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World File Search System电阻率
利用二氯化双（三乙基膦）镍（II）和 1,4-双（三甲基锗基）-1,4-二氢吡嗪进行镍的低温热 ALD 工艺
镍薄膜可用于从微电子到保护涂层 1 和催化等不同应用领域。2,3 Ni 是未来集成电路 (IC) 互连中铜的替代材料之一，因为 Ni 具有低电阻率和低电子平均自由程，当互连尺寸足够小时，它的电阻率会低于铜。4 例如，当线宽低于 10 纳米时，钴的电导率将超过铜，而镍具有相似的体电阻率，但电子平均自由程甚至低于钴。5 通过加热薄膜，可以将沉积在硅上的 Ni 薄膜转化为低电阻率接触材料 NiSi。全硅化物 Ni 栅极可用于互补金属氧化物半导体。6 由于其铁磁特性，镍对于磁存储器的发展至关重要。自旋转移力矩磁阻随机存取存储器 (STT-MRAM) 被认为是一种通用存储器，有朝一日可能会彻底改变整个微电子行业。7
非晶相变材料中的电阻漂移收敛和反转
图 4：a) Ge 15 Te 85 玻璃在 105 °C 下退火一段时间后进行的电阻率上扫描测量得出的虚拟温度 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 的演变。𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 数据与 TNM-AG 模型（黑线）精确拟合，并长时间向退火温度 105 °C 收敛，从而证实了稳定性。b) 将在 105 °C 恒温保持期间获得的电阻率数据（浅蓝色点）与从 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌（红色圆圈）和 TNM-AG 模型（黑线）计算出的电阻率值进行比较（a）。实验电阻率数据与玻璃松弛模型的预测结果非常吻合。请注意，初始 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 低于图 2 所示的 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝐻𝐻。这是由于在 vdP 样品上沉积覆盖层期间向硫族化物引入了热量。
产品手册、导电粘合剂。...
导电胶粘剂的特征在于其体积电阻率，这是衡量其横向导电性的指标。通常，银填充胶粘剂的体积电阻率约为 10 -4 Ω∙cm。然而，对于特殊应用，考虑 z 方向的导电性可能更有用。对于对导电性要求较低的应用，可使用较便宜的填料。
电磁方法的可能性...
EM16R 可直接读取欧姆米的视在地面电阻率。如果相位角为 45°，则电阻率读数为真实值，地球与勘探深度（即表皮深度）一致。任何偏离 45° 相位的情况都表明地球是分层的。每台仪器都提供两层解释曲线，以便根据两层地球模型进行解释。
使用机器学习方法进行数据驱动的材料发现和合成
图 1：顺序（即一次一个变量）贝叶斯优化 (BO)/自适应设计 (AD) 结果。实验和预测的残余电阻率比 (RRR) 定义为 300 K 电阻率与 4 K 电阻率之比，针对 5 个随机 (a)、7 (b)、9 (c) 和 11 (d) 样本（#6-11 通过 AD）以及预期改进 (EI) 值，其中最大值表示在 BO/AD 算法中要执行的下一个实验。在新的 AD 数据点附近的区域，不确定性趋于降低。转载自 Wakabayashi, YK；Otsuka, T.；Krockenberger, Y.；Sawada, H.；Taniyasu, Y.；Yamamoto, H。APL Materials 2019, 7 (10)[ 28 ]；根据知识共享署名（CC BY）许可证（http：//creativecommons.org/licenses/by/4.0/）获得许可。
分析，2D和1D联合反转来自Buranga地热前景的磁铁和瞬态电磁数据，乌干达
电阻率数据来自位于近距离电磁（TEM）位点（88个站点）和磁电纤维（MT）位点（165个站点）的电阻率数据，在一维关节反转中使用，以纠正主要由近乎表面的不均匀性引起的静态移位。从旋转不变的决定因素和平均值以及旋转变体的XY和YX表观电阻率和相位作为深度切片和横截面显示的旋转变体的结果以及旋转变体的结果。在MT数据的2D反转中，使用了横向电气（TE）和横向磁性（TM）模式的一维关节反转的静态移位因子。通过使用100Ωm和30Ωm均质的半空间初始模型来探索2D模型的收敛性和鲁棒性，该模型产生了相似的结果，并以1.0-1.9在1.0-1.9之间的横截面表示。
71磁各向异性和运输...
在这里，我们报告了金属Kagome Ferromagnet Fe 3 Sn中的磁依属性各向异性（MAE）和电荷运输的相互作用。我们揭示了纵向电阻率和异常电阻率的大型各向异性。我们的发现表明，霍尔电阻率的各向异性比在宽温度范围内（2K≤t≥300K）在磁环替型各向异性（K u）线性缩放（k u）（图1（a）），表明旋转式耦合（SOC）是驱动两种旋转型机制和驱动Anisotropic promities的基础机制。材料特异性的Ab-Initio计算进一步表明，由自旋轨道耦合引起的FERMI水平附近的频带的磁重建负责浆果曲率的各向异性行为（图1（B- C）），因此，对于Fe 3 Sn中的大型动态HALL效应。