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World File Search System砷化镓
半导体公司的十年：1988 年版
新兴技术公司 56 模拟 IC 56 ASIC 58 数字信号处理 59 分立半导体 60 砷化镓 60 存储器 62 微型元件 64 光电子器件 65 电信 IC 65 其他产品 66 磁泡存储器 67 V. 公司简介 (139) 69 A&D Co., Ltd. 69 Acrian Inc. 71 ACTEL Corporation 74 Acumos, Inc. 77 Adaptec, Inc. 79 Advanced Linear Devices, Inc. 84 Advanced Microelectronic Products, Inc. 87 Advanced Power Technology, Inc. 89 Alliance Semiconductor 92 Altera Corporation 94 ANADIGICS, Inc. 100 Applied Micro Circuits Corporation 103 Asahi Kasei Microsystems Co., Ltd. 108 Aspen Semiconductor Corporation 111 ATMEL Corporation 113 Austek Microsystems Pty.Ltd. 116 Barvon Research, Inc. 119 Bipolar Integrated Technology 122 Brooktree Corporation 126 California Devices, Ihc.131 California Micro Devices Corporation 135 Calmos Systems, Inc. 140 © 1988 Dataquest Incorporated 六月
技术 - 海军研究实验室
永磁材料 声学匹配场处理 脉冲 X 射线照相术 氮化镓晶体管开发 经济性和可持续性 伽马射线照相术 断裂力学原理 分子结构分析和诺贝尔奖 合成润滑剂 海军用聚四氟乙烯 定量 X 射线荧光分析 改进的锅炉水处理 断裂试验技术 半绝缘砷化镓晶体 离子注入冶金术 氟化网络聚合物 磁性材料和半导体技术 低太阳吸光度船用涂料 快速固化防腐涂料 顶部伪装和防滑甲板涂料 高温防滑甲板 空间研究与技术 首次探测到太阳的远紫外光谱 首次探测到来自太阳的 X 射线 维京探空火箭计划 先锋计划 — 火箭先锋计划 — Minitrack 和空间监视先锋计划 — 卫星和科学 X 射线天文学太阳辐射 (SOLRAD) I 美国第一颗作战情报卫星 TIMATION 和 NAVSTAR GPS 高层大气遥感星载太阳日冕仪海事领域意识深空计划科学实验 (Clementine) 光波长干涉测量战术卫星自主系统龙眼无人系统氢燃料电池
氮化镓（GaN）中质子反冲离子的LET和射程特性
近年来，氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 受到航天电子界越来越多的关注。尽管 GaN 的电子质量优于 Si，电子迁移率更高，热导率优于砷化镓 (GaAs)，但后者的辐射硬度研究已有数十年 [1]，并且普遍得到充分了解。航天电子设备面临的主要威胁之一是重离子轰击引起的单粒子效应 (SEE)。虽然大多数此类事件是由银河宇宙射线 (GCR) 造成的，但这些粒子的能量通常比实验室环境中产生的更高。作为一种折衷方案，人们使用低能离子来产生类似的效果。通过这些重离子测试，结合工程控制和统计模型，通常可以可靠地预测电子设备的辐射硬度。在过去的 15 年里，人们对 GaN 设备 [2-7] 的 SEE 和位移损伤剂量 (DDD) 进行了广泛的研究和测试。不幸的是，即使是这些低能量重离子也只有全球少数几家工厂生产。一种更常见的高能粒子是质子。在医疗行业中，约 200 MeV 的质子被大量用于治疗和诊断目的，与重离子相比，它相对容易获得 [8]。许多研究
自动化 RF PA 设备制造以加速 5G...
在5G时代之前，硅基横向双扩散金属氧化物半导体（Si-LDMOS）是4G LTE射频功率放大器市场的主流方案，目前已基本成为主流，技术成熟度较高。传统Si-LDMOS在3.5GHz以下频率表现良好，但无法满足5G应用对更高频率的要求。砷化镓（GaAs）应用工作频率主要在8GHz以内，适用于5G基站的中低功率器件。在高功率射频应用中，氮化镓（GaN）优势明显，是5G宏站的必备材料。GaAs和GaN凭借更优的功率系统效率、性能和成本，有望取代硅成为功率开关技术的支柱。作为宽带隙（WBG）半导体材料，GaAs和GaN器件的效率均高于Si。 GaAs/GaN 器件正在取代 5G 基站、雷达和航空电子设备以及其他宽带应用中的 Si-LDMOS 器件。在未来的网络设计中，由于物理特性的限制，GaAs/GaN 和其他 WBG 材料将取代大多数现有的 Si-LDMOS 器件 [1]。一般来说，5G 基站将采用基于 GaAs/GaN 的 PA 来实现更高的频率，而 Si-LDMOS 仍将只是其中的一部分，用于较低频率
400 MHz 带宽的 2.4 GHz LNA 的设计
摘要 ：低噪声放大器 (LNA) 是接收器最重要的前端模块。LNA 的噪声系数 (NF) 和散射参数影响整个接收器电路的整体性能。如今，在 5G 技术时代，传输数据的质量得到了提高。因此，需要更高的带宽来以更高的速度传输数据。在这种情况下，通信模块需要更新。这项研究是为了推动 LNA 的发展。LNA 设计的主要目标是降低噪声系数和回波损耗。本文旨在设计一个带宽为 400 MHz 的 2.4 GHz LNA。该电路是借助单短截线微带线设计的。我们试图将微带线的长度保持在尽可能短的范围内。这项工作中使用了晶体管 ATF-21170 砷化镓场效应晶体管 (GaAs FET)。该电路在 Keysight Advance Design System (ADS) 中进行了仿真。该放大器采用标准方法手工设计。LNA 在 2.2 GHz 至 2.6 GHz 的频率范围内无条件稳定。为了构建放大器的阻抗匹配电路，使用了史密斯图。观察到 LNA 增益 (S21) 大于 15.3 dB，NF 小于 1.2 dB，输入回波损耗 (S11) 小于 -13.3 dB，输出回波损耗 (S22) 小于 -17.1 dB，带宽为 400 MHz，范围从 2.2 到 2.6 GHz。据作者所知，这在文献中从未出现过。
半导体有效位移损伤剂量计算方法的开发及其在空间场中的应用
位移损伤剂量 (DDD) 是预测在太空环境中使用且会受到辐射的半导体器件寿命的常用指标。DDD 通常根据 Norgett-Robinson-Torrens (NRT) 模型根据非电离能量损失估算，尽管所谓的有效 DDD 的新定义考虑了半导体中非晶化的分子动力学 (MD) 模拟。本研究开发了一个新模型，用于计算碳化硅 (SiC)、砷化铟 (InAs)、砷化镓 (GaAs) 和氮化镓 (GaN) 半导体的常规和有效 DDD 值。该模型是通过扩展粒子和重离子传输代码系统 (PHITS) 中实现的每原子位移计数获得的。这种新方法表明，由于直接撞击造成的非晶化，砷基化合物的有效 DDD 高于传统 DDD，而由于复合缺陷，SiC 的这种关系则相反。对于暴露于质子的 SiC 和 GaN，有效 DDD/传统 DDD 比率随质子能量的增加而降低。相反，对于 InAs 和 GaAs，该比率在质子能量高达 100 MeV 时增加到 1 以上，并且趋于稳定，因为缺陷产生效率（即 MD 模拟的碰撞级联末端稳定位移数量与 NRT 模型计算的缺陷数量之比）在损伤能量值高于 20 keV 时不会增加。通过计算低地球轨道上夹在薄玻璃盖和铝板之间的半导体的有效 DDD 值，证明了该模型的实际应用。结果表明，通过将玻璃盖厚度增加到 200 μ m，可以显著降低有效 DDD，从而证实了屏蔽太空中使用的半导体器件的重要性。这种改进的 PHITS 技术有望通过预测宇宙射线环境中具有复杂几何形状的各种半导体的有效 DDD 值来协助半导体设计。
微电子学基础 Behzad razavi pdf 土耳其
微电子学是工程学的一个分支，涉及电子设备和系统的设计、生产和应用。晶体管、二极管、电容器和电阻器等微电子元件用于制造小规模集成电路 (IC)。集成电路广泛应用于计算机、智能手机、电视和其他电子设备。微电子学是现代社会的一项基本技术，它彻底改变了信息处理、通信、交通、医疗保健等许多领域。微电子设备使用半导体材料制造，例如硅、锗和砷化镓。这些材料经过精炼并切割成薄层，然后使用光刻技术对其进行图案化。所得层通过化学方法处理并覆盖金属涂层。最后，对设备进行测试和包装以供使用。微电子设备在各个领域都有广泛的应用。一些例子包括：* 计算机：微电子学是计算机架构的基本组成部分，包括处理器、内存、存储设备和输入/输出外围设备。 * 智能手机：智能手机本质上是小型计算机，严重依赖微电子元件来执行电话、消息、浏览、游戏等任务。 * 电视：电视也依赖微电子元件来显示节目、电影和游戏。 * 其他电子设备：微电子技术用于各种其他设备，如收音机、音乐播放器、游戏机和家用电器。微电子领域不断进步，开发出更小、更快、更强大的电子设备。这些发展还降低了设备成本，使更广泛的受众能够使用它们。 正确答案： 智能手机本质上是小型计算机，严重依赖微电子元件来执行电话、消息、浏览、游戏等任务。 * 电视：电视也依赖微电子元件来显示节目、电影和游戏。 * 其他电子设备：微电子技术用于各种其他设备，如收音机、音乐播放器、游戏机和家用电器。微电子领域不断进步，开发出更小、更快、更强大的电子设备。这些发展还降低了设备成本，使更广泛的受众能够使用它们。 EUV 光刻技术是晶体管的主要技术。
基于印刷 GaAs 微结构的柔性高
通信[4] 环境监测[5] 以及可穿戴和神经形态计算[6]。这也将对物联网 (IoT) 产生影响，在物联网中，智能对象通过无线连接与环境和人体进行交互。[7] 由柔性材料制成的高性能电子设备可以在高速通信、高效图像传感等方面增加新的功能。[4c,8] 例如，如果单个光电探测器 (PD) 设备可以在宽光谱下以低功耗和低延迟工作，则可以显著提高无线通信的传输速率、传输容量和效率。此外，单个 PD 可以满足对宽光谱开关 [9] 或存储器存储 [10] 的需求。然而，到目前为止的研究主要集中于在特定波长（即紫外线 [1b,10,11] 可见光 [12] 或近红外 [13] 光谱）下高性能柔性 PD 的开发和特性描述。近来，很少有人尝试开发超快和可共形宽带光电探测器件。[8b,14] 其中，基于二维材料和钙钛矿的异质结构已显示出扩展光电探测器件工作波长的潜力。[14] 这是由于它们具有直接带隙和大吸收系数。[15] 具体而言，由于钙钛矿可溶液加工且制造成本低廉，因此在光电应用方面引起了更多关注。然而，由于迁移率低（≈1-10 cm 2 Vs）[16] 和稳定性差，[17] 光电探测器件的性能指标（例如响应度 [ R ] 和特定探测率 [D*]）一般。环境条件下稳定性差的原因是水和氧分子的吸附，这大大加速了钙钛矿感光层的降解。 [15a] 人们正在努力通过不同的封装方式来提高钙钛矿基器件的稳定性，但低固有迁移率仍将是一个挑战。因此，人们仍在努力开发下一代具有宽光谱灵敏度和稳健制造路线的柔性高性能 PD。在上述背景下，砷化镓 (GaAs) 等无机化合物半导体的纳米结构和薄膜已显示出巨大的光电潜力
量子比特的实时量子控制
量子计算依赖于开发能够抵抗汉密尔顿量中微小且不受控制的参数变化的量子设备。人们可以通过实时估计这种不受控制的变化来应用反馈，以稳定量子设备并提高其相干性。这项任务对于许多量子平台（如自旋、超导电路、捕获原子和其他用于抑制或纠正错误的平台）都很重要。半导体自旋量子比特具有长相干时间、紧凑尺寸以及与现有半导体技术大规模集成的潜力，因此具有吸引力。然而，到目前为止，自旋量子比特凭借所选设备的高保真操作而大放异彩。进一步的可扩展性和可重复性可能需要主动补偿环境波动。在本论文中，我们专注于实时闭环反馈协议，以估计量子比特汉密尔顿量参数的不受控制的波动，然后提高量子比特旋转的质量。首先，我们使用低延迟量子控制器相干地控制自旋量子比特。该协议使用在砷化镓双量子点中实现的单重态-三重态自旋量子比特。我们在两个控制轴上建立实时反馈，并提高相干自旋旋转的最终品质因数。即使汉密尔顿量的某些分量完全受噪声控制，我们也展示了噪声驱动的相干控制。作为一种应用，我们在两个波动的控制轴存在的情况下实现了 Hadamard 旋转。接下来，我们提出了一种基于物理的实时汉密尔顿估计协议。我们通过根据福克-普朗克方程更新其概率分布来实时估计双点内波动的核场梯度。我们通过基于先前的测量结果自适应地选择电子单重态对的自由演化时间，进一步改进了基于物理的协议。与以前的方案相比，该协议将估计速度提高了十倍。最后，我们提出了一种自适应频率二进制搜索方案，用于有效跟踪共振驱动量子比特中的低频波动。我们实时地实施贝叶斯算法来估计磁通可调的 transmon 量子比特中的低频磁通噪声，其相干性和保真度得到了改善。此外，我们通过门集层析成像显示，我们的频率跟踪协议最大限度地减少了系统中的漂移量。我们的方法引入了闭环反馈方案，旨在减轻退相干的影响并延长量子系统的寿命。这篇论文推动了该领域的发展，即集成量子比特硬件和控制硬件，并实施计算机科学中的贝叶斯估计和优化方法。
Luca Selmi 的简历
Luca Selmi 简历 姓名：Luca Selmi 职称：电子学教授 院系：DIEF，恩佐法拉利工业部 院校：摩德纳和雷焦艾米利亚大学 Via Vivarelli 10, 41058，摩德纳，意大利 专业领域：微电子和纳米电子 Luca Selmi 于 1992 年获得博洛尼亚大学电子工程博士学位。2000 年，他成为意大利乌迪内大学电子学正教授。1989 年至 1990 年，他担任加利福尼亚州圣罗莎惠普微波技术部门的访问科学家，研究高频设备的特性以及采用集成变压器和砷化镓 T 线圈的集成电路设计。 1995-1996 年，他是 IEEE 国际电子设备会议 (IEDM)“建模和仿真”技术小组委员会成员。2001-2002 年，他是 IEEE 国际电子设备会议 (IEDM)“电路和互连可靠性”技术小组委员会成员。2008-2009 年，他是 IEEE 国际电子设备会议 (IEDM)“CMOS 器件技术”技术小组委员会成员。2014 年至 2018 年，他一直担任 IEEE VLSI 研讨会的 TPC 成员和出版主席。2001 年，他是意大利乌迪内举行的 INFOS 会议的联合组织者。2003 年，他是意大利乌迪内“硅片终极集成”研讨会 (ULIS) 的联合组织者。2008 年，他担任同一会议的总主席。 2011 年，他担任 IEEE 国际微电子测试结构会议 (荷兰阿姆斯特丹) 的技术项目主席。2014 年，他将担任同一会议的总主席。2013 年，他担任 GE Electronics 会议 (意大利乌迪内) 的总主席。2015 年，他担任 INFOS (半导体绝缘膜) 会议的总主席。2004 年和 2005 年，他是半导体接口专家会议 (SISC) 的技术项目委员会成员，自 2004 年起担任半导体绝缘膜会议 (INFOS) 的成员。自 2011 年起，他担任 INFOS 会议指导委员会成员。2004 年，他一直担任 IRPS 会议的技术项目委员会成员。2005 年至 2008 年，他一直是欧洲固态研究会议 (ESSDERC)“特性和可靠性”小组委员会成员。 2006 年，他担任“特性和可靠性”小组委员会主席。2009 年至 2012 年，他担任欧洲固态研究会议 (ESSDERC)“存储设备”小组委员会成员。自 2017 年起，他担任意大利纳米电子大学联盟 (IU.net) 主任，该联盟负责协调目前 12 个大学团体在 CMOS 和 CMOS 纳米电子技术和电路领域的运作。2017 年 12 月，他转入目前的隶属机构“恩佐法拉利”工业部，摩德纳和雷焦艾米利亚大学。Luca Selmi 曾担任多个欧盟国际研究项目（ULIS - 4FP、NESTOR - 5FP、SINANO - 6FP、EUROSOI - 6FP、PULLNANO - 6FP、STEEPER - FP7、GRAND - FP7、NANOSIL、FP7、NANOFUNCTION - FP7、GRADE - FP7）和意大利大学教育与研究部 MIUR（PRIN 1998、2000、2002、2004、2006、2008、2015、2017）和 FIRB 项目）研究单位的技术和协调职责。他发起并监督了与全球主要半导体行业的许多研究合同，包括飞利浦、