XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System电桥
制造和应用方面的最新技术进步......
图 1. 当今正在开发的有机电化学晶体管 (OECT) 示意图，涵盖简便的制造技术和广泛的应用。印刷工艺：丝网印刷，经许可改编，[57] 版权所有 2019，Wiley-VCH；喷印，经许可改编，[58] 版权所有 2020，美国化学学会。基于激光的图案化：激光烧蚀图案化，经许可改编，[59] 版权所有 2012，Wiley-VCH；激光图案化 OECT，经许可改编，[60] 版权所有 2020，IOP Publishing Ltd. 纳米压印光刻：S/D 纳米压印，经许可改编，[61] 版权所有 2016，Wiley-VCH；有源层纳米压印，经许可改编，[62] 版权所有 2013 SID。基于纤维的图案化：基于纳米纤维的图案化，经许可改编，[63] 版权所有 2019，美国化学学会；基于编织的，经许可改编，[53] 版权所有 2011，Wiley-VCH。生物传感器：葡萄糖传感器，经许可改编，[64] 版权所有 2019，Springer Nature；离子传感器，经许可改编，[65] 版权所有 2018，Wiley-VCH。逻辑电路：逆变器和 NAND，经许可改编，[46] 版权所有 2019，Springer Nature；惠斯通电桥，经许可改编，[66] 版权所有 2017，Wiley-VCH。神经形态装置：纳米线人工突触，经许可改编，[67]
电子器件与电路（规
了解正反馈和负反馈系统所需的功能。 UNIT I PN 结器件 9 PN 结二极管 – 结构、操作和 VI 特性、扩散和过渡电容 - 削波和钳位电路 - 整流器 – 半波和全波整流器 – 显示设备 - LED、激光二极管、齐纳二极管特性 - 齐纳反向特性 – 齐纳作为稳压器 UNIT II 晶体管和晶闸管 9 BJT、JFET、MOSFET – 结构、操作、特性和偏置 UJT、晶闸管和 IGBT - 结构和特性。 UNIT III 放大器 9 BJT 小信号模型 – CE、CB、CC 放大器分析 – 增益和频率响应 – MOSFET 小信号模型 – CS 和源极跟随器分析 – 增益和频率响应单元 IV 多级放大器和差分放大器 9 BIMOS 级联放大器、差分放大器 – 共模和差模分析 – FET 输入级 – 单调谐放大器 – 增益和频率响应 – 中和方法、功率放大器 – 类型（定性分析）。单元 V 反馈放大器和振荡器 9 负反馈的优点 – 电压/电流、串联、并联反馈 – 正反馈 – 振荡条件、相移 – 维恩电桥、哈特利、考毕兹和晶体振荡器。
第一单元
EC-302 电气测量与测量仪器 第一单元：测量原理 - 测量方法、测量系统、仪器系统分类、仪器与测量系统特性、测量误差及其分析、标准。电量模拟测量 - 电动、热电偶、静电和整流器型电流表和电压表、电动功率表、三相功率表、三相系统中的功率、功率表和能量表中的误差与补救措施。第二单元仪器变压器：CT 和 PT；它们的误差、CT 和 PT 在仪器范围扩展中的应用、速度、频率和功率因数测量简介。第三单元参数测量 - 测量低、中、高电阻的不同方法、借助交流电桥测量电感和电容、Q 计。第四单元交流电位器 - 极性和坐标型交流电位器、交流电位器在电气测量中的应用。磁性测量- 弹道检流计、磁通计、磁滞回线测定、铁损测量。单元 V 电量数字测量 - 数字测量概念、框图、数字电压表研究、频率计、频谱分析仪、电子万用表。阴极射线示波器 - 基本 CRO 电路（框图）、阴极射线管 (CRT) 及其组件、CRO 在测量中的应用、李萨如图案、双踪和双光束示波器。教科书：1. EW Golding 和 FC Widdis，“电气测量和测量仪器”，AW Wheeler & Co. Pvt. Ltd. 印度 2. AK Sawhney，“电气和电子测量与仪器”，Dhanpat Rai & Sons，印度 3. Purkait，“电气和电子测量与仪器”，TMH 参考书：4. Forest K. Harris，“电气测量”，Willey Eastern Pvt. Ltd. 印度 5. MB Stout，“基础电气测量”，Prentice Hall of India 6. WD Cooper，“电子仪器与测量技术”，Prentice Hall International 7. JB Gupta，“电气测量与测量仪器”，SK Kataria & Sons
商标异议公告 - 美国专利商标局
用于电信设备，即用于操作电信系统的计算机程序、用于提供多用户接入全球通信网络以传输和传播大量信息的计算机程序；由数据发射机组成的磁、电和光纤网络，将用户信息转换成数据信号进行传输，或将接收到的数据信号重新转换成用户信息；在数据终端之间传输数据的设备，即通信集线器；用于上传、存储、检索、下载、传输和交付数字内容的计算机硬件；电信发射机；电信设备，即连接电路中的电桥的终端元件；文字处理器；计算机设备，即微型计算机、小型计算机、计算机中央处理器、计算机微处理器、计算机显示器、计算机键盘、计算机终端、计算机接口板、计算机激光打印机、计算机击打式打印机、计算机点阵打印机、计算机操作系统、作为一个单元出售的计算机和使用说明书；计算机接口设备，即计算机调制解调器、计算机鼠标和鼠标垫、计算机外围设备及其零件；用于操作企业管理系统的计算机程序，即为生成评估、审计和报告而设计的程序，以及作为一个单元出售的相关使用说明书；音频、视频和数据通信设备，即数字和模拟信号发送器、接收器和转换器，无线电和电话发送器、接收器和服务器；用于电子交换数据、图像和信息的电子邮件计算机硬件和软件；电视遥控器和机顶盒；电视信号解码器；交互式电子音频和视频会议设备，即变压器、平衡器、与计算机、计算机外围设备、电视、音视频设备、闭路电视设备和电信设备连接的电缆，用于促进消费者与商品和服务提供者之间的互动；用作专门时间记录装置的计时器；计算机空白光盘；计算机空白软盘；计算机空白硬盘；光盘播放器；录音机和录像机；录音带和录像带播放器；录音带和录像带录制机；录音带和录像带播放器；空白录音带和录像带、盒式磁带、磁盘和缩微胶片；包含电信信息的录音带和录像带、盒式磁带、磁盘和缩微胶片；视频监视器、自动售货机及其计时装置及其零部件；磁码卡阅读器、磁卡、空白磁性数据载体、磁带消磁器、及其组件；计算机、数据和视频网络及会议设备，即由变压器、平衡-不平衡转换器、与计算机连接的电缆、计算机外围设备、电视机、音视频设备、闭路电视设备和
MoS2 原子片中单缺陷忆阻器的观察
非挥发性电阻开关，也称为忆阻器 1 效应，即电场改变双端器件的电阻状态，已成为高密度信息存储、计算和可重构系统 2 – 9 开发中的一个重要概念。过去十年，非挥发性电阻开关材料（如金属氧化物和固体电解质）取得了实质性进展。长期以来，人们认为漏电流会阻止在纳米薄绝缘层中观察到这种现象。然而，最近在过渡金属二硫属化物 10, 11 和六方氮化硼 12 夹层结构（也称为原子阻断器）的二维单分子层中发现的非挥发性电阻开关推翻了这种观点，并由于尺寸缩放的好处增加了一个新的材料维度 10, 13。我们在此以单层 MoS 2 为模型系统，阐明了原子片中切换机制的起源。原子成像和光谱表明，金属取代硫空位会导致电阻发生非挥发性变化，这得到了缺陷结构和电子状态计算研究的证实。这些发现提供了对非挥发性切换的原子理解，并开辟了精确缺陷工程的新方向，精确到单个缺陷，朝着实现最小的忆阻器的方向发展，以应用于超密集存储器、神经形态计算和射频通信系统 2、3、11。通过结合扫描隧道显微镜/扫描隧道光谱 (STM/STS) 和局部传输研究，我们观察到硫空位（MoS 2 单层中的主要缺陷）在其天然形式下不起低电阻路径的作用，这与金属氧化物存储器中氧空位的影响形成鲜明对比。 然而，从底部或顶部电极迁移的金属离子（例如金离子）可以取代硫空位，产生导电的局部态密度 (LDOS)，从而驱动原子片进入低阻状态。 在反向电场下去除金原子后，缺陷恢复其初始空位结构，系统返回到高阻状态。 这种导电点切换机制类似于在原子级上形成导电桥存储器 14。然而，它本质上是不同的，也是独一无二的，因为单个金属离子填充了晶格中的单个空位，而不是通过高度无序的材料形成金属桥。我们发现硫空位在 2 纳米间距处稳定，导致忆阻器密度约为每 1 个单位