https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/6/62/CERN_LHC_Proton_Source.JPG https://cdn.zmescience.com/wp-content/uploads/2015/05/cern-lhc-aerial.jpg H t tp://sites.uci.edu/energyobserver/files/2012/11/lhc-aerial.jpg
彩色皮秒声学 (CPA) 和光谱椭圆偏振术 (SE) 相结合,测量沉积在 300 毫米晶圆上的聚合物薄膜树脂的弹性和热弹特性。使用 SE 测量膜厚度和折射率。使用 CPA 根据折射率测量声速和厚度。比较两种厚度可以检查两种方法之间的一致性。然后在 19 ◦ 至 180 ◦C 的不同温度下应用相同的组合。随着样品被加热,厚度和声速都会发生变化。通过分别监测这些贡献,可以推导出声速温度系数 (TCV) 和热膨胀系数。该协议适用于目前微电子工业使用的不同薄膜树脂制成的五种工业样品。杨氏模量在不同树脂之间相差高达 20%。每种树脂的 TCV 都很大,并且从一个树脂到另一个树脂的相差高达 57%。
在量子状图林基中开发的Spad evalkit基于单个光子计数的时角的过程,并以20 picose第二的时间分辨率启用测量。这允许研究基于量子的应用程序,以及用于视野内诊断的新解决方案或医疗技术。照片:Imms。
摘要:皮秒雪崩探测器是一种基于 (NP) 漂移 (NP) 增益结构的多结硅像素探测器,旨在实现带电粒子跟踪,具有高空间分辨率和皮秒时间戳功能。它使用传感器体积深处的连续结来放大薄吸收层中电离辐射产生的一次电荷。然后,在较厚的漂移区内移动的二次电荷会引发信号。IHP 微电子公司使用 130 nm SiGe BiCMOS 工艺生产了一个概念验证单片原型,该原型由间距为 100 µ m 的六边形像素矩阵组成。探测站和 55 Fe X 射线源的测量表明,原型机可以正常工作,并且显示雪崩增益,最大电子增益可达 23。雪崩特性研究(经 TCAD 模拟证实)表明,55 Fe 源的 X 射线转换产生的较大初级电荷引起的空间电荷效应限制了有效增益。
摘要:皮秒雪崩探测器是一种基于 (NP) 漂移 (NP) 增益结构的多结硅像素探测器,旨在实现带电粒子跟踪,具有高空间分辨率和皮秒时间戳功能。它使用传感器体积深处的连续结来放大薄吸收层中电离辐射产生的一次电荷。然后,在较厚的漂移区内移动的二次电荷会引发信号。IHP 微电子公司使用 130 nm SiGe BiCMOS 工艺生产了一个概念验证单片原型,该原型由间距为 100 µ m 的六边形像素矩阵组成。探测站和 55 Fe X 射线源的测量表明,原型机可以正常工作,并且显示雪崩增益,最大电子增益可达 23。雪崩特性研究(经 TCAD 模拟证实)表明,55 Fe 源的 X 射线转换产生的较大初级电荷引起的空间电荷效应限制了有效增益。
二硫族化合物 MX 2 (过渡金属 M 和硫族元素 X) 是范德华耦合的层状准二维材料,具有可定制的电子特性,因此在器件、气体传感器和化学过程方面具有重要意义。[1] 其基础是多相和堆叠顺序的存在,以及作为主体材料进行掺杂和插层的能力。[2] 二硫族化合物辉钼矿 (MoS 2 ) 是一种热力学稳定的块体晶体,间接带隙为 1.2 至 1.3 eV。[3–5] 其晶体结构由堆叠的 S–Mo–S 片组成,具有 A–B–A 堆叠的三角棱柱对称性,其中顶部和底部 S 平面中的硫原子占据等效的垂直位置。[3] S–Mo–S 片之间的距离为 6.5 Å。 [6] 从间接带隙块体 2H-MoS 2 到单层,带隙逐渐加宽,单层 MoS 2 的直接带隙达到 1.9 eV。[5] 半导体 2H-MoS 2 相支持通过化学和物理方法诱导的 n 型和 p 型掺杂。[7–11] 据报道,插层、电子、光学和热激发以及机械应变和层取向。[3,12–16] 将 S-Mo-S 层中一个 S 平面的硫原子滑动 1.82 Å 会导致单层内的 ABC 堆积,其中硫原子占据 2H 相六边形的中心,从而产生金属 1T-MoS 2 相。 [3,17] 金属 1T-MoS 2 相可以通过电子注入来稳定,例如用电子显微镜直接注入电子或通过吸附的锂原子提供电子。[12,17–21]
了解纳米级热传播的基本原理对于下一代电子产品至关重要。例如,已知层状材料的弱范德华键会限制其热边界导率 (TBC),从而成为散热瓶颈。本文提出了一种新的非破坏性方法,使用时间分辨的光致热应变 X 射线测量来探测纳米级晶体材料中的热传输。该技术通过测量光激发后 c 轴晶格间距的变化,直接监测晶体中随时间的温度变化以及随后跨埋层界面的弛豫。研究了五种不同的层状过渡金属二硫属化物 MoX 2 [X = S、Se 和 Te] 和 WX 2 [X = S 和 Se] 的薄膜以及石墨和 W 掺杂的 MoTe 2 合金。在室温下,在 c 平面蓝宝石衬底上发现 TBC 值在 10–30 MW m − 2 K − 1 范围内。结合分子动力学模拟,结果表明高热阻是界面范德华键合较弱和声子辐射度较低造成的。这项研究为更好地理解新兴 3D 异质集成技术中的热瓶颈问题奠定了基础。
我要感谢所有使这项工作成为可能的人。我特别感谢 Mark Rodwell 在过去四年中不断的帮助和指导。他在几乎所有事情上都具有开阔的视野和敏捷的思维,这非常了不起。Mark 是我的导师、经理和朋友。特别感谢我的其他委员会成员 John Bowers、Umesh Mishra 和 Robert York,他们在我的工作和撰写这篇论文中一直给予帮助和建议。如果没有我的同事 Masayuki Kamegawa、Ruai Yu、Kirk Giboney、Eric Carman、Scott Allen、Joe Pusl、Yoshiyuki Konishi、Madhukar Reddy 和 Uddalak Bhattacharya 的帮助,这项工作不可能完成。谢谢大家,祝你未来好运。最要感谢的是我的妻子 Kimberly。她永无止境的支持使我能够完成这项工作而又不忽视生活和我们的关系。谢谢你们对我的包容。
我要感谢所有使这项工作成为可能的人的贡献。我特别感谢 Mark Rodwell 在过去四年中给予的无尽帮助和指导。他在几乎所有事情上都以开阔的视野和敏捷的思维而闻名。Mark 是一位导师、经理和朋友。特别感谢我的其他委员会成员 John Bowers、Umesh Mishra 和 Robert York 对我的工作和撰写这篇论文的持续帮助和建议。如果没有我的同事 Masayuki Kamegawa、Ruai Yu、Kirk Giboney、Eric Carman、Scott Allen、Joe Pusl、Yoshiyuki Konishi、Madhukar Reddy 和 Uddalak Bhat-tacharya 的帮助,这项工作不可能完成。谢谢大家,祝你未来好运。最诚挚的感谢要归功于我的妻子 Kimberly。她永无止境的支持让我能够完成这项工作,同时又不忽视生活和我们的关系。谢谢你的包容。