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World File Search System硅中
3D结构化的贝塞尔束极化及其在二氧化硅中的烙印手性光学特性
极化在光 - 物质相互作用中起着至关重要的作用。因此，其整体操作是解锁光线制造能力的重要关键，尤其是在飞秒激光直接写作中。现有的偏振技术仅着眼于光束横向的操作，即二维对照。在本文中，我们提出了一种新颖的被动策略，该策略利用了一类飞秒激光的书面空间变化的双向元素，以沿光路沿光路塑造极化状态。作为演示，我们生成了一个三维结构化贝塞尔束，其线性极化状态正在沿焦点缓慢演变（典型。60）。这样的“螺旋极化”贝塞尔束允许在SIO 2中印刷“扭曲的纳米射击”，从而在微米尺度上产生外在的光学手性，该刻度具有高光学旋转。我们的工作为三维极化操作带来了新的观点，并将在结构化的光线，轻度互动和手性装置制造中找到应用。
全耗尽硅中的抗辐射混合信号 IP 核
摘要 Global Foundries 的 22FDX 技术是一种商业化的尖端集成电路制造工艺。该工艺结合了 22 nm 的典型最小栅极长度和 FD-SOI（全耗尽绝缘体上硅）多层结构。这些技术特性允许自适应体偏置、超低电压供电和超低泄漏，从电路应用的角度来看，这些特性有利于节能的射频信号传输、高性能计算和强大的 MRAM（磁阻随机存取存储器）。因此，该技术非常适合克服当前用于高速和低功耗 AMS（模拟和混合信号）应用的产品解决方案。特别是，SOI 技术特性可确保免受单粒子闩锁的影响。
四氯化硅中钽的反应离子蚀刻
金属结构的精确图案化在可行的金属基器件的开发中起着至关重要的作用。通过研究适当蚀刻材料层的蚀刻条件，可以进一步优化和控制蚀刻过程。这项工作报告了使用四氯化硅 (SiCl 4 )/氩 (Ar) 等离子体对钽 (Ta) 微米膜进行反应离子蚀刻 (RIE)。研究了蚀刻特性与 SiCl 4 /Ar 比率、等离子体功率和腔室压力的关系。结果发现，增加 SiCl 4 的流速或等离子体功率会导致蚀刻速率增加。此外，观察结果表明，将 Ar 的流速增加到 30 sccm 以上和将等离子体压力增加到 100 mTorr 以上是无效的。此处实施的工作代表着开发可用于广泛设备的钽基结构的重要一步。
硅中铂的扩散及其在电力设备寿命工程中的应用综述
然后进行退火。后者将注入剂量作为附加设计参数。首先，从 Pt 硅化物层引入铂的实验中，我们可以学到很多东西。这些知识对于校准基本机制的模型参数非常有用，因为它与注入后退火相比不太复杂，而注入后退火不可避免地会导致注入损伤以及高注入剂量下铂团块的形成。另一个有趣的过程是硅中铂的磷扩散吸杂 (PDG)。它可用于进一步定制铂分布和载流子寿命调整，从而进一步优化硅功率器件在软开关方面的性能。[1,2]
硅中电子自旋的量子非破坏读出
虽然单次检测硅自旋量子比特现在已成为实验室常规操作，但大规模量子计算设备中量子误差校正的需求需要量子非破坏 (QND) 实现。与传统方法不同，QND 自旋读出对探测的自旋极化施加的干扰最小，因此可以重复进行以消除测量误差。在这里，我们表明，通过探测与量子比特自旋 Ising 耦合的相邻点中的另一个电子自旋，可以以高度非破坏的方式测量硅中的电子自旋量子比特。高非破坏保真度（平均 99%）使单个自旋状态的读出重复超过 20 次，在 1.2 毫秒内产生高达 95% 的总体平均测量保真度。我们进一步证明，我们的重复 QND 读出协议可以实现预期的高保真度（>99.6%）基态制备。我们基于 QND 的测量和准备，由相同类型的第二个量子位介导，将允许在硅中实现具有电子自旋的多种量子信息协议，而不会损害结构的同质性。
硅中电信波长的单光子发射器
鉴于其无与伦比的集成和可扩展潜力，硅很可能成为大规模量子技术的关键平台。由杂质 [ 1 ] 或量子点 [ 2 , 3 ] 形成的单个电子编码人造原子已成为硅基集成量子电路的有前途的解决方案。然而，在如此流行的半导体中，尚未分离出具有远距离信息交换所需的光学接口的单个量子比特 [ 4 ]。这里，我们展示了在植入碳原子的商用绝缘体上硅晶片中单个光学活性点缺陷的隔离。这些人造原子在电信波长下表现出明亮的线性偏振单光子发射，适合在光纤中长距离传播。我们的结果表明，尽管硅的带隙很小（≃ 1.1 eV）先验不利于此类观察 [5]，但硅可以容纳在单尺度上可光学隔离的点缺陷，就像宽带隙半导体一样 [6]。这项工作为硅基量子技术开辟了无数前景，从集成量子光子学到量子通信 [7] 和计量。借助微电子行业的巨大成功，硅无疑是部署大规模量子技术的有前途的平台。与单个掺杂剂 [1] 或栅极定义的量子点 [2,3] 相关的硅基电量子比特已经被用于展示可扩展集成量子电路的基本构造块。除了需要在稀释冰箱中操作之外，这些物质量子比特仍然不能远程交换长距离量子信息，因为它们不与光接口。另一方面，电信波长的光子量子比特可以通过概率非线性光学过程在硅内部产生[8]。即使它们适合长距离传播，这些光子也不会与物质量子系统耦合，从而限制了量子比特的实现。
硅中的多光子吸收和三阶非线性...
摘要：近年来，基于硅的非线性光子学已在电信波长上进行了广泛的研究。然而，在中红外波长的硅中对硅非线性的研究仍然有限。在这里，我们报告了光谱中三阶非线性的波长依赖性范围从1.6 µm到6 µm，以及在同一范围内的多光子吸收系数。在波长为2.1 µm的波长下，以1.65×10-13 cm 2 /w的峰值为1.65×10-13 cm 2 /w测量三阶非线系数n 2，然后以非线性折射率n 2的衰减，最高2.6 µm。我们的最新测量值将波长扩展到6 µm，n 2的急剧降低超过2.1 µm，并且稳步保持在3 µm以上。此外，在2.3 µm至4.4 µm的波长范围内同时进行三光子吸收和四光子吸收过程的分析。此外，详细讨论了多光子吸收对硅非线性功绩的影响。
硅中介层上的嵌入式电容器可实现更高频率的应用
BT 基板。封装在中介层和 BGA 基板之间有底部填充环氧树脂，并用无铅焊料进行凸块处理。标准可靠性测试是按照 JEDEC 条件“B”进行的热循环，温度为 –55 至 125 摄氏度，每小时两次。测试结果表显示在本文末尾。对于所有可靠性测试，都要对要测试的样品进行 0 次预筛选。读数在 250 次循环、500 次循环、750 次循环和 1000 次循环时完成。高频电容测量不同值的小值旁路电容器可一起使用以进行阻抗频率整形。较小值的电容器可用于非旁路应用，并提供更高的有效工作频率。下面和图 6 中绘制的是 0.304 nfd 和 14.8 nfd 电容器样本在 1 MHz 至 6 GHz 范围内测试的结果。 SR点分别约为1.4 GHz和175 Mhz。