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World File Search System硅箔
基于硅后硅技术的半导体物理
摘要摩尔的定律终于接近了最终的物理限制，因为最先进的微处理器现在的晶体管在频道中仅宽14纳米，并且微电子行业已经进入了后期的时代。将需要真正的新颖物理学来通过开发新材料，原理，结构，设备和新型体系结构来扩展它。鉴于硅的成功主要从其高质量的本地氧化物SIO2和现有的广大专业知识和基础设施中受益，因此硅的完全替代很快就不太可能在很快发生。在这次演讲中，我将介绍我们最近对基于硅后的技术的半导体物理学的研究（3）GE孔自旋量子材料的理论设计，以加快量子操作的速度超过GHz。参考文献[1] Ruyue Cao，Qiao-lin Yang，Hui-xiong Deng*，Su-huai Wei*，John Robertson和Jun-Wei Luo*，通过降低原子间键合强度，降低光学声子，自然634，1080（2024）。[2] G. Wang，Z.G。Song*，Jun-Wei Luo*和S.S. Li，物理学。修订版b 105，165308（2022）。[3] J.X.Xiong，S。Guan *，Jun-Wei Luo *和S.S. Li，物理。修订版b 103，085309（2021）。[4] Jun-Wei Luo *，S.S。Li和A. Zunger *，物理。修订版Lett。Lett。119，126401（2017）。 查询：3943 6303119，126401（2017）。查询：3943 6303
爆炸箔和线材的 SXR/EUV 辐射光谱、空间和
图 2. 铝丝负载（3 根卷在一起的丝，每根直径为 25 μm）在长度为 4 mm 的爆炸下获得的实验结果：a – 负载放电电流信号的波形图、PCD 信号曲线、MCP 扇区的开启时刻（显示为 PCD 信号曲线下方的棍棒）；b – 从电流脉冲开始计算，在 I – 90 ns、II – 100 ns、III – 110 ns 时刻开启的 MCP 扇区的空间分辨率光谱记录；c – 光谱强度分布图，从上到下编号并标记为左（L）和右（R），（记录 R 中零级右侧的下降是由于 MCP 扇区之间存在非工作区）；d – 相对辐射强度（RRI）在上述三个时刻的最大光谱强度区域中对空间坐标的依赖关系。
H和He离子在自支撑，单晶SIC箔
已经研究了h和he离子在SIC中的特定能量沉积。实验是在乌普萨拉大学（Uppsala University）350 KeV Danfysik植入器的飞行时间中型能量离子散射系统中在传输几何形状中进行的。目标是一个自支撑，单晶立方3C - SIC（100）箔，标称厚度为200 nm。将测得的停止跨第二次与文献和理论预测可用的数据进行了比较。随机几何形状的结果表明的值比SRIM对H弹丸预测的值略低，而对于HE弹丸，在所研究的整个能量范围内观察到了良好的一致性。对于所有测得的能量以及H和HE离子，与通道几何形状相比，沿随机轨迹观察到更高的特异性能量损失。对于H离子，差异很小，而对于He离子，通常发现它们更为明显。
硅生命线
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适用于神经应用的高度适应性箔片植入物
柔性聚合物基板是一种很有前途的方法，可以克服神经植入物的一个核心挑战：高通道密度下的复杂功能与生物环境中的长寿命相结合。这种方法的优点是可以缩小 Si 基芯片的尺寸，并在柔性基板上通过薄膜互连线连接的芯片之间分配任务。与单个但更大的芯片相比，这伴随着较低的弯曲刚度，以及技术系统在功能范围、基板尺寸和目标解剖结构方面的良好适应性。现在已经确定了如何将 ASIC 集成到机械兼容的 PI 基基板中，同时考虑到先前定义的要求。接下来的步骤是 (a) 测试系统的功能