗粒表面化学吸附的分子单层之间的界面结构和动力学进行了分子动力学模拟，并将其与实验结果进行了比较。结果表明，接触界面的性质与分子构象密切相关，对于 AzBT 分子，可以通过明确定义波长的光照射在顺式和反式之间可逆地切换。与通过导电 c-AFM 尖端接触的平面自组装单层上进行的实验相比，分子动力学模拟为实验观察到的两个异构体之间开/关电流比降低提供了微观解释。
通过常规和3D打印过程制造高温电导率聚合物复合材料：艺术和未来趋势
寿命和富裕电子设备和组件的性能受到大量热积聚的影响，并且必须通过热导电聚合物复合膜解决此问题。因此，对高热导率纳米复合材料的发展的需求在各种应用中具有重要作用。在本文中，审查了各种聚合物的导热率的不同粒子增强剂，例如单一和杂化形式，涂层和未涂层的颗粒以及化学处理的颗粒，并讨论了所需特性改进的各种聚合物的热电导率。此外，还详细介绍了制造过程（例如注射成型，压缩成型和3D打印技术）在高温电导率聚合物复合材料中的作用。最后，讨论了未来研究的潜力，这可以帮助研究人员致力于增强聚合物材料的热性能。
通过控制吹扫时间的缺陷同时增强 ALD ZnO 薄膜的电导率并抑制热导率
我们展示了如何同时控制 ZnO 薄膜的电和热传输特性，该薄膜是通过原型原子层沉积 (ALD) 工艺从二乙基锌 (DEZ) 和水前体制备的。关键的 ALD 工艺参数是在 DEZ 前体脉冲之后施加的 N 2 吹扫时间。我们利用 X 射线反射率测量来表征薄膜的生长特性，利用光致发光光谱来表征结构缺陷，利用电传输测量来表征载流子密度、电阻率和塞贝克系数，利用时域热反射测量来表征热导率。光致发光光谱数据表明，延长吹扫时间会产生结构缺陷，从而增加电子载流子密度；这可以解释薄膜电导率增强的原因。同时，缺陷可能会阻碍薄膜中的热传输。因此，实现电导率的同时增加和热导率的降低对热电学至关重要。此外，在光学和微电子领域中，人们非常希望对半导体 ZnO 薄膜的本征电传输特性进行简单的控制。
对有和没有撑杆的非平滑岩石表面之间断裂电导率的实验和数值研究
裂缝电导率的增强对于有效恢复地下资源（例如地热能和石油烃）至关重要。支撑剂，注射到液压裂缝中以保持其电导率的颗粒状材料，主要是在光滑裂缝的背景下（即平滑岩石表面之间的裂缝）进行了研究。然而，地球储层中常见的非平滑裂缝（即，粗糙岩石表面之间的裂缝）很常见，因此需要进一步研究。在这项研究中，我们对具有非平滑表面的页岩板上的断裂电导率进行了实验室测量，并使用晶格玻尔兹曼（LB）方法进行了数值模拟，该方法旨在研究具有和没有预料的情况下的非平滑裂缝的电导率。当陶瓷支撑剂浓度为2 lb/ft 2
使用孔石墨烯改善了固体电解质电导率测量中的界面接触
硫化物电解质通常具有高离子电导率（> 1 ms/cm）LI6 PS 5 Cl（LPSCL; LPSC）是研究最多的硫化物电解质，并且大量可用（〜$ 10/g）
一种定量策略，用于实现模具铸造Mg-Al基合金的高温电导率
据报道，一种定量策略来设计和开发基于MG-AL的合金以实现高热有效性，其中可以引入特定的元素以降低MG矩阵中的Al浓度，并抑制Mg 17 Al 12相形成的形成，通过形成新的金属层间相。基于定量计算，该策略由新型的模具铸造Mg3.2AL4.4LA0.4ND（以wt。％）合金提供，该合金在环境温度下提供了114.3 w/（m∙k）的热电导率为114.3 w/（m∙k），在300°C，比300°C，〜255％的137.5 w/（M∙k）中的热电导率（M。同时，与AE44合金相比，合金还具有优异的环境屈服强度为143.2 MPa，伸长率为8.2％，并且在升高温度下的AE44合金。
使用1550 nm泵送非线性光电导率GAAS元面的连续波Terahertz检测
摘要：Terahertz（THZ）连续波（CW）光谱系统可以通过拍摄高性能电信（1530-1565 nm）激光器来提供极高的光谱分辨率。然而，这些系统中的典型THZ CW检测器使用狭窄的带隙光电导体，这些光接合器需要精心生长并产生相对较大的检测器噪声。在这里，我们证明了纳米结构的低温种植GAA（LT-GAAS）的跨表情中的两步光子吸收，该元面可在大约一个picsecond中切换光导率。我们表明，尽管带隙是电信激光光子能量的两倍，但LT-GAA可以用作CW THZ检测器中的超快光电自动导体。元图设计利用了LT GAAS谐振器中的MIE模式，而THZ检测器的金属电极可以设计以支持附加的光子模式，从而进一步增加了所需波长下的光电导率。
激光功率对激光辅助电喷雾沉积法制备银纳米粒子薄膜电导率和形貌的影响
近年来，银纳米颗粒电极因其稳定性和导电性而被广泛研究，作为可穿戴和柔性电子产品的电极材料。湿化学沉积技术被认为是一种低成本且可扩展的技术。目前基于湿化学的纳米颗粒沉积技术包括电喷雾沉积、滴铸法、旋涂法和喷墨打印工艺。这些技术通常需要单独的沉积后退火步骤。这对于低熔点的基底来说可能是一个问题。此外，上述某些方法需要物理接触，这增加了交叉污染的可能性。在本研究中，我们提出了一种结合电喷雾和激光辐射的技术，可以在刚性或柔性基底上同时沉积和烧结纳米颗粒。在此过程中，银纳米颗粒水相悬浮液的微滴以所谓的微滴模式从金属毛细管喷嘴喷出，喷嘴可通过电位控制。锥形空心激光束用于蒸发液体并将纳米颗粒烧结到基底上的所需位置。与传统的导电微图案制备方法相比，这项技术前景广阔，因为它简化了一步沉积过程，减少了交叉污染，并且适用于各种表面。我们利用功率为 5 至 13 W 的 Nd:YAG 激光器制备了银纳米颗粒薄膜微图案。我们利用扫描电子显微镜、能量色散 X 射线和四探针分析研究了晶粒尺寸分布、成分和电阻率之间的相关性。结果与传统的热烧结方法相当。
与半导体二维电子系统的超导量子点接触的混合分裂栅极阵列中的量化电导率
量子点接触（QPC），这是具有量化电导的半导体二维电子系统中的收缩 - 是新型的Spintronic和拓扑电子电路的组合。QPC也可以用作量子纳米电路中的读数电子，电荷传感器或开关。与超导接触的短且无杂质的收缩是一种库珀对QPC类似物，称为超导量子点接触（SQPC）。由于维持其几何需求和接近统一的超导 - 触发器界面透明度的挑战，此类量子设备的技术发展已延长。在这里，我们开发了先进的纳米构造，材料和设备工程技术，并报告了纳米级混合SQPC阵列的创新实现，该阵列具有分开的栅极技术在半导体的2D电子系统中。我们利用了量子井的特殊门可调性，并证明了混合INGAAS-NB SQPC中电导量化的第一个实验观察。我们观察到在单个芯片中制造的多个量子纳米版本中的零磁场可重复的量化电导率，并系统地研究了在低和高磁场上SQPC的量子运输，以实现其在量子元学中的潜在应用，以实现极为准确的电压标准和缺陷量化技术。