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World File Search System硅二极管
在针硅二极管上的保险丝二极管整体整合，用于新的故障安全转换器拓扑
在发生内部短路的情况下，使用Dual-Fuse和Auxilariary Crowbar开关断开故障的腿，然后是备用腿（图。1，红色虚线框）自发连接，从而可以连续操作。为了提高系统的可靠性和紧凑性，可以在功率半导体[5]，[6]组件（IGBTS，MOSFET等）上单层整合使用的熔断器，如图1（Fuse-On-transistor，蓝色虚线框）。在功率上的保险丝的集成分两个步骤进行了半导体组件。首先，熔断器，称为“独立保险丝”（图1，绿色虚线盒），由硅基板上的薄铜层（18 µm）制成，以研究组件的热和电气行为。
金刚石 pn 结二极管贝塔伏打电池性能的温度依赖性
摘要 — 评估了金刚石 pn 结贝塔伏特电池能量转换效率的温度依赖性。我们制造了伪垂直金刚石 pn 结二极管，并表征了其在 5-300 K 电子束辐照下的能量转换效率。金刚石 pn 结二极管在 150-300 K 时的能量转换效率为 18-24%，是硅 PiN 二极管的两倍多。另一方面，在 100 K 以下，由于金刚石的串联电阻增加，二极管的能量转换效率显着下降。在 150K 以上，金刚石 pn 结二极管的能量转换效率的温度依赖性小于硅二极管，这将使金刚石 pn 结贝塔伏特电池成为一种有前途的装置，用于在除低温区域以外的宽温度范围内进行遥感设备的能量收集。
Hi-Rel 解决方案 - KAMAKA Electronic GmbH
抗辐射功率 MOSFET（CoolMOS™ 技术） 100V、150V、250V，SMD-0.5、SMD-2、TO-254AA、TO-257AA TID>100Krads（可根据要求提供 300Krads），SEE >LET 55 / 85 MeV “SAM” 为电气功能样品 “P” 为面包板和 EM 上使用的专业级 “ES” 为 ESA 空间级，用于完全合格的卫星飞行模块 微波晶体管 硅双极晶体管技术 额定电源电压从 4V 到 12V 输出功率从 20mA 到 150mA 转换频率从 6.5GHz 到 42GHz 微波硅二极管 小信号、肖特基和 PIN 二极管 I Fmax= 120mA 至 5A，V BR= 40V 至 150V，R F= 0.9Ω 至 10Ω可提供芯片（裸片） 客户特定筛选 抗辐射功率 MOS、MW 晶体管 ESA 资格 ESCC 合格产品 所有产品均在欧洲生产 - 无需出口许可证
3110018物理1年（对于II组分支）
1。测量介电恒定材料2。研究大厅效应。3。研究硅二极管的I-Vhchacteristic。4。研究Zenerdiode的I-Vchcharcteristic。5。研究I-Vcharactistic。6。确定固定式太阳能的效率。7。通过四种探针方法测量晶体（N型）的电阻率和带隙。8。测量光纤维的余孔。9。研究光纤中的散发和弯曲损失。10。p-n连接二极管作为桥梁整流器。11。半导体的能量间隙12。阴极射线示波器的研究13。R-C电路的时间常数。 14 L-C-R电路。 15.Logic Gates 16。 虚拟激光光学实验室17.虚拟固态物理实验室18。 虚拟谐波运动与波动实验室19.虚拟光学实验室20。 虚拟现代物理实验室21.虚拟物理科学实验室R-C电路的时间常数。14 L-C-R电路。 15.Logic Gates 16。 虚拟激光光学实验室17.虚拟固态物理实验室18。 虚拟谐波运动与波动实验室19.虚拟光学实验室20。 虚拟现代物理实验室21.虚拟物理科学实验室14 L-C-R电路。15.Logic Gates 16。虚拟激光光学实验室17.虚拟固态物理实验室18。虚拟谐波运动与波动实验室19.虚拟光学实验室20。虚拟现代物理实验室21.虚拟物理科学实验室
使用反应膜进行电子应用的快速局部焊接
摘要 — 快速局部加热技术允许连接对温度敏感的材料和组件，而不会出现高温焊料回流工艺中常见的热损伤。这对于制造热膨胀系数差异较大的材料组件也很有利，不会产生弯曲或开裂。使用夹在焊料预制件之间的放热反应箔是一种很有前途的局部快速焊接工艺，因为它不需要任何外部热源。反应箔由交替堆叠的 Ni 和 Al 纳米层形成，直到达到总膜厚度。一旦使用外部电源激活薄膜，就会发生反应并释放出一定量的能量，这些能量会转移到焊料预制件上。如果这个能量足够高，焊料预制件就会熔化并确保组件材料之间的粘合。研究了施加的压力、反应膜 (RF) 厚度以及焊料和附着材料的化学成分和厚度的影响。结果表明，工艺过程中施加的压力对接头初始质量有很大影响，当压力值在 0.5 到 100 kPa 之间时，空洞率从 64% 降至 26%。这可以通过在较高压力下焊料流动性改善从而带来更好的表面润湿性并消除空洞来解释。另外，一旦焊料熔化时间增加，接头质量就会改善。当反应箔的厚度增加（额外的感应能量）或焊料、Cu 和/或 Si 的厚度减少（更少的能量消耗）时可以观察到这种关系。由于冷却速度高，与在炉中使用传统焊料回流工艺获得的结构相比，使用 RF 实现的 AuSn 接头的微观结构显示出非常细的相分布。在 100 kPa 压力下，对组装在活性金属钎焊基板上的 350 mm 厚硅二极管进行剪切试验，以评估接头的机械性能。RF 厚 60 mm，夹在两个 25 mm 厚的 96.5 Sn 3 Ag .5 Cu (SAC) 预制件之间。测试样品的空隙率约为 37%，剪切强度值超过 9.5 MPa，远高于 MIL-STD-883H 要求。最后，将工艺对组装二极管电气性能的影响与常用的焊料回流组件进行了比较，结果显示变化可以忽略不计。
IMB-CNM 的碳化硅二极管
放射治疗 (RT) 的主要挑战是向肿瘤提供足够高的治疗剂量，同时保持附近器官受到可耐受的剂量，新的治疗方式正在迅速涌现。FLASH 放射治疗提供的治疗剂量比传统 RT（0.05 Gy/s）快几个数量级（≥40 Gy/s），并且已被证明可以降低正常组织发生并发症的可能性，同时提供与传统剂量率相似或更好的肿瘤控制率，减少治疗时间和器官运动相关问题。然而，FLASH RT 的临床实施面临着重大挑战，因为它的要求使得大多数现有的剂量测定设备已过时。碳化硅 (SiC) 的物理特性使其成为一种有趣的辐射剂量测定材料。SiC 的宽带隙降低了热产生电荷载流子的速率，从而与硅相比降低了漏电流和噪声。特别值得注意的是，SiC 每 mGy 沉积的信号产量（4H-SiC 为 425 pC/(mGy · mm3)）低于硅。这使得 SiC 成为超高剂量脉冲辐射场或直接光束监测剂量测定的良好选择，其中半导体中的瞬时剂量沉积很大，可能会使传统硅二极管饱和。此外，SiC 具有更高的位移能量阈值，因此辐射硬度高于硅。如今，SiC 技术已经成熟，高质量基板可达 200 毫米，可广泛使用。在本次演讲中，我们将介绍在 IMB- CNM 设计和制造的新型碳化硅 PiN 二极管，旨在应对 FLASH RT 的技术挑战。在 PTB（德国）使用 20 MeV FLASH 电子束进行的首次表征中，这些二极管显示出其适用于高达每脉冲 11 Gy（4 MGy/s）剂量的相对剂量测定，且剂量测定性能可与商用金刚石剂量计相媲美 [doi:10.1088/1361-6560/ad37eb]。在 CMAM（西班牙）使用 7 MeV 质子测试了带有 FLASH 质子束的 SiC 二极管的性能，结果显示它们与剂量率具有良好的信号线性度，并且每脉冲剂量至少为 20 Gy 时响应可重复。最后，在 CNA（西班牙）使用高 LET、强脉冲质子束研究了二极管的抗辐射性。二极管的灵敏度在 1 MeV 质子中以 -1.34%/kGy 的初始速率逐渐下降，并且仅在接近 750 kGy 的剂量下才稳定下来。然而，即使累积剂量为几 MGy，每脉冲剂量的线性响应在很宽的剂量率范围内也能保持。所有这些测量都是在无需外部施加电压的情况下进行的。总之，在 IMB-CNM 制造的碳化硅二极管是硅和金刚石剂量计的真正替代品，适用于需要精确实时相对剂量测定的广泛应用，要求快速响应和长期稳定性。