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音频和视频载体 - 国际档案理事会 |
声音是气压变化的函数，它被转换成切割针的运动，并刻在旋转介质的表面上。这最初是纯机械的。声音由喇叭捕捉，喇叭移动通过杠杆连接到切割针的膜，将这些运动刻在旋转蜡筒或盘的表面上。复制则以相反的方式进行。调制槽移动针，通过杠杆驱动膜，其振动由喇叭放大。1925 年左右，这种声学机械过程被电放大系统取代。在这个系统中，声音由麦克风转换成电信号，电信号移动电驱动的切割针。通过使用电拾音系统，复制也得到了改进，电拾音系统的信号经过适当放大后，通过扬声器或耳机重新转换为机械运动。最近，已经开发出用于光学、非接触式重放机械载体的系统。然而，这些系统尚未得到更广泛的认可。（有关从机械载体检索信号的信息，请参阅 IASA-TC 04、5.2 和 5.3。）
电动汽车中碳化硅 MOSFET 的回顾
摘要 与硅基绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 相比，碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 具有更高的工作温度、开关速度和开关频率的特点，被认为是未来电驱动的下一个进化步骤。SiC MOSFET 在电动汽车领域的应用带来了许多好处，例如更高的效率、更高的功率密度和简化的冷却系统，并且可以看作是大功率快速电池充电的推动者。本文回顾了 SiC MOSFET 在不同电动汽车 (EV) 应用场景中的优势，包括牵引逆变器、车载转换器和非车载充电应用。然而，用 SiC MOSFET 取代 Si-IGBT 带来了一些新的技术挑战，例如更强的电磁干扰 (EMI)、可靠性问题、由于高瞬态电压导致的潜在电机绝缘故障以及冷却困难。与成熟的硅基半导体技术相比，这些挑战迄今为止阻碍了 SiC MOSFET 在汽车应用中的广泛采用。为了充分利用 SiC MOSFET 在汽车应用中的优势并提高其可靠性，本文探讨了 SiC MOSFET 模块封装和驱动器设计的未来技术发展，以及具有更高开关频率的新型电机驱动策略和优化的高频机器设计。
铁磁体-金属界面处的瞬态自旋注入效率
为了理解自旋流的基本限制并优化自旋注入过程，了解飞秒自旋注入的效率及其背后的微观机制是必不可少的。通过光诱导自旋流来操控磁化已经被证实，即超快退磁[3,6,7,9]以及小角度进动的激发，即GHz和THz自旋波。[12–14]尤其是，通过亚皮秒激光驱动的自旋流可以诱导自旋转移矩（STT），[14]而在重金属-铁磁体界面已经证明了通过圆偏振泵浦脉冲产生的光学自旋矩。[15,16]我们旨在通过结合时间分辨实验和从头算理论来产生微观见解，从而展示确定和提高自旋注入效率的方法，使未来的超快自旋电子学应用成为可能。至关重要的是，非平衡自旋注入集中在低于 100 fs 的脉冲中，从而产生具有高峰值强度的瞬态自旋电流。由于非平衡自旋注入是由光激发引起的，并且由自旋相关的电荷电流组成，因此不仅涉及费米能级附近的状态，还涉及其周围几个 eV 宽的能量区域中的状态，这些能量区域由泵浦激光脉冲的光子能量给出。这将非平衡自旋注入与在平衡条件下电驱动的磁振子自旋电流区分开来。[17–19]