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多层菱形过渡的界面外延 -
与其六角形对应物不同的菱形堆叠的过渡金属二色元（3R-TMD）表现出较高的载流子迁移率，滑动铁电性，并相干增强了非线性光学响应。然而，很难大型多层单晶单晶的表面外延生长。我们报告了一种界面外观方法，用于它们的几种成分，包括二硫化钼（MOS 2），二苯胺钼，二硫化牛二硫化物，二硫化钨，二硫代二硫化钨，二硫化二硫化物，二硫化硫化物，二氮氮化物，二氧化氢和丙二氧化氢脱硫酸盐。将金属和果酱饲喂持续到单晶Ni底物和生长层之间的界面可确保一致的3R堆叠序列，并从几层到15,000层受控厚度。全面的特征证实了这些薄膜的大规模均匀性，高结晶度和相位纯度。生长的3R-MOS 2分别显示出双层和三层的室温迁移率最高为155和190平方厘米。具有厚3R-MOS 2的光学差异频率产生在准相匹配条件下显示出明显增强的非线性响应（比单层大5个数量级）。t
trans硫或H2S释放？了解...
摘要：硫化物（RSSH）是内源产生的生物学上重要的反应性硫种类，保护关键的半胱氨酸残基免受不可逆转的氧化，并且在不同的酶促过程中是重要的中间体。尽管过分硫化物比硫醇对应物更强，但在特定环境中，硫化物也可以充当其中性，质子化形式的电力。此外，在两个硫原子上的硫化物都是亲电的，与硫醇酸盐的反应可以导致h 2 s释放，二硫化物形成或替代导致经硫化。尽管这些反应途径广泛接受，但控制硫化物是否通过H 2 S释放或转移硫化途径反应的特定特性仍然难以捉摸。在此，我们使用一种组合的计算方法和实验方法直接研究了硫化硫化物和硫醇之间的反应性以回答这些问题。使用DFT计算，我们证明了在硫化硫化物附近增加的空间散装或电子提取可以通过转分泌硫化途径分流过硫化物的反应性。从这些见解中构建，我们使用过硫化物供体和TME-AIM捕获剂来实验监测和测量从基于青霉素的硫硫胺到半胱氨酸基于硫醇的转移硫化，这是我们所知的最好的，这是对低分子重量之间的转移硫次的第一个直接观察。综上所述，这些合并的方法突出了纯硫化物的特性如何直接受到当地环境的影响，这对理解这些反应性物种的复杂化学生物学产生了重大影响。
使用化学（Meyers，Molten苛性浸出）和生物学（生物学）方法对TABAS煤的脱硫化
从经济，技术和环境的角度来看，从煤炭资源中清除硫，近年来受到了越来越多的关注。目前的工作研究了化学（Meyers和Molten腐蚀性浸出（MCL））和生物学方法的能力。在90°C的90分钟内，在硫酸铁浓度为1 m的过程中，在90°C，61.78％的灰分和82％的黄铁矿和51.35％的总硫从TABAS煤中分别去除。还研究了MCL方法。因此，基于苛性钠 /煤比的MCL实验条件2，浸出时间为60分钟，恒温为180°C，71.82％的灰分，88％的黄铁矿硫和57.85％的总硫含量中的57.85％分别从TAPAS煤中清除。此外，使用嗜酸铁和氧化氧化的中性细菌的混合培养塔巴斯煤的生物硫化。研究了时间，细菌培养基，固体/液体（S/L）的影响，并研究了细菌的缺失，并根据结果，时间是最重要的参数。因此，在20天内，从塔巴斯煤中除去了灰硫的68.98％，黄铁矿硫的92％和72.43％的总硫。
铅酸电池手册（20240615）
负碳技术，抑制负电极的不可逆硫化，减少活性材料的软化并保持持久的内部装配压力；出色的PSOC使用性能，较长的周期寿命，更广泛的使用温度。抑制负电极的不可逆硫化，减少活性材料的软化，并保持内部持续的装配压力；出色的PSOC性能，较长的周期寿命，更宽的工作温度，更高的电荷接受度；
筛查疾病控制的硫化葡萄球核化合物晶体，用于相变的记忆应用
模型的哈密顿型与现场障碍，由于所有电子状态均已定位，因此不会发生扩散。十年后，莫特介绍了通用随机汉顿人的移动性边缘的概念：根据定义，移动性边缘将延伸状态与局部化状态分开。[2]在这种更一般的情况下，当费米水平E F位于局部状态的区域时，零温度发生在零温度下。随后，安德森和同事提出了定位的缩放理论，[3]据此，所有电子状态都位于1D和2D无序系统中，只要电子相关性和自旋 - 轨道 - 轨道耦合较弱，就可以看不见随机性的强度。相比之下，3D系统可以在变化障碍或整个迁移率边缘调整EF后经历金属 - 绝缘体过渡（MIT）[2]。疾病诱导的电子定位，例如磷掺杂的硅（SI：P）和铝掺杂的砷化铝（Al X GA 1-X AS）。
合成终端钴（II）烷基硫化烷基复合物的合成，表征和反应性作为硫醇酸盐persulfi-dati
摘要：Persulfides（RSS - ）是生物学中硫化物（S 2-）的普遍存在，RSS和生物氨基酸金属中心之间的相互作用在生物氢（H2 S）生物发生，信号传导和分析中都起着关键作用。在这里，我们将接触离子稳定[Na（15-Crown-5）] [T Buss]（1）作为一种简单的合成剂来访问稀有金属烷基硫化物硫化物配合物并研究RSS的反应性，并在过渡金属中心（将硫代硫酸盐硫酸盐的碱性硫酸盐均分化为硫代碱基硫酸盐和碱性硫化物，包括碱性硫化物和碱性硫化物的反应性。与[CO II（TPA）（OTF）] +的反应提供了η1-烷基硫化物复合物[CO II（TPA）（SS T bu）] +（2），该 +（2）的表征是由X射线晶体分解，UV-VIS光谱光谱谱和Raman光谱法表征。rss - 对路易斯酸性CO 2+中心的协调为S – S键提供了稳定性，这是由2个拉曼拉伸频率显着增加的2（v s – s = 522 cm –
光学切换超过一百万个低损耗相变材料SB2SE3
摘要：用于集成光子和自由空间平台的下一代光相变为变化技术的开发取决于可以在大量大量且光学损失低的情况下反复切换的材料的可用性。近年来，由于在光谱的近红外透明度和接近硅接近的高折射指数中，由于良好的光学透明度，基于基于锑的硫化硫化硫化材料SB 2 SE 3 SE 3 SE 3被确定为许多应用。SB 2 SE 3的结晶温度左右允许使用光学或电气控制信号在中等能量下实现切换，同时为非挥发性存储提供足够的数据保留时间。在这里，我们研究了与光学应用相关的一系列膜厚度的SB 2 SE 3膜光学切换的参数空间。通过识别最佳的切换条件，我们证明了在20 kHz的可逆切换速率下最多可忍受10个循环。我们的工作表明，固有膜参数与泵送条件的组合对于在光相变化应用中实现高耐力尤为重要。
材料和硬件
系列 类型 10xx 非硫化碳钢 11xx 再硫化碳钢（易加工） 12xx 再磷化和再硫化碳钢（易加工） 13xx 锰 1.75% 23xx 镍 3.50% 25xx 镍 5.00% 31xx 镍 2.25%、铬 0.65% 33xx 镍 3.50%、铬 1.55% 40xx 钼 0.20 或 0.25% 41xx 铬 0.50 或 0.95%、钼 0.12 或 0.20% 43xx 镍 1.80%、铬 0.50 或 0.80%、钼 0.25% 44xx 钼0.40% 50xx 铬 0.25、或 0.40 或 0.50% 50xxx 碳 1.00%、铬 0.50% 51xxx 碳 1.00%、铬 1.05% 52xxx 碳 1.00%、铬 1.45% 61xx 铬 0.60、0.80 或 0.95%、钒 0.12% 0.10% 最小、或 0.15% 81xx 镍 0.30%、铬 0.40%、钼 0.12% 86xx 镍 0.55%、铬 0.50、钼 0.20% 87xx 镍 0.55%。铬 0.05%、钼 0.25% 92xx 锰 0.85%、硅 2.00%、铬 0 或 0.35% 93xx 镍 3.25%、铬 1.20%、钼 0.12% 94xx 镍 0.45%、铬 0.40%、钼 0.12%
由二维硫化镓控制制备原生超薄非晶态氧化镓，用于新兴电子应用
事实证明，二维层状材料的氧化有利于形成氧化物/二维材料异质结构，这为低功耗电子设备的新范式打开了大门。硫化镓（II）（𝜷-GaS）是一种六方相 III 族单硫属化物，是一种宽带隙半导体，单层和少层形式的带隙超过 3 eV。其氧化物氧化镓（Ga 2 O 3）兼具大带隙（4.4-5.3 eV）和高介电常数（≈ 10）。尽管这两种材料都具有技术潜力，但原子级厚度的𝜷-GaS 的受控氧化仍未得到充分探索。本研究重点关注使用氧等离子体处理对𝜷-GaS 进行受控氧化，以解决现有研究中的重大空白。结果表明，在暴露于 10 W 的 O 2 时，能够形成厚度为 4 nm 的超薄天然氧化物 (GaS x O y )，从而形成 GaS x O y /GaS 异质结构，其下方的 GaS 层保持完整。通过将此类结构集成在金属电极之间并施加电压斜坡或脉冲等电应力，研究了它们在电阻式随机存取存储器 (ReRAM) 中的应用。所产生的氧化物的超薄特性可实现低操作功率，能耗低至每次操作 0.22 nJ，同时分别保持 350 次循环和 10 4 s 的耐久性和保持力。这些结果表明基于氧化的 GaS x O y /GaS 异质结构在电子应用，特别是低功耗存储设备中具有巨大的潜力。