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World File Search System相关干扰
原创研究 社区居住的中老年人横断面脑部预测年龄差异，具有高影响力 K
目的：膝关节 OA 相关疼痛对不同个体的影响各不相同，可能与中枢神经系统改变有关，如大脑老化过程加速。我们之前报告称，与无痛对照组相比，患有慢性肌肉骨骼疼痛的老年人的大脑预测年龄明显更大，表明大脑看起来“更老”。但这种关联尚不十分清楚。这项横断面研究考察了与慢性膝关节骨关节炎疼痛相关的大脑预测年龄差异，研究样本规模更大、人口统计学上更加多样化，并考虑了疼痛的影响。患者和方法：根据疼痛对日常功能的影响（即影响），将有/无膝关节 OA 相关疼痛的参与者（平均年龄 = 57.8 ± 8.0 岁）分为低影响（n=111）和高影响（n=60）疼痛组，以及无痛对照组（n=31）。参与者完成了人口统计学、疼痛和社会心理评估以及 T1 加权磁共振成像。使用协方差分析比较了各组之间的大脑预测年龄差异 (brain-PAD)。偏相关检查了大脑 PAD 与疼痛和社会心理变量之间的关联。结果：与低冲击力膝关节疼痛患者相比，高冲击力慢性膝关节疼痛患者的大脑明显“老龄化”（p < 0.05）。Brain-PAD 还与临床疼痛、消极情绪、被动应对和疼痛灾难化显著相关（p < 0.05）。结论：我们的研究结果表明，高冲击力慢性膝关节疼痛与 MRI 上出现的大脑年龄较大有关。未来的研究需要确定疼痛相关干扰和疼痛管理对高危人群的躯体感觉处理和大脑老化生物标志物的影响以及有效的干预策略。关键词：膝关节骨关节炎、高冲击力慢性疼痛、大脑老化、实验性疼痛、社会心理
疫苗
在过去二十年中，疫苗可预防疾病 (VPD) 的疫苗接种计划已在中低收入国家 (LMIC) 中得到推广。然而，COVID-19 的出现导致全球常规免疫活动中断。这种中断可能会对公共卫生产生不利影响，导致更多人死于 VPD，尤其是在没有采取缓解措施的情况下。因此，随着常规免疫活动的恢复，评估不同恢复方法的有效性非常重要。我们应用疫苗影响建模联盟开发的影响外推法，估计 112 个 LMIC 中十个 VPD 在不同恢复情景下 COVID-19 相关中断的影响。我们关注 2020-2030 年因常规免疫接种而避免的死亡人数，并研究相对于无 COVID-19 情景的两种恢复情景。在恢复情景中，我们假设 2020 年常规免疫覆盖率因 COVID-19 而下降 10%。然后，我们将覆盖率线性插值到 2030 年，以研究两种恢复途径，即在 2030 年实现免疫议程 (IA2030) 目标或达不到 10%。我们估计，与无 COVID-19 情景相比，达不到 IA2030 目标 10% 将导致 2020-2030 年间完全接种疫苗的人数 (FVP) 减少 11.26%，死亡人数增加 11.34%，而达到 IA2030 目标将使这些比例降低到 FVP 减少 5% 和死亡人数增加 5.22%。中断的影响在不同的 VPD 中有所不同，未来几年覆盖率大幅扩大的疾病面临的不利影响较小。总体而言，我们的结果表明，常规免疫覆盖率下降可能导致更多人死于 VPD。由于 COVID-19 相关干扰的影响取决于未来几年实现的疫苗接种覆盖率，因此继续努力扩大覆盖率和解决免疫缺口对于恢复之路至关重要。2022 作者。由 Elsevier Ltd. 出版。这是一篇根据 CC BY 许可开放获取的文章（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）。
基于锗的超导体/半导体混合纳米结构用于量子信息
基于超导电路的超导量子比特由超导电容器和具有 transmon 几何的约瑟夫森结组成，广泛应用于高级量子处理器，追求可扩展的量子计算。transmon 的量子比特频率的调整依赖于超导环路中两个超导体-绝缘体-超导体 (S-I-S) 约瑟夫森结的超电流之间的磁通量相关干扰。基于超导体-半导体-超导体 (S-Sm-S) 材料的约瑟夫森结为门可调 transmon 提供了一种可能性，称为“gate-mon”，其中量子比特频率可以通过静电平均值进行调整。在 III-V 材料平台上实现的 gatemon 显示出 transmon 替代品的令人瞩目的发展，但在可扩展性方面仍然存在一个大问题。硅锗 (SiGe) 异质结构由于其高空穴迁移率和 Ge-金属界面的低肖特基势垒而成为承载混合器件的潜在平台之一。此外，与硅基半导体行业的兼容性是扩大量子比特平台的一个有力优势。在本论文中，我们基于 SiGe 异质结构中的 Al-Ge-Al 约瑟夫森结开发了门控。首先，建立了自上而下方法中约瑟夫森场效应晶体管 (JoFET) 的稳健制造配方。我们对 JoFET 进行了详尽的测量，以研究它们随栅极电压、温度和磁场变化的特性。这些器件显示了临界电流 (I C ) 和正常态电阻 (R N ) 的栅极可调性。估计这些器件具有高透明度的超导体-半导体界面，SiGe异质结构上的高 I C R N 乘积证明了这一点。在有限电压范围内，观察到对应于多个安德烈夫反射 (MAR) 的特征。然后，我们在 SiGe 异质结构上制造和表征氮化铌 (NbN) 超导谐振器。我们在传输模式下测量谐振器，并从传输系数 (S 21) 中提取谐振频率 (f r)、内部品质因数 (Q i) 和耦合品质因数 (Q c)。随后，我们开发了制造工艺，将与电容器分流的 Al-Ge-Al 结（换句话说，gatemon）集成到谐振器方案中，并根据设计进行制造。我们在其中一个制造的 gatemon 中演示了反交叉特性。使用双音光谱技术映射门控器的谐振频率，发现它是门可调的。量子位具有较大的光谱线宽，这意味着相干时间较低。此外，我们对超导量子干涉装置 (SQUID) 几何中的结进行了电流相位关系 (CPR) 测量。我们可以证明结构成非正弦 CPR。此外，在辐照结的电流-电压特性曲线中观察到整数和半整数 Shapiro 阶跃。这表明我们的结具有 cos 2 φ 元素，这可以为受保护的量子位开辟另一种可能性。