编码特征作为预测结果,邀请用户进行认知情况调 研。从用户调研数据的计算结果可知,用户对不同特 征编码的认知存在一定的共性,有共同的认知习惯。 1 )就属性语义来看,认知效率主要受色相、明 度、饱和度、尺寸、位置、形状的影响。色相:国军 标对色彩的应用有明确的规范,在进行色相编码时, 应考虑用户对专用色彩属性的认知习惯,严格遵守色 彩使用规范。对于没有硬性规定的色彩,也应以用户 过往的知识、经验为基础进行编码设计。如,在界面 设计中,一般认为红色表示危险,黄色表示警告,绿 色表示安全。明度:实验表明,在深色背景下,明度 越高信息等级越高。战术显控系统复杂性较高,合适 的明度编码设计适合应用于信息层级设计,能够有效 降低用户的学习成本。饱和度:饱和度取决于该色中 含色成分和消色成分(灰色)的比例。含色成分越大, 饱和度越大;消色成分越大,饱和度越小 [14] 。高饱和 度的色彩编码方式更能引起视觉关注,帮助用户集中 注意力。形状:在战术显控系统中,涉及形状属性的 元素主要为图形和符号,包括通用类和特殊类。在进 行形状编码时,现有图符应遵循沿用的原则,新的图 符应结合现实形态、行业背景进行设计,以符合用户 认知习惯、缩短学习过程,提高交互效率。尺寸:根 据实验结果显示,信息尺寸的大小与信息的重要等级 成正比,信息越重要,尺寸越大。位置:用户对显示 屏上的信息关注度依次为中间、左上方、右上方、左 下方、右下方 [15] 。在进行界面布局时,应注意信息等 级与其在界面中位置的一致性,同时要保证同类信息 的位置编码统一。 2 )就情感语义来看,战时用户的生理和心理负 荷较高,任务情景的不确定性易增加用户的操作压 力 [5] 。在进行交互界面设计时应考虑信息编码元素的 情感性。从实验结果来看,影响情感语义的特征主要 为形状和色彩。尖锐的形态容易让用户产生较大的心 理压力,而圆润浑厚的形状更容易使用户平静。在进 行形状编码时,可采用倒角的设计手法。根据蒙赛尔 色彩体系对色彩要素的划分及实验结果,战术显控系 统的主色可以选用冷色调,明度、饱和度不宜过高, 以避免色彩刺激增加用户的焦虑感。而对于重点信息 和即时变化类信息,可采用高明度或高饱和度的色 彩,以提高用户的警觉性。
在2023年,我们继续以快速的速度增长。我们的EV电池的安装能力在中国牢固排名前三,一个月的装机能力进入了全球前4个。我们支持所有战略客户的首次亮相,在国际市场上取得了新的突破。我们的能源存储业务呈指数增长,并获得了许多战略客户的批量交付。在海洋,建筑机械,铁路运输领域实现了新的增长,并形成了示范效应。作为国家战略新兴行业,低空经济是未来工业发展的新增长动机。高空式移动性的高尼克/二氧化硅电池可确保高功率和高速充电能力,同时在轻量级和安全性能方面实现跨越升降机。
该集团在本年度首次采用了IAS 12“国际税改革 - 支柱两种模型规则”的修正案。ias 12被修改以添加例外,以识别和披露与颁布或实施税法有关的延期税收资产和负债的信息,以实施由组织经济合作与发展组织发布的两种模型规则(“支柱两项法规”)。修正案要求实体在发行后立即应用修正案。这些修正案还要求实体在支柱上有两个立法有效的时期内分别披露其当前的税收费用/收入/收入/收入,并在该期间有效的,定性和定量的信息在支柱中对支柱的两次所得税暴露在支柱中,该阶段是支柱两次立法的规定,而在年度报告中却在年度范围内均在每年1月1日起在1月1日生效。
别是石墨烯的 D 、 G 和 D+G( 也称 G') 峰 [ 19 ] ,这表 明两种样品都生成了高质量的石墨烯。其中 D 峰 是由于芳香环中 sp 2 碳网络扭曲使得碳原子发生 对称伸缩振动引起的 [ 20 ] ,用于衡量材料结构的无 序度,它的出现表明石墨烯的边缘较多或者含有 缺陷,这与 SEM 观察到的结果一致; G 峰是由 sp 2 碳原子间的拉伸振动引起的 [ 21 ] ; G' 峰也被称 为 2 D 峰,是双声子共振二阶拉曼峰,其强度与 石墨烯层数相关 [ 22 - 24 ] 。与 LIG 拉曼曲线相比, MnO 2 / LIG 在 472.6 cm −1 波段较强的峰值,对应于 Mn − O 的伸缩振动峰,证实了 MnO 2 的晶体结构。 XRD 测试结果表明, MnO 2 /LIG 在 2 θ =18.002° 、 28.268° 、 37.545° 、 49.954° 和 60.244° 处的特征峰分别对应 α - MnO 2 的 (200) 、 (310) 、 (211) 、 (411) 和 (521) 晶面 ( 图 4 b PDF#440141) , α -MnO 2 为隧道结构,可容 纳溶液中的阳离子 ( 如 Zn 2+ 、 Li + 、 Mg 2+ 、 Na + ) [ 21 ] 。 25.9° 和 44.8° 处的峰为 LIG 中 C 的特征衍射峰。
ch 3(Ch 2)2 Coo- + 2CO 2 + 6H 2→CH 3(CH 2)4 COO- + 4H 2 O(6)-143。3
低功耗硅基光源和探测器因其易于工艺集成而对片上光子电路具有吸引力。然而,传统的硅发光二极管发射的光子能量接近能带边缘,而相应的硅光电探测器缺乏响应度。另一方面,以前报道的利用反向偏置二极管的热载流子电致发光硅器件需要高工作电压。在这里,我们研究了在瞬态电压条件下工作的硅金属氧化物半导体电容器中的热载流子电致发光。在每个电压瞬变期间,源接触边缘都会产生较大的能带弯曲,远大于稳定状态下可实现的能带弯曲。因此,电子和空穴在相应的电压瞬变下从单个源接触有效地注入硅通道,随后它们在那里经历碰撞电离和声子辅助带间复合。值得注意的是,我们通过使用 20 nm 厚的高 j 栅极电介质展示了低至 2.8 V 的低压操作。我们表明,通过减少栅极电介质厚度可以进一步实现电压缩放,从而为硅光电集成电路提供低压平台。
鉴于其无与伦比的集成和可扩展潜力,硅很可能成为大规模量子技术的关键平台。由杂质 [ 1 ] 或量子点 [ 2 , 3 ] 形成的单个电子编码人造原子已成为硅基集成量子电路的有前途的解决方案。然而,在如此流行的半导体中,尚未分离出具有远距离信息交换所需的光学接口的单个量子比特 [ 4 ]。这里,我们展示了在植入碳原子的商用绝缘体上硅晶片中单个光学活性点缺陷的隔离。这些人造原子在电信波长下表现出明亮的线性偏振单光子发射,适合在光纤中长距离传播。我们的结果表明,尽管硅的带隙很小(≃ 1.1 eV)先验不利于此类观察 [5],但硅可以容纳在单尺度上可光学隔离的点缺陷,就像宽带隙半导体一样 [6]。这项工作为硅基量子技术开辟了无数前景,从集成量子光子学到量子通信 [7] 和计量。借助微电子行业的巨大成功,硅无疑是部署大规模量子技术的有前途的平台。与单个掺杂剂 [1] 或栅极定义的量子点 [2,3] 相关的硅基电量子比特已经被用于展示可扩展集成量子电路的基本构造块。除了需要在稀释冰箱中操作之外,这些物质量子比特仍然不能远程交换长距离量子信息,因为它们不与光接口。另一方面,电信波长的光子量子比特可以通过概率非线性光学过程在硅内部产生[8]。即使它们适合长距离传播,这些光子也不会与物质量子系统耦合,从而限制了量子比特的实现。
虽然单次检测硅自旋量子比特现在已成为实验室常规操作,但大规模量子计算设备中量子误差校正的需求需要量子非破坏 (QND) 实现。与传统方法不同,QND 自旋读出对探测的自旋极化施加的干扰最小,因此可以重复进行以消除测量误差。在这里,我们表明,通过探测与量子比特自旋 Ising 耦合的相邻点中的另一个电子自旋,可以以高度非破坏的方式测量硅中的电子自旋量子比特。高非破坏保真度(平均 99%)使单个自旋状态的读出重复超过 20 次,在 1.2 毫秒内产生高达 95% 的总体平均测量保真度。我们进一步证明,我们的重复 QND 读出协议可以实现预期的高保真度(>99.6%)基态制备。我们基于 QND 的测量和准备,由相同类型的第二个量子位介导,将允许在硅中实现具有电子自旋的多种量子信息协议,而不会损害结构的同质性。
Si 是最重要的电子材料,对其压力诱导相变 (PT) 已得到广泛研究,而应变诱导的 PT 从未进行过原位研究。本文,我们原位揭示了各种重要的塑性应变诱导 PT 现象。理论上预测了应变诱导 PT 中粒径与屈服强度和压力之间的正霍尔-Petch 效应和逆霍尔-Petch 效应之间的相关性,并通过实验证实了 Si-I → Si-II PT 的相关性。对于 100 nm 粒子,应变诱导的 PT Si-I → Si-II 在压缩和剪切下均在 0.3 GPa 开始,而在静水条件下则在 16.2 GPa 开始。Si-I → Si-III PT 始于 0.6 GPa,但不会在静水压力下发生。微米和 100 nm 粒子的小 Si-II 和 Si-III 区域内的压力比 Si-I 高 ∼ 5 – 7 GPa。对于 100 nm Si,观察到 Si-I → I + II → I + II + III PT 序列,并且在扭转下发现 Si-I、II、III 和 XI 四相共存。在环境压力下保留 Si-II 和单相 Si-III 并获得反向 Si-II → Si-I PT 证明了操纵不同合成路径的可能性。所获得的结果证实了精心设计的基于位错堆积的机制,并且在开发纳米结构材料的经济缺陷诱导合成、表面处理(抛光、车削等)和摩擦方面具有广泛的应用。