电气和电子工程 (EEE) 是一个迷人的领域,它可以带来挑战性、丰富性和回报性的经验,是所有工程学科中常青的分支。正如世界需要医生、护士和教师一样,EEE 也是我们无法缺少的,没有它,世界就会陷入黑暗。从全球定位系统到发电,电气工程师为各种技术的发展做出了贡献。他们设计、开发、测试和监督电气系统和电子设备在电信系统设计、发电站运营、建筑物照明和布线、家用电器设计或工业机械电气控制中的部署。这门学科的基础是物理学和数学,因为它们有助于获得此类系统如何工作的定性和定量描述。如今,大多数工程工作都涉及使用计算机,在设计电气系统时使用计算机辅助设计程序是很常见的。也许电气工程师最重要的技术技能体现在大学课程中,这些课程强调强大的数字技能、计算机素养以及理解技术语言和与电气和电子工程相关的概念的能力。
电控制的光子电路对具有很大的能源效率和量子信息处理能力的信息技术有望。然而,典型光子材料的弱非线性和电响应是两个关键挑战。因此,已经对杂交电子光电系统(例如半导体激子 - 孔子体)进行了深入研究,因为它们的潜力允许更高的非线性和电气控制,到目前为止的成功率有限。在这里,我们展示了偶极性二利机的电场波导体系结构,该体系允许增强且可控制的极性非线性,从而实现了电反射的反射开关(镜像)和偶极极光利的晶体管。Polariton晶体管通过压缩稀释的偶性二极化脉冲,表现出非常强大的偶极相互作用,从而显示出封锁和抗块。使用一个简单的密度依赖性极化场来解释大型非线性,该电场非常有效地筛选外部电场,与固定偶极子相比,非线性的数量级增强。我们预测,在这种设备中,单个极性级别的量子封锁是可行的。
电子波功能的拓扑方面在确定材料的物理特性中起着至关重要的作用。浆果曲率和Chern数用于定义电子带的拓扑结构。虽然已经研究了浆果曲率及其在材料中的作用,但检测到拓扑不变的Chern数的变化是具有挑战性的。特别是谷谷类型的变化。在这方面,扭曲的双重双层石墨烯(TDBG)已成为一个有前途的平台,以获得对浆果曲率热点的电气控制和其平坦带的山谷Chern数量。此外,应变诱导的TDBG中三倍旋转(C3)对称性的破裂导致浆果曲率的非零第一刻,称为浆果曲率偶极子(BCD),可以使用非线性HALL(NLH)效应来感测。我们使用TDBG揭示了BCD检测到频段中的拓扑转换并更改其符号[1]。在TDBG中,垂直电场对山谷Chern号和BCD进行了调整,并同时为我们提供了一个可调的系统,以探测拓扑过渡的物理。我还将讨论我们使用非线性霍尔物理学探测Moire系统手性的初步实验。1。Sinha等。自然物理学18,765(2022)。
按照外壳(IP代码)IEC 60529提供的保护程度的标准。可接受性的条件1。固态电路和软件控件作为主要的安全保护,已评估为安全标准:自动电气控制 - 第1部分,UL 60730-1。对软件的任何更改和BMS的电子控制可能需要进行其他测试。2。产品用于电池系统型号Atrix-5,Atrix-10,Atrix-10,Atrix-15和Atrix-20,室内和室外使用,用于Suness-5,Suness-5,Suness-10,Suness-10,Suness-15和Suness-20,应为Atrix系列电池系统提供用于水湿环境的Atrix系列电池系统。在海上环境附近使用时,应考虑Atrix和Suness系列模型的进一步评估。3。可能需要进一步评估水分和盐雾的阻力,以便在施加水分和盐雾状况的最终产品中使用。4。腐蚀。5。蓝牙和Wi-Fi及其功能未评估,最终产品可能需要进一步考虑。6。设备申请地点:固定7。访问位置:操作员可访问。8。未评估安装。电池系统应根据NFPA 70或其他适用的安装代码安装。9。过压类别(OVC):2 10。污染学位(PD):2 11。操作高度:最多2000 m。
磁性隧道连接点(MTJ)是非挥发性随机访问记忆(MRAM)技术的领先存储成分。1,2它由夹在两个磁层层之间的薄隧道屏障层组成,提供快速开关速度,高耐力和低功耗。3,随着大数据和物联网的不断增长,优化了MTJ的运营,以实现较低的能源消耗以获得高密度记忆,并且更快的数据处理变得至关重要。4一种有效且易于访问的方法来操纵MTJ,正在使用电场,该电场在铁磁/铁电力多性异质结构中实现。5 MTJ Spintronic设备的行为和性能受到异质结构之间的界面的显着影响。4因此,实现MTJ的高质量接口对于充分利用其功能并增强数据处理速度至关重要。二维(2D)范德华(VDW)磁铁的出现为结构VDW异质结构提供了有前途的途径,与原子尖锐的互相互相互相互相耦合,6 - 14,这使得它使IT可以探索MTJ Pertronic设备的新颖电子控制。4,15近年来,在全VDW MTJ中,在带有隧道屏障HBN,MOS 2和INSE的全VDW MTJ中,在自旋阀设备中进行了显着的前进。16 - 21个最近的研究在低温下通过VDW异质结构中的电子均值报道了TMR。23 - 2516然而,在室温下实现TMR操作的电气控制仍然是一个持续的挑战,迄今为止,VDW异质结构尚未实现室温可调TMR。永远,发现2D VDW铁磁(FM)金属Fe 3 Gate 2,22,其在室温高于室温(居里温度≈350 - 380 K)上表现出强烈的铁磁作用,并稳健的大型垂直磁性各向异性,可以打开VDW旋转器件中房间温度旋转操作的可能性。
摘要:铁电范德华(VDW)异质结构的接口驱动效应为搜索替代设备体系结构提供了新的机会,以克服von Neumann瓶颈。但是,它们的实施仍处于起步阶段,主要是通过电气控制。在寻求新型神经形态体系结构时,制定其他光学和多态控制的策略是最大的兴趣。在这里,我们证明了铁电场效应晶体管(FEFET)的铁电偏振状态的电和光学控制。完全由Res 2/hbn/cuinp 2 S 6 VDW材料制成的FeFets达到的ON/OFF比率超过10 7,磁滞存储器窗口最大为7 V宽,多个寿命超过10 3 s。此外,Cuinp 2 S 6(CIPS)层的铁电偏振可以通过光激发VDW异质结构来控制。我们进行了波长依赖性研究,该研究允许在极化的光学控制中识别两种机制:带对波段光载体在2D半导体RES 2中生成2D半导体电压,并进入2D Ferroectric CIPS。最后,通过在三种不同的突触模式下操作FEFET来证明异突触可塑性:电刺激,光学刺激和光学辅助突触。模拟关键的突触功能,包括电气长期可塑性,光电可塑性,光学增强和峰值速率依赖性可塑性。模拟的人工神经网络表现出非常出色的精度水平,即接近理想模型突触的91%。这些结果为未来对光面性VDW系统的研究提供了新的背景,并将铁电VDW异质结构放在下一个神经形态计算体系结构的路线图上。关键字:神经形态计算,突触,光电子,铁电,二维材料■简介
电气控制设备 薪级 任务类型 任务说明 E4 CORE 调整控制面板组件(例如联锁装置、操作机构、操作或报警设定点和限值等)E4 CORE 调整热井液位控制系统设定点 E4 CORE 调整电机控制器(例如操作设定点和限值、待机功能等)E4 CORE 调整盐度指示系统设定点 E4 CORE 调整温度监测系统设定点 E4 CORE 分析盐度系统数据 E4 NON-CORE 校准电表 E4 CORE 清洁电弧故障检测器 (AFD) 组件 E4 CORE 清洁电气面板组件和内部(例如报警和指示面板、控制面板、远程控制站等)E4 CORE 清洁电动阀门组件 E4 CORE 清洁静电除尘器 E4 CORE 清洁厨房设备电气组件 E4 CORE 清洁热井液位控制系统组件 E4 CORE 清洁洗衣设备 E4 CORE 清洁照明系统组件 E4 CORE 清洁电机控制器(例如接触器、线路、继电器等)E4 CORE 清洁可编程逻辑控制器 (PLC) E4 CORE 清洁盐度单元和指示面板 E4 CORE 清洁轴速传感、指示和发动机指令电报 (EOT) 组件 E4 CORE 清洁温度监控面板 E4 CORE 收集机械和船体振动数据 E4 CORE 检查电弧故障检测器 (AFD) 组件 E4 CORE 检查控制面板(例如操作机构、面板线路、连接等)E4 CORE 检查电动阀门组件 E4 CORE 检查静电除尘器 E4 CORE 检查厨房设备电气组件 E4 CORE 检查热井液位控制系统 E4 CORE 检查洗衣设备 E4 CORE 检查照明系统组件 E4 CORE 检查电机控制器(例如接触器、接线、继电器等)