美国专利 9759862 绝热/非绝热偏振分束器 美国专利 9748429 具有减少暗电流的雪崩二极管及其制造方法 美国专利 9740079 集成光学。具有电子控制光束控制的收发器 美国专利 9696492 片上光子-声子发射器-接收器装置 美国专利 9612459 带有微加热器的谐振光学装置 美国专利 9467233 功率计比率 稳定谐振调制器的方法 美国专利 9488854 高速光学相移装置 美国专利 9391225 二维 APD 和 SPAD 及相关方法 美国专利 9366822 具有同时电连接和热隔离的热光调谐光子谐振器 美国专利 9329413 高线性光学调制的方法和装置 美国专利 9268195 使用四波混频产生纠缠光子的方法和装置 美国专利 9268092 导波光声装置 美国专利 9261647在半导体波导和相关设备中产生应变 美国专利 9239431 通过热机械反馈实现谐振光学设备的无热化 美国专利 9235065 适用于差分信号的热可调光学调制器 美国专利 9128308 低压差分信号调制器 美国专利 9127983 用于控制工作波长的系统和方法 美国专利 9083460 用于优化半导体光学调制器操作的方法和设备 美国专利 9081215 硅光子加热器调制器 美国专利 9081135 用于维持光子微谐振器谐振波长的方法和设备 美国专利 9063354 用于稳健无热光子系统的被动热光反馈 美国专利 9052535 电折射光子设备 美国专利 8947764 高速光子调制器设计 美国专利 8822959 光学相位误差校正方法和装置 美国专利 8625939 超低损耗腔和波导散射损耗消除 美国专利 8615173 集成谐振光学装置波长主动控制系统 美国专利 8610994 具有减小的温度范围的硅光子热移相器 美国专利 8600200 纳米光机械换能器 美国专利 8027587 集成光学矢量矩阵乘法器 美国专利 7983517 波长可调光环谐振器 美国专利 7941014 具有绝热变化宽度的光波导装置 美国专利 7667200 热微光子传感器和传感器阵列 美国专利 7616850 波长可调光环谐振器
在本研究中,我们利用傅里叶变换红外光谱 (FTIR) 和拉曼光谱法分析了硅 (n-Si) 样品及其含镝 (n-Si-Dy) 组合物的结构和光学特性。FTIR 光谱中的特征峰如 640 cm -1 (Si-H 模式) 和 1615 cm -1 (垂直拉伸模式) 被识别,表明了材料的结构特征。n-Si-Dy 光谱中在 516.71 cm -1 和 805 cm -1 处出现的额外峰表明镝对材料结构和缺陷的影响。对频率范围 (1950–2250 cm -1 ) 的检查进一步证实了与缺陷和与镝相互作用相关的局部振动模式。在 2110 cm -1 和 2124 cm -1 处发现了与 Dy-Dy 拉伸以及与硅相互作用相关的峰。拉曼光谱分析表明,在退火过程中形成了硅纳米晶体,XRD 结果证实了这一点。所获得的结果为了解镝对硅材料结构和性能的影响提供了重要的见解,这可能在光电子学和材料科学中得到应用。关键词:硅、镝、稀土元素、拉曼散射、扩散、热处理、温度 PACS:33.20.Ea,33.20.Fb
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• 利用 EnerG2 碳在碳方面的专业知识来创造理想的硅支撑基质材料 • 开发和实施与碳平台兼容的低成本硅合成工艺 • 展示该方法在完整电池 LIB 中的成功 • 使用低成本工艺进行中试规模生产,以满足 LIB 客户的资格要求
蛋黄壳结构化硅/碳(YS-SI/C)阳极材料显示出对商用锂离子电池(LIB)的希望,因为它们具有很高的特定容量和出色的循环寿命。但是,尽管研究了近十年,但仍未实现其商业化,这主要是由于机械强度差,速率能力有限和能量密度低。本研究报告了通过热化学蒸气沉积合成的层次YS-SI/C阳极材料,用于垂直石墨烯片的生长(VGS),聚合物自组装和一步碳化,从而通过VGSS建立了SI核心和碳壳之间的连接,从而增强了YS-Chemical和机械的特征。独特的材料的表现优于无VGSS的复合材料,该复合材料在0.1 c时的高特定容量为1683.2 mAh g-1,在10 c时在10 c时的出色速率性能为552.2 mAh g-1,在1000个循环后,较高的速率性能为552.2 mAh g-1,卓越的容量保留率为80.1%。与LINI 0.8 CO 0.1 Mn 0.1 O 2个阴极匹配时,安培小时袋细胞分别提供高重量和大量能密度分别为429.2 WH kg-1和1083 WH l-1。有限元分析表明,VGSS降低了碳壳上的应力浓度,有助于空心材料承受工业电极日历。这项工作证明了在实用液体中YS-SI/C阳极材料的商业应用的潜力。
DOI: 10.7498/aps.71.140101 类脑计算技术作为一种脑启发的新型计算技术 , 具有存算一体、事件驱动、模拟并行等特征 , 为 智能化时代开发高效的计算硬件提供了技术参考 , 有望解决当前人工智能硬件在能耗和算力方面的 “ 不可持续发展 ” 问题 . 硬件模拟神经元和突触功能是发展类脑计算技术的核心 , 而支持这一切实现 的基础是器件以及器件中的物理电子学 . 根据类脑单元实现的物理基础 , 当前类脑芯片主要可以分 为数字 CMOS 型、数模混合 CMOS 型以及新原理器件型三大类 . IBM 的 TrueNorth 、 Intel 的 Loihi 、清华大学的 Tianjic 以及浙江大学的 Darwin 等都是数字 CMOS 型类脑芯片的典型代表 , 旨 在以逻辑门电路仿真实现生物单元的行为 . 数模混合型的基本思想是利用亚阈值模拟电路模拟生物 神经单元的特性 , 最早由 Carver Mead 提出 , 其成功案例有苏黎世的 ROLLs 、斯坦福的 Neurogrid 等 . 以上两种类型的类脑芯片虽然实现方式上有所不同 , 但共同之处在于都是利用了硅基晶体管的 物理特性 . 此外 , 以忆阻器为代表的新原理器件为构建非硅基类脑芯片提供了新的物理基础 . 它们 在工作过程中引入了离子动力学特性 , 从结构和工作机制上与生物单元都具有很高的相似性 , 近年 来受到国内外产业界和学术界的广泛关注 . 鉴于硅基工艺比较成熟 , 当前硅基物理特性是类脑芯片 实现的主要基础 . 忆阻器等新原理器件的类脑计算技术尚处于前沿探索和开拓阶段 , 还需要更成熟 的制备技术、更完善的系统框架和电路设计以及更高效的算法等 .
在市场上的设计过程。”为球形天然石墨量身定制碳涂层,并开发有效的可持续涂料技术是电池阳极材料的生产的关键步骤,这是锂离子电池的最大组成部分,使电池能够安全地操作,快速充电,有效地提供电源并延长电池寿命该过程涉及在石墨阳极有效材料表面上的保护性碳层的应用,以形成更稳定的固体电解质界面(“ SEI”),从而增强和校准了第一及后续循环的库仑效率,同时调整了液化插入量和在活性材料中的表现。在世界争取净零发射经济的时候,电池制造商正在寻求最大程度地减少其碳足迹和由生态可持续的制造工艺生产的基于天然石墨的电极材料,以支持这项工作。“在北部,我们的驾驶目的是共同努力,使明天更加绿色。” NGCBM总裁Michael Grimm说。“在与Rain这样的行业领导者联手时,我们正在为工具带添加尖端的涂料技术,以帮助为电动汽车行业建造清洁剂和更绿色的锂离子电池。”关于北部石墨北部是加拿大的TSX Venture Exchange上市公司,是北美唯一的薄片石墨生产公司。该公司的矿井对电池策略由其电池材料部门带头,该电池材料部门在法兰克福设有一家设备齐全的最先进的实验室。关于Rain Carbon Inc.Northern致力于成为生产天然石墨并将其升级到对绿色经济至关重要的高价值产品方面的世界领导者,包括锂离子电池/EV的阳极材料,燃料电池和石墨烯以及先进的工业技术。该部门的重点是开发先进的阳极材料,以改善周期寿命并提高锂离子电池的充电率和营销Northern的专利PoroCarb®产品。porocarb®是一种基于碳的材料,可提高固态和锂离子电池的性能,目前正在由领先的全球电池制造商进行评估,其结果非常积极。Northern的石墨资产包括魁北克的生产Lac des Iles矿山,该公司正在增强产出,以满足工业客户不断增长的需求以及北美电池制造商的需求。该公司还拥有安大略省的大型Bissett Creek项目和纳米比亚的完全允许的Okanjande Phaphite矿山,该矿井目前正在保养和维护上,并为以较低的成本增加了石墨生产的机会,并且比大多数竞争性项目更短。所有项目都有“电池质量”石墨,并且位于政治稳定的司法管辖区的基础设施附近。请访问Northern的网站www.northerngraphite.com/home/,www.sedarplus.ca的北部个人资料,我们下面列出的我们的社交渠道,或通过电话 +1-613-271-2124与Northern联系。在www.raincarbon.comRain Carbon Inc.是一家总部位于美国特拉华州多佛市的公司,是Rain Industries Limited(NSE:RAIN)的全资子公司,是全球性的,垂直整合的供应商的碳基和化学产品,是日常生活的必不可少的原材料。该公司的碳领域将炼油,钢铁生产,基于生物和回收来源的工业副产品转化为高价值碳材料和中型化学品。高级材料段通过将其一部分输出的下游精炼扩展到其碳加工的价值链中,成为环保的专门化学产品。雨水产品使铝,绿色钢,石墨,储能,轮胎,粘合剂,涂料,颜料和特种化学工业的客户能够将副产品转变为可用的,有价值的产品。Rain'sLioncoat®电池级碳前体材料是锂离子电池中使用的石墨和硅复合材料的全球使用的成分。
摘要:在开发高敏感,硬质和健壮的探测器2的过程中,出现了非常浅的无定形硼基结晶硅1异质结,用于低渗透性深度辐射,例如紫外线光光子,例如紫外线光子和低增强电子3(低于1 KEV)(1 KEV)。多年来,人们相信,通过N型晶体硅在N型晶体硅上的化学4蒸气沉积产生的连接是浅的P-N结,但5尽管实验结果无法提供这样的结论证据。直到最近,基于6个量子力学的建模才揭示了该新交界处的独特性质和形成机制7。在这里,我们回顾了理解8 A-B/C-SI界面的启动和历史(此后称为“硼 - 硅交界处”),以及它对9微电学行业的重要性,随后是科学上的新连接感。未来的10个发展和可能的研究方向也将讨论。11
IISD倡议 Carbon Sinus India(CMI)也是新德里的印度公共政策智囊团和研究所的领先,致力于保护我们唯一的星球,地球母亲,免受气候变化的全球变暖和其他不利影响。 cmi致力于发展印度的战略框架,以确定碳增长少,并促进了一系列计划和扩大的计划,努力通过创造协同作用,解决障碍,潜在的折衷和适当的金融(碳融资模型)来降低宏观和部门水平上经济的碳强度。 此外,CMI致力于提高印度的共识努力,并准备面对和应对全球气候变化适应和缓解挑战的国家准备。Carbon Sinus India(CMI)也是新德里的印度公共政策智囊团和研究所的领先,致力于保护我们唯一的星球,地球母亲,免受气候变化的全球变暖和其他不利影响。cmi致力于发展印度的战略框架,以确定碳增长少,并促进了一系列计划和扩大的计划,努力通过创造协同作用,解决障碍,潜在的折衷和适当的金融(碳融资模型)来降低宏观和部门水平上经济的碳强度。此外,CMI致力于提高印度的共识努力,并准备面对和应对全球气候变化适应和缓解挑战的国家准备。