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登录概述未来月球任务的现场资源利用技术
随着太空技术的快速发展，外星探索逐渐倾向于进一步延伸和更透彻的行星探索。作为人类建立永久行星基础的尝试的第一步，通过原位资源利用（ISRU）建立农历基地（ISRU）将大大减少对地球供应的依赖。月球资源，包括矿产资源，水/冰资源，挥发物和太阳能，将有助于建立长期生命支持和科学探索任务的月球基地，尽管我们必须考虑高真空度，低重力，极端温度条件等的挑战。本文对过去正在发展的ISRU的过程进行了全面的综述，以及几种ISRU技术的最新进展，包括原位水获取，原位氧气生产，原位建筑和原位的现场能源利用以及原位生命的生命支持和月球上的植物种植。尽管能够为月球基础建筑和科学探索提供一些物质和能源供应，但ISRU技术仍需要持续验证并升级以满足进一步的Lunar Exploration任务的更高要求。最终，提出了未来十年对月球ISRU技术的三步制定计划，其中包括提供技术解决方案，提供有效载荷的技术验证并进行现场实验，以建立一个永久的伦纳族站和进行长期的长期月球表面科学活动。ISRU技术的概述，我们的建议将为中国未来的月球勘探任务提供潜在的指导。
选修课程 - TU 登录门户 - 特里布万大学
物理学。课程内容：1. 简介：[2 小时] 1.1 非相互作用电子气。2. Born-Oppenhemier 近似：[3 小时] 2.1 基本哈密顿量，2.2 绝热近似，2.3 简化电子问题。3. 二次量子化：[5 小时] 3.1 玻色子，3.2 费米子，3.3 费米子算符。4. Hartree-Fock 近似：[4 小时] 4.1 非相互作用极限，4.2 Hartree-Fock 近似，4.3 图表。5. 相互作用电子气：[4 小时] 5.1 均匀电子气，5.2 Hartree-Fock 激发谱，5.3 金属的结合能。 6. 金属中的局部磁矩：[4 小时] 6.1 局部矩：现象学，6.2 平均场解。 7. 局部矩的猝灭：[8 小时] 7.1 近藤问题，7.2 近藤汉密尔顿量，7.3 为什么 J 为负？ 7.4 散射和电阻率最小值，7.5 电子-杂质散射振幅，7.6 近藤温度。
国防弹药中心 ATRRS 注册和 ATIS 登录在线培训说明
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三重材料双门TFET的分析建模，具有异性登录门堆栈
摘要已开发了不对称扩展源隧道场效应晶体管（AES-TFET）的二维分析模型，以获得更好的设备性能。已通过求解2-D Poisson的方程来分析并执行所提出的设备模型。表面电势分布，电场变化和带对频带隧道（BTBT）速率已通过此数值建模研究。TFET新颖结构的源区域已扩展（不同的2 nm至6 nm），以结合角效应，从而通过薄薄的隧道屏障进行了BTBT，并具有受控的双极传导。这最终为N通道AES-TFET产生了更好的源通道接口隧道。2-D数值设备模拟器（Silvaco TCAD）已用于模拟工作。最终通过AES-TFET的分析建模来验证模拟工作。更好的是，我关闭和切换比是从这个新颖的TFET结构中获得的。关键字AES-TFET·表面电势分布·电场变化·BTBT·TCAD·数值建模。1介绍纳米科学和纳米技术在纳米级设备中的出现，晶体管的物理大小已被绝对地缩小。通过遵循2022年摩尔的法律预测，微型化已达到其对金属氧化物施加效应晶体管（MOSFET）的极限[1]。在这方面，过去二十年中已经出现了各种扩展问题。短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。 ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com为了克服这些问题，在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。但是，在目前的情况下，在60mv/十年的MOSFET上有限的子阈值摇摆（SS）是研究人员的主要缺点。
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三重材料双门TFET的分析建模，具有异性登录门堆栈
摘要在本文中，已经开发了不对称高架源隧道场效应晶体管（AES-TFET）的二维分析模型，以获得更好的隧道连接装置性能。基于设备物理学的分析建模是通过求解2-d poisson方程进行的。表面电势分布，电场变化和带对波段隧道（B2B）的速率已通过此数值建模研究。在我们提出的结构中，来源已升高（不同的2 nm至6 nm）以融合角效应。这可以通过薄隧道屏障进行载体运输，并具有控制的双极传导。这最终为N通道AES-TFET结构产生更好的源通道界面隧道。2-D数值设备模拟器（Silvaco TCAD）已用于模拟工作。模拟图形表示最终通过AES-TFET的分析建模验证。关键字AES-TFET·表面电势分布·电场变化·B2B隧道·TCAD·数值建模。1介绍纳米科学和纳米技术在纳米级设备中的出现，晶体管的物理大小已被绝对地缩小。通过遵循2022年摩尔的法律预测，微型化已达到其对金属氧化物施加效应晶体管（MOSFET）的极限[1]。在这方面，过去二十年中已经出现了各种扩展问题。短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。 为了克服这些问题，在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。短通道效应（SCE），排水诱导的屏障降低（DIBL）[2]。为了克服这些问题，在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。但是，在目前的情况下，在60mv/十年的MOSFET上有限的子阈值摇摆（SS）是研究人员的主要缺点。ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com
三重材料双门TFET的分析建模，具有异性登录门堆栈
摘要已开发了不对称扩展源隧道场效应晶体管（AES-TFET）的二维分析模型，以获得更好的设备性能。已通过求解2-D Poisson的方程来分析并执行所提出的设备模型。表面电势分布，电场变化和带对频带隧道（BTBT）速率已通过此数值建模研究。TFET新颖结构的源区域已扩展（不同的2 nm至6 nm），以结合角效应，从而通过薄薄的隧道屏障进行了BTBT，并具有受控的双极传导。这最终为N通道AES-TFET产生了更好的源通道接口隧道。2-D数值设备模拟器（Silvaco TCAD）已用于模拟工作。最终通过AES-TFET的分析建模来验证模拟工作。更好的是，我关闭和切换比是从这个新颖的TFET结构中获得的。
拓扑登录元素以交换挫败感驱动的kagome-lattice $ {\ rm ymn} _6 {\ rm sn} _6 $
YMN 6 SN 6由两种类型的基于Mn的基于MN的kagome平面，它们沿着具有复杂磁相互作用的C轴堆叠。我们报告了从铁磁（FM）中的YMN 6 SN 6中进行的自旋重建，以组合两种不一致的自旋螺旋（SSS），这些螺旋螺旋（SSS）源自两种不同类型的Mn Kagome平面，由沿C-轴的沮丧的磁性交换驱动，并包括Hubbard u。不稳定的SSS的螺距角和波矢量约为89。3◦和〜（0 0 0.248），与实验非常吻合。我们采用通过交换相互作用构建的有效模型的哈密顿式模型来捕获两种不稳定的SSS的实验性观察到的非效法性质，这也解释了由于与相关性的抗fiferromagntic自旋交换而引起的FM-SS交叉。我们通过计算拓扑不变性和浆果曲率pro文件，进一步报告了在YMN 6 SN 6的不相称的SS相中具有自旋轨道耦合的拓扑镁的存在。在73 MEV匹配的能量景观中，狄拉克木元的位置与另一个实验报告。我们通过突出YMN 6 SN 6中的实验特征来证明结果的准确性。
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