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应用简介 - 空间级，30克拉德，孤立的I2C电路
此评估模块（EVM）是BQ28Z620和BQ294502电池管理系统的完整评估系统。EVM包括一个BQ28Z620和BQ294502电路模块以及一个基于Windows®PC软件的链接。电路模块包括一个BQ28Z620集成电路（IC），一个BQ294502 IC以及所有其他所有其他在监控和预测容量，执行电池平衡，监视关键参数，保护过度充电，过度递减，短路，短路，短路和2级或2级Cellies Cell Li-ion li-ion li-ion或li-ion li-ion-iro-iromery-powdercs的板载组件。电路模块直接在电池中的单元格上连接。使用EV2400接口板和软件，用户可以读取BQ28Z620数据寄存器，为不同的包配置编程芯片组，对循环数据进行记录以进行进一步评估，并使用I2C通信协议评估解决方案的整体功能和放电条件下的整体功能。
第 573 部分安全召回报告 24V-954
安全风险描述：如果发生高压电池单元内部短路，客户可能会遇到车辆推进系统关闭的情况。失去动力会增加撞车和受伤的风险。转向、制动和照明功能不受影响。如果发生高压电池单元内部短路，客户还可能会遇到电池热量排放，从而可能导致车辆起火，增加受伤的风险。原因描述：电池单元供应商生产工艺的变化可能会导致电池阴极在电池隔膜层中产生微缺陷和/或局部应力。这些微缺陷和局部应力可能会损坏隔膜。识别可能发生的任何警告：如果发生高压电池单元内部短路，客户将收到通过组合仪表显示的“立即安全停车”消息。
在特定的低闸门源电压偏置方面的SIC MOSFET的重复短路能力，以实现更健壮的极端操作
摘要 - 本文提出了在高排水源电压下重复定位的SC应力下的商用硅卡比德（SIC）MOSFET设备的短路（SC）性能。研究了两种方案，以评估栅极源电压（V GS）去极化和SC持续时间（T SC）降低的影响。V GS去极化可提供功率密度的降低，并允许在短路持续时间t scmax的情况下保持安全的故障模式（FTO：失败）。结果表明，SIC MOSFET V GS去极化不会降低T SCMAX时的SC循环能力。但是，使用V GS去极化允许将近1000个周期@T SC = 10 µ s的IGBT鲁棒性水平接近IGBT鲁棒性水平。 SC测试期间芯片温度演变的模拟表明，降解归因于SC周期期间的连接温度（T J）的升高，这导致顶部Al诱导裂纹融合到厚氧化物中。
