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World File Search System电源电压
探索电源电压和温度
摘要。本文深入研究了在XOR-XNOR细胞中应用的常规和非常规设计方法。这些单元在各种算术逻辑电路中起着至关重要的作用，在低压和功率水平下运行的VLSI设计中具有很大的计算能力。本文研究了与常规和非规定设计策略相关的困难。此外，它对当前文献中有关电路设计参数的不同XOR/XNOR单元进行了相对评估。这项研究的结果表明，低技术节点中碳纳米管现场效应晶体管（CNTFET）技术的采用显着降低了电路延迟，而浮动栅极金属氧化物半导体（FGMOS）技术在电路电力效率方面显示出卓越的解释。讨论还涵盖了FinFET技术在创建XOR/XNOR细胞中的利用。本文评估了这些XOR/XNOR细胞的电压和温度弹性。使用22nm技术节点的HSPICE工具进行了分析。基于FGMO的XOR/XNOR细胞表明，对电压和温度波动的弹性最高。采用非常规技术遇到的主要挑战涉及缺乏适当的仿真模型和复杂的制造过程。这些挑战特别阻碍了这些开拓性方法的进步和采用。
字母A 30 Gbps 1.25 pJ/b CMOS接收器模拟前端，低电源电压
摘要 本文提出了一种30 Gbps 1.25 pJ/b光接收机模拟前端(Rx_AFE)，主要由有源电压电流反馈跨阻放大器(AVCF-TIA)和交错有源反馈限幅放大器(LA)组成。通过在所提出的TIA中采用有源电压电流反馈技术，大输入电容得到很好的隔离，而不受低电源电压的限制，并且显著缓解了跨阻增益和输出极点频率之间的直接矛盾。同时，通过在LA设计中采用交错有源反馈技术，带宽进一步扩展。所提出的Rx_AFE采用40 nm bulk-CMOS工艺制造，跨阻增益为63.8 dB Ω，3 dB带宽为24.3 GHz。从电源电压 1.0 V 开始，当运行 30 Gbps PRBS 时，电路的功耗和功率效率分别为 37.5 mW 和 1.25 pJ/b。核心电路占用的芯片面积为 920 µ m × 690 µ m。关键词：光接收器、跨阻放大器 (TIA)、有源电压-电流反馈、交错有源反馈、限幅放大器 (LA)、CMOS 分类：集成电路（存储器、逻辑、模拟、RF、传感器）
字母 A 具有低电源电压的 30 Gbps 1.25 pJ/b CMOS 接收器模拟前端
摘要 本文提出了一种30 Gbps 1.25 pJ/b光接收机模拟前端（Rx_AFE），主要由有源电压电流反馈跨阻放大器（AVCF-TIA）和交错有源反馈限幅放大器（LA）组成。通过在所提出的TIA中采用有源电压电流反馈技术，大输入电容得到很好的隔离，而不受低电源电压的限制，并且大大缓解了跨阻增益和输出极点频率之间的直接矛盾。同时，通过在LA设计中采用交错有源反馈技术进一步扩展了带宽。所提出的Rx_AFE采用40 nm bulk-CMOS工艺制造，跨阻增益为63.8 dBΩ，3 dB带宽为24.3 GHz。从电源电压 1.0 V 开始，当运行 30 Gbps PRBS 时，电路的功耗和功率效率分别为 37.5 mW 和 1.25 pJ/b。核心电路占用的芯片面积为 920 µ m × 690 µ m。关键词：光接收器、跨阻放大器 (TIA)、有源电压-电流反馈、交错有源反馈、限幅放大器 (LA)、CMOS。分类：集成电路（存储器、逻辑、模拟、RF、传感器）
基于 VDVTA 和 OTA 的 CMOS 实现的全电子可调一阶全通滤波器，在低电源电压 ± 0.85 V 下具有最佳线性度
本文介绍了一种新型一阶全通滤波器配置。所提出的全通滤波器配置采用两种配置，即基于 VDVTA 和 OTA 的一阶全通滤波器配置。所提出的第一种配置采用单个 VDVTA 和一个接地电容器，而所提出的第二种配置采用两个 OTA 和一个接地电容器。所提出的两种配置都是完全电子可调的，其品质因数不依赖于可调极点频率范围。所报告的配置具有较低的主动和被动灵敏度，并且功耗较低，电源电压非常低，±0.85 V，偏置电压为±0.50 V。使用 0.18 µm CMOS 技术工艺参数验证了所提出的 VDVTA 和两个基于 OTA 的一阶全通滤波器配置的 PSPICE 模拟。
低电源电压±0.82V下最低功耗的基于VDTA的电调谐波有源滤波器的CMOS实现
本文介绍了一种基于电压差分跨导放大器 (VDTA) 的波有源滤波器的高阶电压和电流模式低通或高通滤波器。针对波有源滤波器的基本有源构建模块，提出了波等效变量技术和拓扑模拟以及使用波变量技术的操作实现。将所提出的波等效技术与正确选择端子连接一起应用于波有源滤波器。本文提出，实现波有源滤波器的基本元件是串联电感和并联接地电容。通过使用 SPICE 模拟和 0.18 µm TSMC CMOS 技术参数，实现了最低功耗为 ±0.82 V 的 4 阶低通和高通巴特沃斯滤波器，从而验证了所提出的波有源滤波器。