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设计多个组件,同时结合工具和工程学科,以创建适合设计条件的最佳涡轮机。涡轮机组件的设计包括两个设计阶段:预先详细或初步设计阶段和详细设计阶段。在预先详细设计阶段,必须在有限的时间内设计出组件的粗略形状。设计师在初步阶段没有太多可用的知识,因此必须在设计的保真度和实现设计所需的时间之间做出妥协。在详细设计阶段,更加强调设计的保真度,投入更多时间,获得更多知识。因此,使用更准确但通常更慢的方法,例如有限元分析 (FEA) 和计算流体动力学 (CFD)
M. Shafana Farveen·R. R. Narayanan( *)基因工程系,工程技术学院生物工程学院,工程技术学院(CET),SRM科学技术学院(CET),Kattankulathur,Kattankulathur,Kattankulathur
摘要摩尔的定律终于接近了最终的物理限制,因为最先进的微处理器现在的晶体管在频道中仅宽14纳米,并且微电子行业已经进入了后期的时代。将需要真正的新颖物理学来通过开发新材料,原理,结构,设备和新型体系结构来扩展它。鉴于硅的成功主要从其高质量的本地氧化物SIO2和现有的广大专业知识和基础设施中受益,因此硅的完全替代很快就不太可能在很快发生。在这次演讲中,我将介绍我们最近对基于硅后的技术的半导体物理学的研究(3)GE孔自旋量子材料的理论设计,以加快量子操作的速度超过GHz。参考文献[1] Ruyue Cao,Qiao-lin Yang,Hui-xiong Deng*,Su-huai Wei*,John Robertson和Jun-Wei Luo*,通过降低原子间键合强度,降低光学声子,自然634,1080(2024)。[2] G. Wang,Z.G。Song*,Jun-Wei Luo*和S.S. Li,物理学。修订版b 105,165308(2022)。[3] J.X.Xiong,S。Guan *,Jun-Wei Luo *和S.S. Li,物理。修订版b 103,085309(2021)。[4] Jun-Wei Luo *,S.S。Li和A. Zunger *,物理。修订版Lett。Lett。119,126401(2017)。 查询:3943 6303119,126401(2017)。查询:3943 6303
摘要 RoHS 法规的出台(该法规强制使用无铅焊料)以及 BGA 封装的日益普及,使得 ENIG 因其出色的长期可焊性和表面平整度而成为一种流行的表面处理选择。这种表面处理的缺陷之一是有可能在化学镀镍和浸金之间形成一层磷含量过高的层,这被称为黑焊盘缺陷。大多数现有文献表明,黑焊盘缺陷是由于 ENIG 工艺的浸金步骤中镍磷 (Ni-P) 层中的镍加速还原(腐蚀)造成的。黑焊盘缺陷可表现为 Ni-P 结节边界处的腐蚀尖峰,并可能发展为 Ni-P 顶部异常厚的高磷区域。与黑焊盘缺陷相关的一种故障机制是由于高磷区域的存在,下层 Ni-P 层中润湿良好的焊点发生脆性故障。在严重的情况下,黑焊盘缺陷会导致可焊性问题,并阻碍锡镍金属间化合物的形成,从而阻碍焊点的良好润湿。我们有机会研究了许多不同类型的黑焊盘案例,从严重到轻微,并且有大量的知识可以分享。本文将让读者对如何识别黑焊盘以及随后确定其严重程度有一个基本的了解。