XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System电流密度
绝缘子：一个新的低温混合超导电子
基于Hybrid Inas Josephson连接（JJS）的超导电路在快速和超低功率消耗固态量子电子设备和探索新型物理现象的设计中起着主角的作用。常规上，使用INA制成的3D基材，2D量子井（QW）和1D纳米线（NWS）用于与混合JJS创建超导电路。每个平台都有其优点和缺点。在这里，提议将Inas-ins-on-insun-unsulator（Inasoi）作为开发超导电子产品的开创性平台。具有不同电子密度的半导体INA的表层呈现到Inalas变质的bu效中，有效地用作低温绝缘子，以将相邻的设备电气解除。JJ是使用Al作为超导体和具有不同电子密度的INA的。的开关电流密度为7.3μm-m-1，临界电压为50至80μV，临界温度与所使用的超导体的临界温度相当。对于所有JJS，开关电流都遵循带有平面外磁场的Fraunhofer样图案。这些成就使使用Inasoi可以使用高临界电流密度和出色的门控性能设计和制造表面暴露的Josephson场效果。
配位聚合物电催化剂可实现高效的 CO ...
使用可再生电力将二氧化碳/一氧化碳升级为多碳 C 2 + 产品，为更可持续的燃料和化学品生产提供了一种途径。醋酸盐是最具吸引力的产品之一，其有利可图的电合成需要效率更高的催化剂。本文报道了一种配位聚合物 (CP) 催化剂，该催化剂由通过 Cu(I)-咪唑配位键连接的 Cu(I) 和苯并咪唑单元组成，可在流动池中以 400 mA cm − 2 的电流密度将 CO 选择性还原为醋酸盐，相对于可逆氢电极，在 − 0.59 伏时法拉第效率为 61%。该催化剂集成在基于阳离子交换膜的膜电极组件中，可实现 190 小时的稳定醋酸盐电合成，同时实现从阴极液体流中直接收集浓缩醋酸盐（3.3 摩尔），CO 到醋酸盐转化的平均单程利用率为 50%，在电流密度为 250 mA cm − 2 时醋酸盐全电池平均能量效率为 15%。
![arxiv：2404.11115v1 [cond-mat.supr-con] 2024年4月17日](/simg/d\dfdae2b346d5b0896c4cd5850f229538ef3494ec.webp)
arxiv：2404.11115v1 [cond-mat.supr-con] 2024年4月17日
通过测量原始和掺杂的CSV 3 SB 5单晶的磁化，我们已经对较低的临界场，临界电流密度和该kagome系统的平衡磁化进行了系统研究。已经在两个典型样本中研究了较低的临界场，并且可以通过使用两个S -Wave超导间隙的模型来对其进行较低的临界域临界场，从而得出2ΔS1 /K 1 /K b b t c = 7的较大间隙。9（±1。8）。这表明基于V的超导体的强耦合功能。测得的磁化磁滞回路使我们能够计算临界电流密度，该密度显示出非常弱的散装涡流固定。在这两种样品中测得的磁化磁滞回路可以通过最近提出的广义现象学模型来很好地描述，这导致确定这些超导体的许多基本参数。我们的系统结果和详细的分析得出结论，基于V的Kagome系统具有强耦合超导性，相对较大的Ginzburg-Landau参数和弱涡流耦合的特征。
全范德华异质结构中的自旋轨道扭矩切换
已成功用于有效操控磁化，从而产生了最近的基于 STT 的商业化磁存储器解决方案。 [1] 自旋轨道扭矩 (SOT) 利用高自旋霍尔效应 (SHE) 材料中的平面电荷电流产生的平面外自旋电流，可以实现更节能的磁化操控，并且正在达到商业成熟度。 [2–4] 到目前为止，已经研究了各种高自旋轨道耦合 (SOC) 材料，包括重金属、拓扑绝缘体 (TI) [5–7] 以及最近的拓扑半金属 (TSM) [8–11]，以最大化它们的自旋霍尔角 θ SH = | J s | / | J c |，这是它们将电荷电流密度 J c 转换为自旋电流密度 J s 的效率的量度。此外，已经研究了高 SHE 和 FM 材料层之间的界面工程，以最大化跨界面的自旋透明度 T int。 [12–19] 高效 SOT 自旋电子器件的关键挑战是最大化 SOT 效率，ξ= θ SH · T int。[20]
wlcsp 焊点的电迁移性能 - PEP
摘要 在高温和大电流条件下测试了晶圆级芯片规模封装 (WLCSP) 组件。在焊料/凸块下金属化 (UBM) 界面处观察到电迁移损坏以及加速扩散和金属间化合物生长。最终电气故障通常是由于 UBM 附近的再分布线 (RDL) 中产生空隙而发生的。温度升高、电流密度增加和 RDL 走线宽度减小会导致故障率增加。Ni UBM 焊盘和 Cu 柱结构的性能均优于 Cu UBM 焊盘。根据实验数据和其他已发表数据开发了基于 Black 方程的故障模型。然后使用该模型根据代表性现场使用条件制定加速测试和鉴定测试的推荐指南。关键词：WLCSP、电迁移。引言由于 WLCSP 外形小巧，已成为便携式产品应用中使用的 RF 降压转换器、相机闪光灯驱动器、背光驱动器和模拟开关等设备的流行封装。这些器件需要通过 BGA 焊点传输高达 2A 或更高的电流。由于电迁移导致的现场故障是限制给定器件最大额定电流的一个潜在因素。倒装芯片和 WLCSP 焊点中的电迁移故障是由于高电流密度驱动的扩散和金属间化合物反应在高温下加速而发生的 [1-34]。这些影响会产生空洞，这些空洞会随着时间的推移而打开和增长。随着空洞尺寸的增加，通过焊点的电阻会增加，最终出现开路。在大多数电迁移研究中，使用电流密度和温度的测试矩阵来比较设计或材料变量。测试通常会持续到给定支路中至少一半的单元发生故障，以便数据可以拟合对数正态分布或威布尔分布。一个典型目标是确定故障预测模型的常数，例如 Black 方程 [27]。
纳米建筑MNO2 -TIN纳米管阵列...
扫描率。循环伏安法曲线将对称形状从0.005 V•s -1至0.1 V•S -1保持，表明电极材料的放大能力。由于法拉第反应时间不足以高扫描速率，特定电容随扫描速率的增加而降低。图5C显示了在不同电流密度下TN-MO-S的充电偏差曲线。几乎对称的三角形轮廓表现出电极的电容和可逆特征。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
电容电压和电流的表征
本研究通过 CV 和 IV 分析研究了新型 MIS 结构 TiN/Al 2 O 3 /P-Si 的电性能，采用 Silvaco TCAD 软件进行模拟。检查各种参数，包括频率、温度、氧化物厚度、表面条件和掺杂水平，揭示了它们对器件特性的影响。模拟结果与理论预期非常吻合，验证了模拟方法的有效性。发现温度变化会影响平带电压，可能是由于氧化物电荷密度和界面缺陷密度的变化，而在 77 K 至 300 K 的温度范围内观察到弱反转区。频率依赖性很明显，特别是在 1 GHz 时，对 CV 行为有显著影响。IV 分析揭示了不对称的温度激活，表明存在双传导机制。此外，更高的掺杂水平与负电压范围内的电流密度增加相关。对具有不同介电厚度的电容器的模拟漏电流表明行为不均匀，由于能带图不对称，从栅极注入电子导致与基板相比更高的电流密度。这强调了降低氧化物厚度对漏电流行为的影响。
开发用于量子应用的超导单光子和光子数解析探测器
基态和电子激发态之间的能隙。在超导基态，电子配对为超导电荷载体，称为库珀对 [3]，由于声子发射/吸收引起的弱引力，其结合能为 2 Δ。当超导体吸收能量时（例如来自足够高能量的光子），库珀对会分解为从基态激发出的电子，称为“准粒子”。通常，准粒子激发的超导能隙 Δ 比光子的能量（meV 对 eV）小几个数量级。因此，可见光或近红外波段的单个光子可以产生数百或数千个准粒子激发。计算单光子吸收事件后准粒子激发的数量已被证明是一种成功的检测方法，可用于超导隧道结 (STJ) 和动能电感探测器 (KID)。计算准粒子激发的另一种方法是使用基于微量热计的能量分辨探测器，例如过渡边缘传感器 (TES)，它可以用灵敏的温度计测量单光子吸收后的温度变化 [4]。最后，当电流密度超过电流密度的“临界”值 J c 时，超导材料在固定温度下的特性切换已被利用来实现超导
内部锂丝生长引起的固体电解质电化学机械失效
使用高剪切模量的固体电解质被认为是抑制锂枝晶形成并同时保证电池高安全性的最有前途的方法。[9] 尽管在提高固体电解质的高离子电导率方面取得了重大进展，但固态电池在实际工业条件下，特别是高功率系统下的运行尚未实现。[10] 一旦施加的电流密度超过某个值（该值被定义为临界电流密度），锂丝（或锂枝晶）通过固体电解质的扩展将引发电池故障。[11] 当锂丝连接阳极和阴极时，锂丝的生长会导致界面物理接触失败、固体电解质机械性能下降，甚至导致电池短路。 [12] 各种固体电解质均已报道了此类失效过程，包括石榴石 Li 7 La 3 Zr 2 O 12 (LLZO)、[13] 非晶态 70Li 2 S-30P 2 S 5 玻璃、[14] 银锗矿 (Li 6 PS 5 Cl) [15] 和钠超离子导体类型（NASICON，例如 Li 1 + x Al x Ge 2 − x (PO 4 ) 3 ）。[16]