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World File Search System电流效率
用于有机发光器件的 PECVD 处理碳化硅涂层
等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) SiC 基阻隔涂层已被开发用于保护包括聚合物发光二极管 (PLEDS) 在内的发光设备。薄膜封装由不同 PECVD 层的堆叠组成，各个层针对特定的涂层特性进行了优化，包括应力控制和高水/氧阻隔特性。这些阻隔涂层已成功应用于 PLED 设备，优化的阻隔堆叠既没有出现可见的机械故障，也没有出现任何颜色光谱功率分布偏移。阻隔层的 PECVD 沉积会导致设备电流效率略有下降，这是在没有水和氧的情况下测量时发光寿命延长的代价。PECVD 堆叠的阻隔特性已显示可将发光寿命提高高达 70% 的玻璃密封设备寿命，并且目前受到薄膜阻隔中出现的缺陷的限制。
用于高效有机发光二极管的非对称热活化延迟荧光材料
在材料科学中，开发具有聚集诱导发射的热活化延迟荧光 (TADF) 发射器对于构建高效电致发光器件至关重要。在此，基于高度扭曲的强吸电子受体 (A) 硫芴 (SF) 修饰的酮 (CO) 和芳胺供体 (D)，通过简单的合成程序高产率设计和制备了两种具有迷人聚集诱导发射的不对称 TADF 发射器 SFCOCz 和 SFCODPAC。所得分子具有高达 73% 的光致发光量子产率和 0.03 eV 的小单重态-三重态分裂；令人惊讶的是，由这些发射器促进的高效非掺杂和掺杂 TADF 有机发光二极管 (OLED) 显示出 5,598 和 11,595 cd m − 2 的高亮度、16.8 和 35.6 cd/A 的电流效率 (CE)、9.1 和 29.8 lm/W 的功率效率 (PE) 以及 7.5% 和 15.9% 的外部量子效率 (EQE)。这项工作为探索高效的 TADF 发射器提供了一个具体的例子，这对同时促进具有高亮度和出色效率的 TADF OLED 的发展非常有利和令人鼓舞。
适用于助听器应用且具有改进瞬态响应的面积高效低压差稳压器
摘要：本文介绍了一种低压差稳压器，其规格适用于助听器设备。所提出的 LDO 占用的芯片面积非常小，并提供出色的瞬态响应。LDO 架构中采用了一种新颖的电压尖峰抑制器模块，可降低负载突变期间输出电压的下冲和过冲。它引入了一个次级负反馈环路，其延迟小于主环路，并在需要时将静态电流引导至输出节点。这不仅提高了整体电流效率，而且还降低了片上电容。所提出的 LDO 采用 180 nm 标准 CMOS 技术进行布局，并进行了后布局模拟。当施加 1 V 的最小电源电压时，LDO 产生 0.9 V 输出。调节器可以驱动 0.5 mA 的最大负载。LDO 分别表现出 4.4 mV/V 和 800 μ V/mA 的线路和负载调节。当受到阶跃负载变化的影响时，记录到 20.34 mV 的下冲和 30.28 mV 的过冲。为了使 LDO 正常运行，只需要 4.5 pF 的片上电容。
导电钝化器和偶极层混合物，具有高性能稳定的基于光电子的钙钛矿基础太阳能水分裂
最近，铅卤化物钙钛矿吸引了显着的注意力，作为光电化学（PEC）太阳能分裂的有前途的吸收材料。然而，界面处的电荷积累诱导的离子迁移导致钙钛矿降解和效率损失。为了抑制电荷积累并改善了钙钛矿光阳极的PEC性能，提出了一种简单的界面工程，通过用聚乙基乙酰基（PEIE）（PEIE）和氯贝苯甲酸（CBSA）的混合物来装饰SNO 2 /Perovskite界面。混合的CBSA + PEIE处理有效地钝化了SNO 2中的氧空位，并调整了SNO 2和钙钛矿之间的带对齐。混合物处理的协同作用促进了在SNO 2 /Perovskite界面上有效的载体提取，增强了PEC性能并提高设备的稳定性。Perovskite Photoanode表现出令人印象深刻的偏置光子至电流效率为12.9％，出色的耐用性为225 h。此外，使用所有Perovskite光电子界实现了公正的太阳能分裂，从而导致显着的无辅助太阳能到氢气的效率为10.9％，并且连续22 h稳定的操作。
基于蒙特卡罗模拟、人工智能和机器学习的三维电化学处理外来染料废水的建模与优化
摘要 本研究研究了三维电化学工艺对外来化合物纺织废水中甲基橙 (MO) 染料污染物的脱色性能。采用具有强氧化电位的电化学技术处理纺织染料，并采用附加吸附技术有效去除废水中的染料污染物。在电流密度为 15 mA/cm 2、能耗为 3.62 kWh/kg 和电流效率为 79.53% 的情况下，MO 去除率约为 98%。在电流密度为 15 mA/cm 2 时，50 mg/L MO 污染物迅速矿化，半衰期为 4.66 分钟。此外，在三维电化学反应器中对石墨插层化合物 (GIC) 进行电极化，以增强直接电氧化和 . OH 的生成，从而提高协同处理效率。利用人工智能（AI）和机器学习（ML）技术，如人工神经网络（ANN）、支持向量机（SVM）和随机森林（RF）算法，对MO污染废水的脱色进行了优化。统计指标表明，模型的优越性顺序为：ANN>RF>SVM>多元回归。人工神经网络（ANN）和随机森林（RF）方法对工艺参数的优化结果表明，电流密度为15 mA/cm 2、电解时间为30分钟、初始MO浓度为50 mg/L是维持电化学反应器电流和能源效率的最佳操作参数。最后，蒙特卡洛模拟和敏感性分析表明，ANN的预测效率最好，不确定性和变异性水平最低，而随机森林的预测结果略好。
含N,N-二甲基甲酰胺水溶液中电沉积铁铬合金薄膜的磁化强度和显微硬度
电沉积是制备合金的重要方法之一。利用电沉积合成合金的方法引起了广泛关注，因为它能够在室温下在金属基材上制备合金薄膜。到目前为止，含有六价铬（Cr 6 +）离子的电解槽已用于金属铬的电沉积。然而，众所周知，Cr 6 + 离子会引起有害的环境污染[4,5]。在欧盟，WEEE/RoHS（废弃电子电气设备/限制在电子电气设备中使用某些有害物质）指令限制使用Cr 6 + 离子[6]。因此，作为一种替代工艺，许多研究人员提出了从含三价铬（Cr 3 +）离子的电解槽中电沉积金属铬合金（例如 Co e Cr 和 Ni e Cr 合金 [7]、Fe e Cr 合金 [8] 和 Fe e Cr e Ni 合金 [9]）。然而，众所周知，电沉积的电流效率受到很大限制，因为 Cr/Cr 3 + 的标准电极电位为 0.937 V（vs. Ag/AgCl/饱和 KCl），远不如铁族金属（例如 Ni/Ni 2 +、Co/Co 2 + 和 Fe/Fe 2 +）的电位高 [10]。在从水溶液中电沉积次贵金属的过程中，随着电流密度的增加，阴极附近的pH值升高[11]。pH值升高的原因是高电流密度下氢气析出速率高，导致阴极附近的H+离子消耗速率高。因此，在简单的水溶液中，Cr3+离子在高电流密度下会与阴极附近的六个水分子形成复合物[Cr(H2O)6]3+。具体而言，这些[Cr(H2O)6]3+离子会在酸性pH区（pH > 4.5）通过羟桥反应形成羟基桥接胶体聚合物[12，13]。阴极附近的这种胶体聚合物会抑制金属铬的电沉积。因此，通常在水溶液中加入甘氨酸、尿素或 N,N-二甲基甲酰胺 (DMF) 等络合剂来抑制 [Cr(H 2 O) 6 ] 3 + 离子的形成。在这些络合剂中，DMF 是众所周知的在金属电沉积过程中减少氢析出的有效络合剂 [14]。之前有几种
由于优异的光电性能，先进纳米材料越来越受到学术界和工业界的关注（刘
先进纳米材料因其出色的光电特性，受到学术界和工业界越来越多的关注（Liu et al.，2020）。近年来，人们致力于开发高性能纳米材料，这使得其在广泛的光电应用中具有巨大潜力（Kong et al.，2021；Niu et al.，2021），特别是在发光二极管 (LED) 和太阳能电池 (SC) 方面。我们非常高兴地推出这期题为“用于发光二极管和太阳能电池的先进纳米材料”的特刊。本期特刊从不同角度强调了材料-器件研究的主要意义，结合了现代实验方法和理论模拟。我们从这个令人兴奋的领域收集了 10 篇特色文章，涵盖了用于 LED 和 SC 开发的先进纳米材料的新兴概念、策略和技术。简化的有机 LED（OLED）结构和可行的制造工艺在照明中起着关键作用。 Xu 等人结合了超薄非掺杂发射纳米层（0.3 纳米），展示了低效率滚降和结构简单的 OLED。同时，Xie 等人通过使用含硼和氮原子的分子作为客体发射极，开发了溶液处理的蓝色热激活延迟荧光 OLED，其半峰全宽较窄为 32 纳米，获得高色纯度 OLED。另一方面，开发新型溶液处理的空穴注入材料对于高性能 OLED 至关重要。Zhu 等人合成了二硫化钼量子点（MoS 2 QDs）并展示了具有混合聚（3,4-乙烯二氧噻吩）/聚（苯乙烯磺酸盐）（PEDOT:PSS）/QDs 空穴注入层的绿色磷光 OLED。采用PEDOT:PSS/MoS 2 空穴注入层的OLED最大电流效率为72.7 cd A −1，比单一PEDOT:PSS的OLED高28.2%，表明以硫化物QD作为空穴注入层是实现高效OLED的有效方法。GaN基LED也是很有前途的照明和显示设备。Zhang等人从实验和数值两个方面系统地研究了台面尺寸减小对InGaN/GaN LED两个横向维度的影响，为设备小型化提供了见解。而Lu等人制作并展示了各种尺寸的应变减小微型LED，并研究了尺寸对光学特性和量子阱铟浓度的影响。他们的工作为实现微型LED的高功率性能提供了经验法则。另一方面，Liu等人对GaN基LED进行了系统的研究，提出了一种新的方法来降低应变，提高LED的效率。采用氢化物气相外延与激光剥离技术联合制备缓冲层，在双抛光蓝宝石衬底上制备了厚度约为250 μm的2英寸自支撑GaN衬底，为高功率GaN基器件提供了一条途径。