• 一个综合的科学职业环境,包括国际同事(数据科学家、生物学家和医生)、综合研究设施(计算服务器、人类遗传和组织生物库、临床数据仓库、生物实验室和动物设施)、扩大的国内和国际合作以及联盟或基金会资源(DFG、SFB TRR267、DZHK、Corona-Stiftung、Deutsche Herzstiftung 等)。 • 雇佣合同最初限制为 3.5 年,具有长期前景 • 薪酬符合 TV-L E13(65%)(含年度奖金) • 有吸引力的雇主优惠(例如体育项目、员工餐厅、医院药房的员工销售)德国心脏中心慕尼黑积极促进所有员工的平等。因此,我们欢迎男性和女性的申请,不论他们的文化和社会背景、年龄、宗教、信仰、残疾或性别认同如何。如果申请人同样适合,我们会优先考虑患有严重残疾的申请人,并考虑到个案的所有情况。联系方式: Zhifen Chen,博士,首席研究员,电话 +49 89 1218 2599 Katharina Knödlseder,项目经理,电话 +49 89 1218 1764 Thomas Schmid,招聘/人力资源主管,电话 +49 89 1218 1734 请于 2024 年 12 月 10 日前通过电子邮件(zhifen.chen@tum.de 和 Bewerbung@dhm.mhn.de)向我们发送您的申请。
激子淬火。[10]研究还致力于开发带有红移排放的有机植物[5b,11],一般策略是增加结合的程度。但是,这导致水溶性不足并使合成复杂化。精确剂和动力因素由于分子的相互作用而形成较低的能级,也是获得红移发射的策略。[12] CHI和同事引入了分子间卤素键合,以提高超大的磷光效率高达52.10%。[4C] KIM和同事报告了一种通过互联体相互作用(卤素和氢键)增强磷光的策略。[4A]众所周知,室内电荷转移(ICT)可以减少单线和三重态,张和同事之间使用ICT来促进磷光的能量差距。[13] Tian和同事报告了基于宿主增强的ICT和宿主诱导的分子内旋转限制的多色发光。[14]最近,我们的小组制定了协同增强策略,以实现室温磷光(RTP),[2B,10,15],我们已经开发了多阶段组装的超分子系统,这些系统显示出通过荧光共振能量传递和型型组件,这些系统显示出红色和近红外的Emision。[16]然而,尚未报道使用宿主 - guest相互作用来调节ICT并以有效且可调的磷光形式形成动力的方法。此外,我们发现超分子引脚可用于细胞成像,尤其是线粒体中的成像。这种超分子策略在这项研究中,我们现在合成了几个新型的桥梁苯基苯基盐荧光团,并通过供体 - 受体的网状液与柔性烷基链相连。化合物1(方案1)是一个典型的示例。Using NMR spectroscopy, mass spectrometry (MS), transmission electron microscopy (TEM), and theoretical calculations, we analyzed the “molecular folding” binding of 1 and CB[8], and we found that 1 /CB[8] host–guest assemblies show the highest phosphorescence quantum yield reported to date for ultralong organic phosphorescence (UOP) materials.与参考化合物进行仔细的比较揭示了有效磷光的机械性是由于三个主要因素:第一个是非放射性衰变的较低速率,分散在富含羟基的矩阵中,CB [8]严重地封装了色彩的封装[8]和柔性链被抑制了非差异性差异;其次,有效的ICT提高了ISC的速率;最后,分子内卤素键的形成使辐射衰减的速率从t 1增加到S 0。
对脑血流无创和高灵敏度测量对于临床应用至关重要,例如测量氧代谢率1、2和监测颅内压。3,4此外,尽管主要使用功能磁共振成像和近膜光谱光谱(FNIRS)的神经科学应用,例如功能激活映射5、6和无创脑 - 计算机界面7、8,但这些应用可以从功能性共脑血液流量测量中受益。9 - 11弥漫性控制光谱(DCS)12是一种有前途的非侵入性光学技术,用于监测细胞的血液流量13、14和用于测量手指敲击9和视觉刺激期间的皮层功能激活10、11个任务。dcs通过将相干的光耦合到主题中,并测量由光散射出主体产生的斑点场中的波动来测量深度组织动力学。12、15、16增加了源 - dcs optodes的检测器分离(ρ),增加了在头皮和头骨下传播的检测到的光子的比例,深入脑皮质。17 - 19但是,对深组织的敏感性的提高是以减少
在过去的二十年中,Gan Hemts(高电子迁移率晶体管)已证明其超过硅电源器件限制的高潜力。然而,基于GAN的侧向下摆遭受了几个突出的问题,例如电子捕获和相关的设备可靠性,这是由于闸门边缘处的尖峰电场以及没有雪崩效应。此外,较高的击穿电压需要增加门才能排出距离,从而导致不需要的大设备尺寸。这就是为什么垂直GAN Power设备越来越引起人们的兴趣和社区的强烈努力的原因。的确,高击穿电压,雪崩能力,具有高电流扩展的电场管理和小型设备足迹是垂直电源设备的一些主要优势。如果在硅底物上生长,则可以大大降低整体成本。在这项工作中,我们演示了具有高性能和线性击穿电压缩放的准垂直gan-on-si销钉二极管,并具有漂移层的厚度。完全垂直销钉二极管也被制造出了相似的崩溃场,甚至可能降低了反抗性的罗恩。
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