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World File Search System电阻率
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图S4。TB-WSE 2中电阻率ρ的温度依赖性。（a）电阻率ρ是归一化载体密度N/N S的函数，在4.1°TB-WSE 2设备中，V tg的温度t和温度t的函数。VHS的电阻率显示出与主文本中设备相似的正温度依赖性。（B）ρ。这些曲线有抵消，以清晰。黑线是插入线。（c）电阻率ρ是归一化载体密度N/N S的函数，V tg的温度t为-10。8 V在5.7°TB-WSE 2中。 （d）ρ在t曲线的v Tg处与-10的t曲线图。 8 V在5.7°TB-WSE 2中的不同归一化载体密度下。 每个曲线对应于具有相同颜色的插图中的一个点。 这些曲线被抵消为了清晰。 当我们从较高（下）掺杂接近VHS时，ρ的温度依赖性从费米 - 液体行为变化，t 2与t线性行为有关。8 V在5.7°TB-WSE 2中。（d）ρ在t曲线的v Tg处与-10的t曲线图。8 V在5.7°TB-WSE 2中的不同归一化载体密度下。每个曲线对应于具有相同颜色的插图中的一个点。这些曲线被抵消为了清晰。当我们从较高（下）掺杂接近VHS时，ρ的温度依赖性从费米 - 液体行为变化，t 2与t线性行为有关。
在AI中揭示隐私风险：数据，模型和系统Amanda Csipak数字农业将农艺学推向下一个绿色革命高电阻超速带隙半导体的光电流和金属接触的特性
超级带隙（UWBG）半导体固有地表现出很高的电阻率。该特性不仅提出了探索其电运输特性的挑战，而且很难制造，理解和表征这些材料上金属接触的电特性。在这里，我们报告了光电流的应用电场依赖性的测量和分析，以揭示金属接触对高电阻H-BN的传输特性的影响。我们的结果表明，即使对于H-BN，室温的电阻率高达10 14 x cm，供应金属触点也不是完全阻断的类型，正如先前对其他大型带隙绝缘材料中通常假设的那样。通过修改金属/半导体界面之间的边界条件，已经获得了定量描述，可用于确定金属触点是欧姆还是阻塞类型。此定量描述应适用于所有具有极高电阻率的UWBG半导体。这项工作还可以更好地了解金属接触类型如何影响UWBG半导体的运输特性。
使用微观屏障/gan异质结构的低热预算无欧姆接触使用微图案俄亥俄州的凹槽
摘要：一种前微型图案的渗透过程，用于制造Ti/al/ti/ti/tin ohmic接触到超薄式级别（UTB）Algan/gan异质结构，其欧姆接触电阻率明显降低了0.56ω·Mm的欧欧米触点电阻率为0.56ω·Mm，在同步型柔和的550°MM处于550°C c。板电阻随着电源定律的温度而增加，指数为+2.58，而特定的接触电阻率随温度而降低。接触机制可以通过热场射击（TFE）很好地描述。提取的Schottky屏障高度和电子浓度为0.31 eV和5.52×10 18 cm -3，这表明欧姆金属与UTB-ALGAN以及GAN缓冲液之间的亲密接触。尽管需要深入研究，但揭示了欧姆的透射长度与微图案大小之间的良好相关性。使用拟议的无AU欧姆式融合技术制造了初步的CMOS-PROCOSS-PROCESS-COMPAT-IS-INBLE-METAL-MUNS-DEMENDORATOR-极性高动力晶体管（MIS-HEMT）。
日本地热领域的案例研究
ummary，对磁铁（MT）调查的需求正在增加。对于日本的大多数可开发地热场，复杂的地下结构和地形违规行为在提高准确性方面面临着重大挑战。在日本的地热领域，我们使用有限元建模代码femtim进行了高分辨率地形进行3-D反转进行了高密度MT调查，以解决这些问题。此外，被调查的地区面临着可能影响我们成功的巨大文化噪音挑战。为了减轻这种情况，我们延长了收购时间并应用了其他技术流程。我们使用短时傅立叶变换分析了数据，以识别与时间相关的噪声条件，从而使我们能够更严格地在死带频率上选择交叉动力。进一步平滑处理的声音曲线，以作为更合理的建模输入。解决了噪声问题后，我们在反转中利用了阻抗和威先令的完整组成部分。使用非结构化的四面体元素来产生高分辨率地形，最大程度地减少了地形畸变对MT传递函数的影响。变形张量也被认为是目标函数中的变量。我们使用1-D OCCAM的反转结果来设置先前模型中均匀半空间的值。通过调整权衡参数，使用L-Curve方法定义了最佳模型。总体而言，倒电阻率模型在发声曲线和感应箭头图中都很好地拟合了观察到的数据。我们将最终的电阻率模型与来自2D倒置重力数据的电阻率对数和密度曲线进行了比较。从我们的模型中提取的电阻率分布与记录数据一致，并且更深的电阻率结构和密度曲线中的掩埋体形状相似。此案例证明了MT调查及其在日本的前景的3-D反转中的商业调查进展。关键字：Magnetotelteruric方法；地热场；女性地球物理探索； 3D反转
通过局部电沉积直接 3D 微打印高导电金结构
直接 3D 打印金属微结构可以实现混合微制造，将传统微制造与增材微制造 (l AM) 相结合。微结构的材料特性，包括电阻率，对于微电子、高频通信和生物医学工程等广泛的应用都具有决定性的重要性。在这项工作中，我们介绍了一种基于局部电沉积的金结构 l AM 室温工艺。我们通过气压调节前体物质供应速率和通过电沉积电位调节反应速率来展示对电沉积过程的控制。我们 3D 打印了复杂的金微尺度结构，并通过开发具有集成四点探针测量功能的混合设备来表征打印金的电阻率。此外，我们基于之前展示的铜 l AM 工艺打印了铜微线，并表征了铜的电阻率。我们证明了金线和铜线的接近体电阻率值分别为 65 n X m（约比体电阻高 2.5 倍）和 19 n X m（仅比体电阻高 10%），且无需后处理。金线的微观结构分析表明，金属沉积物致密且无空隙。最后，我们在预图案化的基板上印刷了金结构，为将增材微制造与现有微制造技术相结合的混合设备铺平了道路。2023 作者。由 Elsevier Ltd. 出版。这是一篇根据 CC BY 许可协议开放获取的文章（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）。
![arxiv：2410.18305v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2024年10月23日](/simg/e\e7f8b0684e02a9d5de758877a1a9043c233d6145.webp)
arxiv：2410.18305v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2024年10月23日
我们研究了点缺陷和Hg杂质在碘化抗氢化氢的电子特性中的影响（BI 4 I 4）。在不同温度下退火后我们的传输测量结果表明，BI 4 I 4的电阻率取决于其热史，这表明天然缺陷和杂质的形成可以影响电阻率的温度依赖性。我们的密度功能理论计算表明，二抗和碘反异地和二氮位置空位是主要的天然点缺陷。我们发现，二晶岩在频带边缘引入谐振状态，而碘反异地和二晶的空缺分别导致n型和p型bi 4 i 4 i 4。HG杂质可能在BI替代部位发现，从而产生Bi 4 I 4的P型掺杂。总体而言，我们的发现表明，由于载体的数量和类型的修改以及相关的缺陷（杂质）散射，因此本地点缺陷和杂质的存在可以显着改变电子特性，因此会影响BI 4 I 4的电阻率曲线。我们的结果表明，追求准量子量子材料的电子性质进行微调的可能路线。
5d 过渡金属铝合金中来自外部散射的巨自旋霍尔效应和自旋轨道扭矩
磁性赛道存储器。[7,8] 自旋流可通过自旋霍尔效应 (SHE) 由电荷电流产生。人们对某些类别的高质量晶体化合物产生了浓厚的兴趣，这些化合物可产生源自此类材料本征电子能带结构的较大自旋霍尔效应：[9,10] 此类材料包括拓扑绝缘体 [11–13] 以及狄拉克和外尔半金属 [14–16]。然而，在这里，我们展示了非常大的自旋霍尔效应，它是由室温下由 5 d 元素和铝形成的高阻合金中的外部散射产生的，在实际应用中非常有用。自旋轨道相互作用 (SOI) 在自旋霍尔效应中起着核心作用，通常原子序数 Z 越大，自旋霍尔效应越大。此外，化合物或合金中组成元素的 Z 值差异越大，外部散射就越大，因此 SHE 也越大。[17,18] 在这方面，将铝等轻金属与 5 d 过渡金属合金化预计会产生较大的外部 SHE。[19] 在本文中，我们表明 M x Al 100 − x（M = Ta、W、Re、Os、Ir 和 Pt）合金不仅电阻率 ρ 发生剧烈变化，而且自旋霍尔角 (SHA) θ SH 和自旋霍尔 (SHC) σ SH 也随其成分 x 而变化。我们发现，在许多情况下，在临界成分下，会从高度无序的近非晶相转变为高度结晶相。此外，我们发现电阻率和 SHA 在外部散射最大化的非晶-结晶边界附近表现出最大值。为了支持这一猜想，我们发现最大电阻率的大小和相应的 SHA 随 Z 系统地变化。这表明 5 d 壳层的填充起着至关重要的作用，因为电阻率和 SHA 与 M 的 5 d 壳层中未配对电子的数量有关，因此当 M = Re 或 Os 时，ρ 表现出最大值（根据洪特规则，未配对 d 电子的数量分别为 5、6）。我们发现电阻率与 SHA 大致成线性比例，因此与 θ SH 成反比的功耗（ / SH 2 ρ θ ≈ ）在最大 SHA 时最小。[20] 因此，我们发现 M x Al 100 − x 是功率较小的优良自旋轨道扭矩 (SOT) 源
谐振光增强了Fermionic超流体QED模拟器中的相干性
摘要：这项研究研究了波特兰水泥粘贴的水合，微结构，自动收缩率，电阻率和机械性能与PEG-PPG Triblock共聚物进行了不同的分子量。使用VICAT测试和等温量热法检查了包括设定时间和水合热量在内的幼年特性。分别使用热重分析（TGA）和氮吸附分析了水合产物和孔径分布。使用压缩强度测试和电化学阻抗光谱（EIS）评估了机械性能和电阻率。表明，由于共聚物在共聚物的分子结构中存在疏水块（PPG），因此添加共聚物会降低水泥糊孔溶液的表面张力。在对照糊中的设定时间和水合热以及与共聚物修饰的粘贴相对相似。结果表明，共聚物能够减少糊状物中的自体收缩，这主要是由于孔隙溶液溶液表面张力的降低。TGA显示与共聚物修饰的糊剂的水合度略有增加。在与共聚物修饰的糊状物中降低了抗压强度，该粘贴量显示出空气量增加的共聚物。添加共聚物不会影响糊状物的电阻率，除非有大量的空气空隙（充当电绝缘体）。
科学中国各向异性运输特性和...
电子相关性通常会诞生量子材料中的各种订单。最近，发现有密切相关的kagome抗磁铁FEGE是在A型抗磁磁性状态内经历电荷密度波转变，从而提供了探索电荷顺序和磁性之间相互作用的机会。在这里，我们报道了在退火的Fege晶体中观察到各向异性电阻率和霍尔效应以及拓扑结构的影响。当电流沿着AB平面流动时，ρAB的温度依赖性表现出与T CDW处的一阶转变相关的独特电阻率环。所施加的磁场不会改变t CDW，但可以在H SF处诱导自旋流过渡。因此，在cant下方的倾斜的抗铁磁（CAFM）状态中观察到了场诱导的大拓扑厅的效应，这可能归因于自旋流动过程中的非平凡自旋质地。虽然由于电流平行于C轴，因此ρc和χC中的场诱导的跃迁都消失了。相反，退火fege中的大厅电阻率显着表现出与线性领域依赖性的偏差。这些发现为揭示Kagome磁铁中磁性，电荷顺序和拓扑之间的相互作用提供了宝贵的见解。